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Produits semi-conduurs discrètes (5251)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Tolérance	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Fuseau	Numéro de Protuit de Base	Type d'entrée	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Condition de test	Actualiser	Tension	Tension - isolement	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type igbt	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COPEUR PULSÉ (ICM)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Commutation d'Énergie	Charge de Porte	TD (On / Off) à 25 ° C	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Tension - Zener (NOM) (VZ)	Impédance (max) (ZZT)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition
Fja4213rtu	2.6300	RFQ	8519	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3					130 W	To-3p	télécharger					EAR99	8541.29.0095	1																												250 V	17 A						5µA (ICBO)			Pnp	3V @ 800mA, 8A	55 @ 1A, 5V	30 MHz
SGH20N60RUFDTU-FS	1 0000	RFQ	3798	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3		SGH20N60	Standard		195 W	To-3p	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	0000.00.0000	1				300 V, 20A, 10OHM, 15V																		50 ns					-	600 V	32 A	60 A	2.8V @ 15V, 20A	524µJ (ON), 473µJ (OFF)	80 NC	30ns / 48ns
HUF76629D3S	0,7000	RFQ	38	Semi-conducteur de Fairchild	Ultrafet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252aa	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 800			Canal n					100 V	20A (TC)		52MOHM @ 20A, 10V	3V à 250µA	46 NC @ 10 V	± 16V	1285 PF @ 25 V	-	110W (TC)
FDI038AN06A0	2.9500	RFQ	2	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa				MOSFET (Oxyde Métallique)		I2pak (à 262)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					60 V	17A (TA), 80A (TC)	6v, 10v	3,8MOHM @ 80A, 10V	4V @ 250µA	124 NC @ 10 V	± 20V	6400 PF @ 25 V	-	310W (TC)
FDMS8888	-	RFQ	4054	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-PowerTDFN				MOSFET (Oxyde Métallique)		8-pqfn (5x6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					30 V	13.5A (TA), 21A (TC)	4,5 V, 10V	9,5mohm @ 13,5a, 10v	2,5 V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V	1585 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
FDB5690	1,6000	RFQ	18	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Obsolète		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800			Canal n					60 V	32A (TC)	6v, 10v	27MOHM @ 16A, 10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	± 20V	1120 pf @ 25 V	-	58W (TC)
FQD30N06TF	-	RFQ	2403	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	21			Canal n					60 V	22.7A (TC)	10V	45MOHM @ 11.4A, 10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 25V	945 PF @ 25 V	-	2.5W (TA), 44W (TC)
MMBT6428	-	RFQ	4162	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3					350 MW	SOT-23-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1																												50 V	500 mA						100NA			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	250 @ 100µA, 5V	700 MHz
FQB5N40TM	0 4600	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800			Canal n					400 V	4.5a (TC)	10V	1,6 ohm @ 2 25a, 10v	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	± 30V	460 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 70W (TC)
FDB8880	0,6300	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab		FDB888		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 263ab	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre Affeté		EAR99	0000.00.0000	476			Canal n					30 V	11A (TA), 54A (TC)	4,5 V, 10V	11.6MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1240 PF @ 15 V	-	55W (TC)
Bzx79c9v1-t50a	0,0200	RFQ	2197	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial					500 MW	DO-35 (DO-204AH)	télécharger					EAR99	8541.10.0050	1																					1,5 V @ 100 mA		500 na @ 6 V													9.1 V	15 ohms
FQD630TF	0,3100	RFQ	207	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 252, (d-pak)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	2 000			Canal n					200 V	7a (TC)	10V	400MOHM @ 3,5A, 10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	± 25V	550 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 46W (TC)
FQP9N25C	1 0000	RFQ	4425	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	1 000			Canal n					250 V	8.8A (TC)	10V	430MOHM @ 4.4A, 10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	± 30V	710 PF @ 25 V	-	74W (TC)
FQA16N50-F109	-	RFQ	9640	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	TO-3P-3, SC-65-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		To-3pn	-				2156-FQA16N50-F109			1			Canal n					500 V	16A (TC)	10V	320 mohm @ 8a, 10v	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	± 30V	3000 pf @ 25 V	-	200W (TC)
