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Produits semi-conduurs discrètes (2909)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Power - Max	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Configuration	Vitre	Taper fet	Gagner	Égoutter la tension de la source (VDSS)	Courant - Drain Continu (ID) @ 25 ° C	Tension d'Entraiment (Max RDS sur, Min RDS)	RDS SUR (MAX) @ ID, VGS	Vgs (th) (max) @ id	Charge de Porte (QG) (Max) @ VGS	VGS (max)	Capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds	FET FONCTION	Dissipation de Puisse (max)	Tension - DC inverse (VR) (max)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Tension - Répartition des Émettes de Collection (Max)	Courant - Collectionneur (IC) (Max)	COURANT - COUPURE DE COPEUR (MAX)	Type de transistor	VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	Gagnez de Courant CC (HFE) (min) @ ic, VCE	FRÉQUENCE - transition	RÉSISTANCE - BASE (R1)	Résistance - Base d'Emetteur (R2)	Figure de Bruit (db typ @ f)
TK25V60X, LQ	2.5193	RFQ	9782	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Dtmosiv-h	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C	Support de surface	Pad Exposé 4-VSFN	Tk25v60	MOSFET (Oxyde Métallique)		4-DFN-EP (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Tk25v60xlq	EAR99	8541.29.0095	2 500			Canal n		600 V	25A (TA)	10V	135MOHM @ 7.5A, 10V	3,5 V @ 1,2MA	40 NC @ 10 V	± 30V	2400 pf @ 300 V	-	180W (TC)
2SC3668-O, T2Claf (J	-	RFQ	9779	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	SC-71	2SC3668		1 W	MSTM	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1																						50 V	2 A	1µA (ICBO)	NPN	500 mV @ 50mA, 1A	70 @ 500mA, 2V	100 MHz
TPN7R504PL, LQ	0,6100	RFQ	521	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosix-h	Ruban Adhésif (tr)	Actif	175 ° C	Support de surface	8 powervdfn	TPN7R504	MOSFET (Oxyde Métallique)		Advance 8-Tson (3.1x3.1)	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal n		40 V	38A (TC)	4,5 V, 10V	7,5 mohm @ 19a, 10v	2,4 V @ 200µA	24 NC @ 10 V	± 20V	2040 PF @ 20 V	-	610mw (TA), 61W (TC)
2SA1382, T6MIBF (J	-	RFQ	4486	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long	2SA1382		900 MW	To-92mod	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0075	1																						50 V	2 A	100NA (ICBO)	Pnp	500 mV @ 33mA, 1A	150 @ 500mA, 2V	110 MHz
2SA1931 (Nomark, A, Q	-	RFQ	9650	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	2SA1931		2 W	À 220nis	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1																						50 V	5 a	1µA (ICBO)	Pnp	400mV @ 200mA, 2A	100 @ 1A, 1V	60 MHz
2SK2962 (T6cano, F, M	-	RFQ	2604	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète		Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long	2SK2962			To-92mod	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	1						1A (TJ)
TTC008 (Q)	0,8400	RFQ	6705	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 251-3 courtise Pistes, Ipak, à 251aa	TTC008		1,1 W	PW-Mold2	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	TTC008Q	EAR99	8541.29.0095	200																						285 V	1,5 A	10µA (ICBO)	NPN	1V @ 62,5ma, 500mA	80 @ 1MA, 5V	-
SSM3K72CFS, LF	0,2000	RFQ	133	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosvii-h	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-75, SOT-416	SSM3K72	MOSFET (Oxyde Métallique)		SSM	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000			Canal n		60 V	170mA (TA)	4,5 V, 10V	3,9 ohm @ 100mA, 10V	2,1 V @ 250µA	0,35 NC à 4,5 V	± 20V	17 pf @ 10 V	-	150mw (TA)
2SA1837, TOA1F (J	-	RFQ	8224	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	2SA1837		2 W	À 220nis	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1																						230 V	1 a	1µA (ICBO)	Pnp	1,5 V @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 5V	70 MHz
2SC2229-Y (MIT, F, M)	-	RFQ	4110	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long	2SC2229		800 MW	To-92mod	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0075	1																						150 V	50 mA	100NA (ICBO)	NPN	500 mV @ 1MA, 10mA	70 @ 10mA, 5V	120 MHz
2SC4215-O (TE85L, F)	0,0946	RFQ	6491	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	125 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	2SC4215		100 MW	SC-70	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	3 000				23 dB																		30V	20 mA		NPN		40 @ 1MA, 6V	550 MHz			5 dB à 100 MHz
SSM6P39TU, LF	0,4800	RFQ	2	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C	Support de surface	6 mm, plombes plombes	Ssm6p39	MOSFET (Oxyde Métallique)	500mw (TA)	Uf6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000	2 Canal P (double)				20V	1.5A (TA)		213MOHM @ 1A, 4V	1v @ 1MA	6.4nc @ 4v		250pf @ 10v	Porte de Niveau Logique, Lecenteur de 1,8 V
SSM3J328R, LF	0,4100	RFQ	1	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosvi	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	SOT-23-3 PLATS PLATS	SSM3J328	MOSFET (Oxyde Métallique)		SOT-23F	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	3 000			Canal p		20 V	6a (ta)	1,5 V, 4,5 V	29.8MOHM @ 3A, 4,5 V	1v @ 1MA	12,8 NC @ 4,5 V	± 8v	840 pf @ 10 V	-	1W (ta)
2SA1162-O, LF	0 1700	RFQ	2	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	125 ° C (TJ)	Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	2SA1162		150 MW	S-mini	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																						50 V	150 mA	100NA (ICBO)	Pnp	300 mV @ 10mA, 100mA	200 @ 2MA, 6V	80 MHz
