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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT45W512KW16PEGA-70 IT TR | - |  | 1546 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 48-VFBGA | MT45W512KW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 8mbitons | 70 ns | Psram | 512k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT41K256M8DA-125 IT: K TR | 4.4332 | | 4174 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K256M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 13,75 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | - | ||
 | RC28F256J3C125SL7HE | - | | 1509 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | RC28F256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 860798 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 | Non volatile | 256mbitons | 125 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 125ns | ||
 | MT48LC4M16A2P-6 IT: G TR | - | | 6056 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
 | MT48LC16M16A2FG-75 IT: D TR | - | | 9090 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x14) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT48LC32M8A2P-75 IT: D | - | | 4244 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT53E768M32D4DT-053 AAT: E | 29.2650 | | 3286 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E768M32D4DT-053AAT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 768m x 32 | - | - | ||
 | MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES | - | | 9497 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT47H128M16RT-25E: C | 14.6300 | | 3 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H128M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (9x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 260 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT53D384M32D2DS-053 WT: E | - | | 7637 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | |||
 | MT46V32M8CY-5B: M TR | - | | 2246 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V32M8 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| MT53E256M32D2DS-053 WT: B | - | | 9091 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53E256M32D2DS-053WT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | |||
| MT29F64G08CBEBBL84A3WC1 | - | | 4381 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | Mourir | - | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | ||||||||
| MT47H32M16HW-25E AAT: G TR | - | | 8175 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H32M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT47H128M8CF-3: H TR | - | | 9737 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| MT52L256M64D2PD-107 WT ES: B TR | - | | 5348 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 216-FBGA (15x15) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | - | - | ||||
| MT47H512M8WTR-25E: C TR | - | | 8640 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 63-TFBGA | MT47H512M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 63-fbga (9x11,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 4 Gbit | 400 PS | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT46V16M16P-6T: F Tr | - | | 8959 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V16M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | Nand01gr3b2cza6e | - | | 6641 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-TFBGA | Nand01 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9,5x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -Nand01gr3b2cza6e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | Non volatile | 1 gbit | 25 ns | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | 25ns | ||
| M29f400ft5am62 | - | | 7474 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | M29F400 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 240 | Non volatile | 4mbbitons | 55 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 55ns | ||||
 | Mt25ql02gbb8e12-0sit | 34.7400 | | 6 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT25QL02 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 122 | 133 MHz | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT53E2G32D8QD-053 WT: E TR | - | | 9965 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 1 866 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | - | - | |||||||||
| MT62F1536M64D8EK-026 WT ES: B | 102.0600 | | 1696 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-026WTES: B | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 GX 64 | - | - | ||||||||
 | PC28F00AP33EFA | - | | 1659 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | AXCELL ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | PC28F00A | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 64-Easybga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | 52 MHz | Non volatile | 1 gbit | 95 ns | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | 95ns | ||
 | M29w320dt70n3f tr | - | | 9293 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W320 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MTFC32GAKAEJP-AIT TR | - | | 4995 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | - | 153-VFBGA (11,5x13) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | |||||
| Mtfc64gjtdn-it | - | | 2906 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc64 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | MMC | - | |||||
| EDF8164A3PM-GD-FD | - | | 6034 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDF8164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | ||||
| MT53D2G32D8QD-046 WT ES: E | - | | 5835 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D2G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | - | - | ||||||||
| MT62F2G64D8EK-023 WT: C TR | 90.4650 | | 4584 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WT: CTR | 2 000 | 4.266 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | - |
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