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Produits semi-conduurs discrètes (2909)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 7148 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
RN2103,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2103 100 MW SSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
CRZ24(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ24 (TE85L, Q, M) 0.1740
RFQ
 ECAD 1286 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Sod-123f CRZ24 700 MW S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0050 3 000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 17 V 24 V 30 ohms
SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FE (TE85L, F) 0,4200
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-563, SOT-666 SSM6P15 MOSFET (Oxyde Métallique) 150mw ES6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 2 Canal P (double) 30V 100 mA 12OHM @ 10mA, 4V 1,7 V @ 100µA - 9.1pf @ 3v Porte de Niveau Logique
2SA1972,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1972, F (J -
RFQ
 ECAD 7950 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA1972 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 1 400 V 500 mA 10µA (ICBO) Pnp 1V @ 10mA, 100mA 140 @ 20mA, 5V 35 MHz
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQH, LQ 2 0000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8 powervdfn MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger 1 (illimité) 264-TPH9R00CQHLQTR EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 150 V 64a (TC) 8v, 10v 9MOHM @ 32A, 10V 4.3 V @ 1MA 44 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 75 V - 960mw (TA), 210W (TC)
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-Y (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3125 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface SC-70, SOT-323 2SC5085 100 MW SC-70 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 11 dB ~ 16,5 dB 12V 80m NPN 120 @ 20mA, 10V 7 GHz 1,1 dB à 1Hz
RN2310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2310 (TE85L, F) 0,0474
RFQ
 ECAD 6131 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2310 100 MW SC-70 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 4,7 kohms
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (T6CNO, A, F) -
RFQ
 ECAD 5381 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SD2695 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 60 V 2 A 10µA (ICBO) NPN 1,5 V @ 1MA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100 MHz
SSM3K309T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K309T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 1396 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K309 MOSFET (Oxyde Métallique) TSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 20 V 4.7A (TA) 1,8 V, 4V 31MOHM @ 4A, 4V - ± 12V 1020 pf @ 10 V - 700MW (TA)
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A45D (STA4, Q, M) 1.7100
RFQ
 ECAD 8473 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosvii Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK9A45 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 450 V 9a (ta) 10V 770MOHM @ 4.5A, 10V 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ± 30V 800 pf @ 25 V - 40W (TC)
SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CTC, L3F 0,3200
RFQ
 ECAD 109 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-101, SOT-883 SSM3K35 MOSFET (Oxyde Métallique) CST3C télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 Canal n 20 V 250mA (TA) 1,2 V, 4,5 V 1,1 ohm @ 150mA, 4,5 V 1V @ 100µA 0,34 NC à 4,5 V ± 10V 36 pf @ 10 V - 500mw (TA)
1SS187,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS187, LF 0 2200
RFQ
 ECAD 4171 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS187 Standard S-mini - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse 80 V 1,2 V @ 100 mA 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (max) 100 mA 4pf @ 0v, 1mhz
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 4313 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4902 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970 (TE85L, F) 0 4700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1970 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 4,7 kohms -
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1, S4X 1.4900
RFQ
 ECAD 210 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK42A12 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 120 V 42A (TC) 10V 9.4MOHM @ 21A, 10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 60 V - 35W (TC)
CRS20I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30B (TE85L, QM 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface Sod-123f CRS20I30 Schottky S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 450 MV @ 2 A 100 µA @ 30 V 150 ° C (max) 2A 82pf @ 10v, 1MHz
CLS02(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (TE16L, SQC, Q) -
RFQ
 ECAD 2120 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Support de surface L-Flat ™ CLS02 Schottky L-Flat ™ (4x5,5) télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 1 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 550 mV @ 10 A 1 ma @ 40 V -40 ° C ~ 125 ° C 10A 420pf @ 10v, 1MHz
2SC5930(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 (T2mitum, FM -
RFQ
 ECAD 5521 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou SC-71 2SC5930 1 W MSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 1 600 V 1 a 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 75mA, 600mA 40 @ 200mA, 5V -
2SA949-Y(T6JVC1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6JVC1, FM -
RFQ
 ECAD 6789 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA949 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100NA (ICBO) Pnp 800 MV @ 1MA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120 MHz
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2313 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 4403 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2313 100 MW SC-70 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 47 kohms
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH, L1Q 1.7300
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPH6400 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 200 V 13a (ta) 10V 64MOHM @ 6.5A, 10V 4V à 300µA 11.2 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 1.6W (TA), 57W (TC)
TK35A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W5, S5X 6.3000
RFQ
 ECAD 7564 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK35A65 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 35A (TA) 10V 95MOHM @ 17,5A, 10V 4,5 V @ 2,1mA 115 NC @ 10 V ± 30V 4100 pf @ 300 V - 50W (TC)
RN4901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 6357 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz, 250 MHz 4,7 kohms 4,7 kohms
SSM3K15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15F, LF 0,2300
RFQ
 ECAD 72 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba π-mosiv Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K15 MOSFET (Oxyde Métallique) S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal n 30 V 100mA (TA) 2,5 V, 4V 4OHM @ 10mA, 4V 1,5 V à 100 µA ± 20V 7,8 pf @ 3 V - 200MW (TA)
RN4986(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4986 (T5L, F, T) 0,3000
RFQ
 ECAD 483 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4986 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100 µA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz, 200 MHz 4,7 kohms 47 kohms
RN1907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907, LXHF (CT 0,3600
RFQ
 ECAD 5768 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1907 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4901 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 4562 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz, 250 MHz 4,7 kohms 4,7 kohms
RN1705,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1705, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1705 200 MW USV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50v 100 mA 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2,2 kohms 47 kohms
2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-Y, LF 0,2100
RFQ
 ECAD 4409 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 150 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80 MHz
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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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