TPH2R608NH, L1Q	1.5400	RFQ	14	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosviii-h	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)	Support de surface	8 powervdfn	TPH2R608	MOSFET (Oxyde Métallique)		Advance 8-SOP (5x5)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	5 000			Canal n		75 V	150a (TC)	10V	2,6MOHM @ 50A, 10V	4V @ 1MA	72 NC @ 10 V	± 20V	6000 pf @ 37,5 V	-	142W (TC)
RN2910FE, LF (CT	0,2600	RFQ	4	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SOT-563, SOT-666	RN2910		100 MW	ES6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000																						50v	100 mA	100NA (ICBO)	2 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	120 @ 1MA, 5V	200 MHz	4,7 kohms	-
2SJ438, Q (M	-	RFQ	8401	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète		Par le trou	À 220-3 EXCHET	2SJ438			À 220nis	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	1						5A (TJ)
CUS15I30A (TE85L, QM	-	RFQ	3931	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	SC-76, SOD-323	CUS15I30	Schottky		US-Flat (1.25x2.5)	télécharger	Rohs conforme		CUS15I30A (TE85LQM	EAR99	8541.10.0080	4 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													30 V	460 MV @ 1,5 A		60 µA @ 30 V	150 ° C (max)	1.5a	50pf @ 10v, 1MHz
CMS14 (TE12L, Q, M)	0,5900	RFQ	2	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SOD-128	CMS14	Schottky		M-flat (2.4x3.8)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	3 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													60 V	580 MV @ 2 A		200 µA @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C	2A	-
RN2910 (T5L, F, T)	-	RFQ	8410	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	RN2910		200 MW	US6	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	3 000																						50v	100 mA	100NA (ICBO)	2 PNP - Pré-biaisé (double)	300 mV à 250µa, 5mA	120 @ 1MA, 5V	200 MHz	4,7 kohms	-
TRS10V65H, LQ	2.8900	RFQ	5	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	Pad Exposé 4-VSFN		Sic (Carbure de Silicium) Schottky		4-DFN-EP (8x8)	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	2 500		Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)													650 V	1,35 V @ 10 A	0 ns	100 µA @ 650 V	175 ° C	10A	649pf @ 1v, 1MHz
CMS05 (TE12L, Q, M)	0,7800	RFQ	192	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SOD-128	CMS05	Schottky		M-flat (2.4x3.8)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.10.0080	3 000		Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)													30 V	450 MV @ 5 A		800 µA @ 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C	5A	330pf @ 10v, 1MHz
SSM6K204FE, LF	0,5400	RFQ	4982	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C	Support de surface	SOT-563, SOT-666	SSM6K204	MOSFET (Oxyde Métallique)		ES6	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	4 000			Canal n		20 V	2a (ta)	1,5 V, 4V	126MOHM @ 1A, 4V	1v @ 1MA	3,4 NC @ 10 V	± 10V	195 PF @ 10 V	-	500mw (TA)
2SA1954BTE85LF	-	RFQ	7205	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	125 ° C (TJ)	Support de surface	SC-70, SOT-323	2SA1954		100 MW	SC-70	-		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0075	3 000																						12 V	500 mA	100NA (ICBO)	Pnp	250 MV @ 10mA, 200mA	500 @ 10mA, 2V	130 MHz
SSM3J65CTC, L3F	0,3900	RFQ	29	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosvii	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C	Support de surface	SC-101, SOT-883	SSM3J65	MOSFET (Oxyde Métallique)		CST3C	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.21.0095	10 000			Canal p		20 V	700mA (TA)	1,2 V, 4,5 V	500 mohm @ 500mA, 4,5 V	1v @ 1MA		± 10V	48 PF @ 10 V	-	500mw (TA)
TTC0002 (Q)	3.3400	RFQ	6091	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	To-3pl	TTC0002		180 W	To-3p (l)	télécharger	Rohs conforme	1 (illimité)	TTC0002Q	EAR99	8541.29.0075	100																						160 V	18 a	1µA (ICBO)	NPN	2V @ 900mA, 9A	80 @ 1A, 5V	30 MHz
2SA1869-Y (JKT, Q, M)	-	RFQ	5990	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3 EXCHET	2SA1869		10 W	À 220nis	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.29.0075	1																						50 V	3 A	1µA (ICBO)	Pnp	600mV @ 200mA, 2A	70 @ 500mA, 2V	100 MHz
2SA1680, T6F (J	-	RFQ	4464	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	-	En gros	Obsolète	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 226-3, à 92-3 Corps long	2SA1680		900 MW	To-92mod	télécharger		1 (illimité)		EAR99	8541.21.0075	1																						50 V	2 A	1µA (ICBO)	Pnp	500 mV @ 50mA, 1A	120 @ 100mA, 2V	100 MHz
TK14E65W, S1X	3.0500	RFQ	50	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	Dtmosiv	Tube	Actif	150 ° C (TJ)	Par le trou	À 220-3	TK14E65	MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n		650 V	13.7A (TA)	10V	250 MOHM @ 6.9A, 10V	3,5 V @ 690µA	35 NC @ 10 V	± 30V	1300 pf @ 300 V	-	130W (TC)
TK2R4E08QM, S1X	3.1800	RFQ	196	Semi-conducteur et stockage de Toshiba	U-mosx-h	Tube	Actif	175 ° C	Par le trou	À 220-3		MOSFET (Oxyde Métallique)		À 220	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)		EAR99	8541.29.0095	50			Canal n		80 V	120A (TC)	6v, 10v	2 44MOHM @ 50A, 10V	3,5 V @ 2,2MA	178 NC @ 10 V	± 20V	13000 PF @ 40 V	-	300W (TC)