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Produits semi-conduurs discrètes (2909)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Ensemble de Périphériques du Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Configuration Vitre Taper fet Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Tension - DC inverse (VR) (max) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
2SK2989,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989, F (J -
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 ECAD 9148 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SK2989 To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 1 5A (TJ)
TPN2R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R203NC, L1Q 1.2200
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPN2R203 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.1x3.1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 30 V 45A (TC) 10V 2,2mohm @ 22,5a, 10v 2,3 V @ 500µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2230 pf @ 15 V - 700MW (TA), 42W (TC)
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F-Y (TE85L, F) -
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 ECAD 3952 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban de Coupé (CT) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface SC-74, SOT-457 HN1A01 300mw SM6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 150m 100NA (ICBO) 2 pnp (double) 300 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80 MHz
RN2408,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2408, LXHF 0,3400
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 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2408 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
CMS30I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I30A (TE12L, QM 0,5900
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 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-128 CMS30 Schottky M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 490 MV @ 3 A 100 µA @ 30 V 150 ° C (max) 3A 82pf @ 10v, 1MHz
TK46A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK46A08N1, S4X 1.0700
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 ECAD 7780 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK46A08 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 80 V 46A (TC) 10V 8,4MOHM @ 23A, 10V 4V à 500 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 40 V - 35W (TC)
TTA1943(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTA1943 (Q) 2.7000
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 ECAD 567 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Actif 150 ° C (TJ) Par le trou To-3pl TTA1943 150 W To-3p (l) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 100 230 V 15 A 5µA (ICBO) Pnp 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30 MHz
2SK2845(TE16L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2845 (TE16L1, Q) -
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 ECAD 5146 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 2SK2845 MOSFET (Oxyde Métallique) PW-Mold télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 2 000 Canal n 900 V 1a (ta) 10V 9OHM @ 500mA, 10V 4V @ 1MA 15 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 40W (TC)
2SC3665-Y,T2YNSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y, T2YNSF (J -
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 ECAD 2332 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou SC-71 2SC3665 1 W MSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 120 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120 MHz
2SC3328-Y,T6CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-Y, T6CKF (J -
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 ECAD 5365 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC3328 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 80 V 2 A 1µA (ICBO) NPN 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5096-R, LF -
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 ECAD 8066 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface SC-75, SOT-416 2SC5096 100 MW SSM - 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 1,4 dB 10V 15m NPN 50 @ 7mA, 6V 10 GHz 1,4 dB à 1Hz
2SK2995(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2995 (F) -
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 ECAD 9943 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 2SK2995 MOSFET (Oxyde Métallique) To-3p (n) est télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 250 V 30A (TA) 10V 68MOHM @ 15A, 10V 3,5 V @ 1MA 132 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 10 V - 90W (TC)
RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112CT (TPL3) -
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 ECAD 9061 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-101, SOT-883 RN112 50 MW CST3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 20 V 50 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 300 @ 1MA, 5V 22 kohms
TK10A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W, S4VX 2.7800
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 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Actif 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET TK10A60 MOSFET (Oxyde Métallique) À 220sis télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 600 V 9.7A (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10v 3,7 V @ 500µA 20 nc @ 10 V ± 30V 700 pf @ 300 V - 30W (TC)
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113 (TE85L, F) 0,7000
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 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 MT3S113 800mw S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 11,8 dB 5.3 V 100 mA NPN 200 @ 30mA, 5V 12,5 GHz 1,45 dB à 1Hz
2SA1428-O,T2WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O, T2WNLF (J -
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 ECAD 6056 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou SC-71 2SA1428 900 MW MSTM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 100 MHz
2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (T6Cano, F, M -
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 ECAD 9371 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SD2695 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 60 V 2 A 10µA (ICBO) NPN 1,5 V @ 1MA, 1A 2000 @ 1A, 2V 100 MHz
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU, LF 0 4600
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 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface Pad Exposé 6-WDFN SSM6J503 MOSFET (Oxyde Métallique) 6-udfnb (2x2) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal p 20 V 6a (ta) 1,5 V, 4,5 V 32.4MOHM @ 3A, 4,5 V 1v @ 1MA 12.8 NC @ 10 V ± 8v 840 pf @ 10 V - 1W (ta)
RN2106(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2106 (T5L, F, T) -
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 ECAD 3234 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2106 100 MW SSM télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 47 kohms
XPW6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW6R30ANB, L1XHQ 1.9800
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 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface 8 powervdfn Xpw6r30 MOSFET (Oxyde Métallique) Avance de 8 dose télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 100 V 45A (TA) 6v, 10v 6,3MOHM @ 22,5A, 10V 3,5 V @ 500µA 52 NC @ 10 V ± 20V 3240 PF @ 10 V - 960mw (TA), 132W (TC)
RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968 (TE85L, F) 0 4700
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 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1968 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 47 kohms
2SA1962-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1962-O (Q) -
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 ECAD 6598 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Plateau Actif 150 ° C (TJ) Par le trou TO-3P-3, SC-65-3 2SA1962 130 W To-3p (n) télécharger Rohs conforme Non applicable EAR99 8541.29.0075 50 230 V 15 A 5µA (ICBO) Pnp 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1A, 5V 30 MHz
2SC2235-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, T6F (J -
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 ECAD 7291 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2235 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120 MHz
RN1971TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1971te85lf 0,0618
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 ECAD 6883 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1971 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 10 kohms -
2SA949-Y,ONK-1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y, ONK-1F (J -
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 ECAD 3985 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA949 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100NA (ICBO) Pnp 800 MV @ 1MA, 10A 70 @ 10mA, 5V 120 MHz
RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4907, LF 0,2800
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 ECAD 3821 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4907 200 MW US6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
TTA003,L1NQ(O Toshiba Semiconductor and Storage TTA003, L1NQ (O 0,6900
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 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 TTA003 10 W PW-Mold télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 2 000 80 V 3 A 100NA (ICBO) Pnp 500 MV à 100MA, 1A 100 @ 500mA, 2V 100 MHz
RN2301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2301, LXHF 0,3900
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 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2301 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 4,7 kohms
RN2402S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage RN2402S, LF (D -
RFQ
 ECAD 4226 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2402 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) RN2402SLF (D EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
TPC8228-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPC8228-H, LQ -
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 ECAD 6012 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) TPC8228 MOSFET (Oxyde Métallique) 1.5W (TA) 8-SOP télécharger 264-TPC8228-HLQTR EAR99 8541.29.0095 2 500 2 Canaux N (double) 60V 3.8a 57MOHM @ 1.9A, 10V 2,3 V à 100 µA 11nc @ 10v 640pf @ 10v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

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    30 000 000

    Unité de produit standard

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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