Flz13vb	0,0200	RFQ	66	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C	Support de surface	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80					500 MW	SOD-80	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0050	2 500																					1,2 V @ 200 mA		133 na @ 10 V													12.9 V	11,4 ohms
SB520	-	RFQ	1587	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou	DO-201AAAA, DO-27, Axial				Schottky		DO-2010	télécharger						0000.00.0000	1		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																	20 V		550 mV @ 5 a		500 µA @ 20 V	-50 ° C ~ 150 ° C	5A	-
Bzx85c5v6-t50r	0,0400	RFQ	48	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif	± 7%	-65 ° C ~ 200 ° C	Par le trou	DO-204AL, DO-41, Axial					1 W	DO-41	-		Vendeur indéfini	Atteindre Affeté	2156-BZX85C5V6-T50R-600039			1																					1,2 V @ 200 mA		1 µA @ 2 V													5.6 V	7 ohms
FDPF7N50	0,7100	RFQ	265	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			Canal n					500 V	7a (TC)	10V	900mohm @ 3,5a, 10v	5V @ 250µA	16,6 NC @ 10 V	± 30V	940 PF @ 25 V	-	39W (TC)
1N4938TR	0,0200	RFQ	29	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Obsolète			Par le trou	DO-204AH, DO-35, Axial				Standard		DO-35 (DO-204AH)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0070	15 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																	200 V		1 V @ 100 mA	50 ns	100 na @ 75 V	175 ° C (max)	500mA	5pf @ 0v, 1mhz
FDG410NZ	-	RFQ	3863	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363				MOSFET (Oxyde Métallique)		SC-88 (SC-70-6)	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1 787			Canal n					20 V	2.2a (TA)	1,5 V, 4,5 V	70MOHM @ 2,2A, 4,5 V	1V @ 250µA	7,2 NC @ 4,5 V	± 8v	535 pf @ 10 V	-	420mw (TA)
FQB3N60CTM	0,6100	RFQ	1	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	En gros	Obsolète		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab				MOSFET (Oxyde Métallique)		D2pak (à 263)	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	800			Canal n					600 V	3A (TC)	10V	3,4 ohm @ 1,5a, 10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	± 30V	565 pf @ 25 V	-	75W (TC)
1N5234B	0,0300	RFQ	542	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif			Par le trou						500 MW	-	télécharger					EAR99	8541.10.0050	11 539																							5 µA @ 4 V													6.2 V	7 ohms
FQPF17P06	0,5500	RFQ	64	Semi-conducteur de Fairchild	QFET®	Tube	Obsolète		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.29.0095	50			Canal p					60 V	12A (TC)	10V	120 mohm @ 6a, 10v	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	± 25V	900 pf @ 25 V	-	39W (TC)
Fep16ct	0 4700	RFQ	90	Semi-conducteur de Fairchild	-	Tube	Obsolète			Par le trou	À 220-3				Standard		À 220-3	télécharger	Rohs3 conforme				EAR99	8541.10.0080	50		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)																1 paire la commune de cathode	150 V	16A	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
BC547ATA	0,0300	RFQ	15	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 (à 226aa) un Formé des Pistes					500 MW	To-92-3	télécharger					EAR99	8541.21.0075	8 959																												45 V	100 mA						15NA (ICBO)			NPN	600 mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2MA, 5V	300 MHz
FDP7N50	-	RFQ	9668	Semi-conducteur de Fairchild	UniFet ™	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3				MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220-3	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					500 V	7a (TC)	10V	900mohm @ 3,5a, 10v	5V @ 250µA	16,6 NC @ 10 V	± 30V	940 PF @ 25 V	-	89W (TC)
FSBB15CH60	15.4800	RFQ	351	Semi-conducteur de Fairchild	Motion SPM® 3	En gros	Actif			Par le trou	Module 27-Powerdip (1 205 ", 30,60 mm)	Igbt	FSBB15					télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.39.0001	1	3 phase				15 A	600 V	2500 VRM
FSB50660SFT	5.6000	RFQ	180	Semi-conducteur de Fairchild	Motion SPM® 5 Superfet®	En gros	Actif			Par le trou	Module 23-Powerdip (0 748 ", 19,00 mm)	Mosfet						télécharger					EAR99	8542.39.0001	1	3 phase				3.1 A	600 V	1500 VRM
FDS6576	1 0000	RFQ	1383	Semi-conducteur de Fairchild	PowerTrench®	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)				MOSFET (Oxyde Métallique)		8-SOIC	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal p					20 V	11a (ta)	2,5 V, 4,5 V	14MOHM @ 11A, 4,5 V	1,5 V @ 250µA	60 NC @ 4,5 V	± 12V	4044 PF @ 10 V	-	2.5W (TA)
FQPF7N65C	-	RFQ	4619	Semi-conducteur de Fairchild	-	En gros	Actif		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET		FQPF7		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220f	télécharger					EAR99	8542.39.0001	1			Canal n					650 V	7a (TC)	10V	1,4 ohm @ 3,5a, 10v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	± 30V	1245 PF @ 25 V	-	52W (TC)