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Produits semi-conduurs discrètes (2909)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Tolérance Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Power - Max Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) ECCN HTSUS Norme de package Vitre Taper fet Égoutter la tension de la source (VDSS) Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS) RDS SUR (MAX) @ ID, VGS Vgs (th) (max) @ id Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS VGS (max) Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds FET FONCTION Dissipation de Puisse (max) Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max) Courant - Collectionneur (IC) (Max) COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX) Tension - Zener (NOM) (VZ) Impédance (max) (ZZT) Type de transistor VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE FRÉQUENCE - transition RÉSISTANCE - BASE (R1) Résistance - Base d'Emetteur (R2)
2SC4935-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4935-Y, Q (J -
RFQ
 ECAD 8469 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 220-3 EXCHET 2SC4935 2 W À 220nis télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 3 A 1µA (ICBO) NPN 600mV @ 200mA, 2A 70 @ 500mA, 2V 80 MHz
CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 (TE12L, Q, M) 0,5300
RFQ
 ECAD 4497 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOD-128 CMS09 Schottky M-flat (2.4x3.8) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 450 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A 70pf @ 10v, 1MHz
CRH01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01 (TE85L) -
RFQ
 ECAD 9197 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban de Coupé (CT) Obsolète Support de surface Sod-123f CRH01 Standard S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs non conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
RN2104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104, LF (CT 0,2000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN2104 100 MW SSM télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
2SC2229-Y(SHP,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (SHP, F, M) -
RFQ
 ECAD 7291 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - En gros Obsolète 150 ° C (TJ) À Travers Le Trou À 226-3, à 92-3 Corps long 2SC2229 800 MW To-92mod télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 mA 100NA (ICBO) NPN 500 mV @ 1MA, 10mA 70 @ 10mA, 5V 120 MHz
BAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage Bav70, LM 0,2100
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 ECAD 1 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV70 Standard SOT-23-3 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 3 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 100 V 215mA 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 200 na @ 80 V 150 ° C (max)
RN1112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112CT (TPL3) -
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 ECAD 9061 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-101, SOT-883 RN112 50 MW CST3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 20 V 50 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 300 @ 1MA, 5V 22 kohms
RN2109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2109MFV, L3F 0,1800
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 ECAD 7200 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-723 RN2109 150 MW Vesm télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 47 kohms 22 kohms
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 8069 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOT-563, SOT-666 RN2904 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
RN2708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2708, LF 0,3100
RFQ
 ECAD 1502 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2708 200 MW USV télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50v 100 mA 500NA 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
RN1902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902, LXHF (CT 0,3600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1902 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909, LXHF (CT 0,3500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200 MW US6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50v 100 mA 500NA 2 npn - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 22 kohms
RN2905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN2905 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2,2 kohms 47 kohms
2SC5819(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5819 (TE12L, ZF) -
RFQ
 ECAD 4711 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Boîte Actif 150 ° C (TJ) Support de surface À 243aa 1 W Pw-mini télécharger EAR99 8541.29.0095 1 20 V 1,5 A 100NA (ICBO) NPN 120 MV @ 10mA, 500mA 400 @ 150mA, 2V -
SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE (TE85L, F 0 4700
RFQ
 ECAD 8736 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba U-mosvi Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-563, SOT-666 SSM6J213 MOSFET (Oxyde Métallique) ES6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 Canal p 20 V 2.6A (TA) 1,5 V, 4,5 V 103MOHM @ 1,5A, 4,5 V 1v @ 1MA 4,7 NC @ 4,5 V ± 8v 290 pf @ 10 V - 500mw (TA)
RN1110,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1110, LXHF (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-75, SOT-416 RN1110 100 MW SSM télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 4,7 kohms
SSM3K361R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R, LXHF 0,6400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H Ruban Adhésif (tr) Actif 175 ° C Support de surface SOT-23-3 PLATS PLATS MOSFET (Oxyde Métallique) SOT-23F télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 3 000 Canal n 100 V 3.5A (TA) 4,5 V, 10V 69MOHM @ 2A, 10V 2,5 V @ 100µA 3,2 NC @ 4,5 V ± 20V 430 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
CRZ47(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 4033 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Support de surface Sod-123f CRZ47 700 MW S-Flat (1.6x3.5) télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0050 3 000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 37,6 V 47 V 65 ohms
TTB1020B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1020B, S4X (S -
RFQ
 ECAD 8142 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba * Tube Actif TTB1020 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.29.0095 50
RN4905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905FE, LXHF (CT 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SOT-563, SOT-666 RN4905 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz, 250 MHz 2,2 kohms 47 kohms
RN1410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 9455 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba Automobile, AEC-Q101 Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1410 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 250 MHz 4,7 kohms
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV, L3F 0,2300
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 150 ° C (TJ) Support de surface SOT-723 SSM3J35 MOSFET (Oxyde Métallique) Vesm télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 8 000 Canal p 20 V 100mA (TA) 8ohm @ 50mA, 4V - 12.2 PF @ 3 V - 150mw (TA)
1SS389,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389, L3F 0,2000
RFQ
 ECAD 3437 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-79, SOD-523 1SS389 Schottky Échap télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0070 8 000 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 10 V 500 mV à 100 mA 20 µA @ 10 V 125 ° C (max) 100 mA 40pf @ 0v, 1mhz
RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4907, LF 0,2800
RFQ
 ECAD 3821 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4907 200 MW US6 télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50v 100 mA 500NA 1 npn, 1 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 5999 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SC-101, SOT-883 RN113 50 MW CST3 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 10 000 20 V 50 mA 100NA (ICBO) NPN - Pré-biaisé 150 mV à 250µa, 5mA 300 @ 1MA, 5V 47 kohms
RN2410,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2410, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2410 200 MW S-mini télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 120 @ 1MA, 5V 200 MHz 4,7 kohms
RN2308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2308, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif Support de surface SC-70, SOT-323 RN2308 100 MW SC-70 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0075 3 000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pré-biaisé 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 7583 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOT-563, SOT-666 RN2965 100 MW ES6 - 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2,2 kohms 47 kohms
2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-Y, LF 0,2100
RFQ
 ECAD 4409 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Actif 125 ° C (TJ) Support de surface À 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 150 MW S-mini télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 3 000 50 V 150 mA 100NA (ICBO) NPN 250 mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2MA, 6V 80 MHz
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE (TE85L, F) 0,1000
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semi-conducteur et stockage de Toshiba - Ruban Adhésif (tr) Obsolète Support de surface SOT-563, SOT-666 RN1965 100 MW ES6 télécharger 1 (illimité) EAR99 8541.21.0095 4 000 50v 100 mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Pré-biaisé (double) 300 mV à 250µa, 5mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2,2 kohms 47 kohms
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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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