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Produits semi-conduurs discrètes (2909)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Taper fet Courant - Max Gagner Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) Type de diode Tension - Pic inverse (max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Résistance @ si, f Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2) Figure de Bruit (db typ @ f)
2SC2235-Y(MBSH1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (MBSH1, FM -
RFQ
 ECAD 5908 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2235 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100mA, 5V 120 MHz
RN2104(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104 (T5L, F, T) 0,2800
RFQ
 ECAD 727 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2104 100 MW SSM télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56MFV, L3F 0 4500
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-723 SSM3K56 MOSFET (Oxyde Métallique) Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 Canal n 20 V 800mA (TA) 1,5 V, 4,5 V 235MOHM @ 800mA, 4,5 V 1v @ 1MA 1 NC @ 4,5 V ± 8v 55 PF @ 10 V - 150mw (TA)
RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4607 (TE85L, F) 0 4700
RFQ
 ECAD 795 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-74, SOT-457 RN4607 300mw SM6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
TRS20N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65FB, S1Q 6.4400
RFQ
 ECAD 9973 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif Par le trou À 247-3 TRS20N65 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247 - 1 (illimité) 264-TRS20N65FBS1Q EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 1 paire la commune de cathode 650 V 10A (DC) 1,6 V @ 10 A 0 ns 50 µA à 650 V 175 ° C
RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 (T5L, F, T) -
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 ECAD 6086 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100 µA (ICBO) 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz, 200 MHz 22 kohms 47 kohms
2SK2989(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (T6Cano, F, M -
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 ECAD 9386 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SK2989 To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 1 5A (TJ)
TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5, S1Q -
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 ECAD 2691 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Dtmosiv Tube Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 262-3 longs longs, i²pak, à 262aa TK14C65 MOSFET (Oxyde Métallique) I2pak télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50 Canal n 650 V 13.7A (TA) 10V 300mohm @ 6.9a, 10v 4,5 V @ 690µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 130W (TC)
RN1107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN1107 100 MW SSM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC, L3F 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvii Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-101, SOT-883 SSM3J35 MOSFET (Oxyde Métallique) CST3C télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 Canal p 20 V 250mA (TA) 1,2 V, 4,5 V 1,4 ohm @ 150mA, 4,5 V 1V @ 100µA ± 10V 42 PF @ 10 V - 500mw (TA)
RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2101 100 MW SSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 4,7 kohms
2SA1315-Y,T6ASNF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-Y, T6ASNF (J -
RFQ
 ECAD 7868 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SA1315 900 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 1 80 V 2 A 1µA (ICBO) Pnp 500 mV @ 50mA, 1A 70 @ 500mA, 2V 80 MHz
RN1317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1317 (TE85L, F) 0,2600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN1317 100 MW SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 4,7 kohms
TRS8E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65F, S1Q 3.7200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif Par le trou À 220-2 TRS8E65 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2L télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,6 V @ 8 A 0 ns 40 µA à 650 V 175 ° C (max) 8a 28pf @ 650V, 1MHz
RN1306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN1306 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4,7 kohms 47 kohms
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1973 (TE85L, F) 0,0753
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1973 200 MW US6 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V - 47 kohms -
2SC5171,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171, Matudq (J -
RFQ
 ECAD 1872 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) Par le trou À 220-3 EXCHET 2SC5171 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 180 V 2 A 5µA (ICBO) NPN 1V @ 100mA, 1A 100 @ 100mA, 5V 200 MHz
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV (TL3, T) 0,2100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN1131 150 MW Vesm télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV à 500 µA, 5mA 120 @ 1MA, 5V 100 kohms
RN2409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2409, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 9037 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2409 200 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 22 kohms
SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CTC, L3F 0,3200
RFQ
 ECAD 109 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SC-101, SOT-883 SSM3K35 MOSFET (Oxyde Métallique) CST3C télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 Canal n 20 V 250mA (TA) 1,2 V, 4,5 V 1,1 ohm @ 150mA, 4,5 V 1V @ 100µA 0,34 NC à 4,5 V ± 10V 36 pf @ 10 V - 500mw (TA)
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH, L1Q 0,3533
RFQ
 ECAD 4019 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface 8 powervdfn TPN14006 MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-Tson (3.1x3.1) télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 60 V 13a (ta) 6,5 V, 10V 14MOHM @ 6.5A, 10V 4V @ 200µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 30 V - 700MW (TA), 30W (TC)
SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J108TU (TE85L) -
RFQ
 ECAD 2405 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosiii Ruban Adhésif (tr) Obsolète 150 ° C (TJ) Support de surface 3 mm, plombes plombes SSM3J108 MOSFET (Oxyde Métallique) Ufm télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 Canal p 20 V 1.8A (TA) 1,8 V, 4V 158MOHM @ 800mA, 4V 1v @ 1MA ± 8v 250 pf @ 10 V - 500mw (TA)
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905, LF (CT 0,2600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200 MW US6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2,2 kohms 47 kohms
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5066-O, LF -
RFQ
 ECAD 9564 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 125 ° C (TJ) Support de surface SC-75, SOT-416 2SC5066 100 MW SSM - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 - 12V 30m NPN 80 @ 10mA, 5V 7 GHz 1 dB à 500 MHz
CRG05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG05 (TE85L, Q, M) 0 4600
RFQ
 ECAD 6290 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface Sod-123f CRG05 Standard S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 800 V 1,2 V @ 1 A 10 µA @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH1, LQ 1.5400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosviii-h Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C Support de surface 8-PowerTDFN MOSFET (Oxyde Métallique) Advance 8-SOP (5x5,75) - Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 5 000 Canal n 100 V 92A (TC) 10V 4,5 mohm @ 46a, 10v 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 50 V - 800mw (TA)
1SV307(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV307 (TPH3, F) 0,4300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 1sv307 USC télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 50 mA 0,5pf @ 1v, 1MHz Broche - simple 30V 1,5 ohm @ 10mA, 100mhz
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2343 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-101, SOT-883 RN1101 50 MW CST3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 20 V 50 mA 500NA NPN - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 30 @ 10mA, 5V 4,7 kohms 4,7 kohms
RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2312 (TE85L, F) 0,2700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2312 100 MW SC-70 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 22 kohms
TRS12E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65F, S1Q 5.4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Tube Actif Par le trou À 220-2 TRS12E65 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 220-2L - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 1,7 V @ 12 A 0 ns 90 µA à 650 V 175 ° C (max) 12A 65pf @ 650V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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