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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT52L768M32D3PU-107 WT ES: B TR | - |  | 5570 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 168-WFBGA | MT52L768 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 168-fbga (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 768m x 32 | - | - | |||
| MTFC128GBCAQTC-AIT | 57.6200 | | 7241 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MTFC128GBCAQTC-AIT | 1 520 | |||||||||||||||||||
| Mt52l4dbpg-dc tr | - | | 5527 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | MT52L4 | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | ||||||||||||||||||
| MT29F8T08ESLEEG4-QD: E | 211.8900 | | 4696 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F8T08ESLEEG4-QD: E | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E512M32D1NP-046 WT: B | 11.7600 | | 3507 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E512 | 200-WFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT53E512M32D1NP-046WT: B | 1 360 | ||||||||||||||
 | MT61M256M32JE-12 AAT: A | - | | 3865 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 180-TFBGA | MT61M256 | Sgram - gddr6 | 1,21V ~ 1,29 V | 180-FBGA (12x14) | télécharger | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 260 | 1,5 GHz | Volatil | 8 Gbit | Bélier | 256m x 32 | Parallèle | - | ||||||
 | MT58L256L36FS-10TR | 13.7700 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 66 MHz | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | |||
 | MT29F16G08CBACBWP-12: C Tr | - | | 5421 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F16G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | Parallèle | - | ||||
 | Mtfc4gmuea-wt | - | | 3181 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | |||||
 | M29w320dt70n6f tr | - | | 4615 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W320 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | N25W128A11EF740E | - | | 5385 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25W128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | - | ||||
| M29W160ET70ZS6F TR | - | | 1074 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W160 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 800 | Non volatile | 16mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 8, 1m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
| MT41K256M16HA-125 V: E TR | - | | 6318 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||
 | MT41K512M8RH-125 AIT: E TR | - | | 3050 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K512M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (9x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | - | ||
 | MT29F4G16ABBDAHC: D TR | - | | 6638 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 256m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | MT46V64M8CY-5B L: J TR | - | | 9901 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V64M8 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| MT29F2T08EELCHD4-QC: C | 41.9550 | | 2267 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-QC: C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT41K2G4RKB-107 C: N | - | | 9969 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K2G4 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT41K2G4RKB-107C: n | OBSOLÈTE | 1440 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 2G x 4 | Parallèle | 15NS | |||
 | Mtfc64gjvdn-3f wt | - | | 3268 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 169-LFBGA | Mtfc64 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-LFBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT29F2T08EMLCEJ4-R: C TR | - | | 5391 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-R: CTR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT29F64G08CBABAL84A3WC1 | - | | 9918 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | Mourir | - | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||||||
| MTFC128GAJAECE-AIT TR | - | | 2196 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 169-LFBGA | MTFC128 | Flash - Nand | - | 169-LFBGA (14x18) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT29F4G01ABBFD12-ITE: F | - | | 6045 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT29F4G01 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 122 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | ||||
| MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 | 16.7100 | | 5444 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F4G01ABBFDWB-IT: F | 4.2200 | | 8957 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-UDFN | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 920 | 83 MHz | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | |||
 | MT57W512H36JF-7.5 | 26.4100 | | 153 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - Synchrones, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 500 PS | Sram | 512k x 36 | Hstl | - | |||
| MT54V512H18EF-10 | 19.2500 | | 147 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | QDR ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | MT54V512 | Sram - Port Quad, synchrone | 2,4 V ~ 2,6 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 9mbitons | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | |||
| MT58L512L18FT-10 | 14.8300 | | 5 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volatil | 8mbitons | 10 ns | Sram | 512k x 18 | Parallèle | - | |||
| MT58L128V36P1F-5 | 7.7500 | | 103 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volatil | 4mbbitons | 2,8 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | |||
| MT55V512V32PT-7.5 | 17.3600 | | 551 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT55V512V | Sram - asynchrone, zbt | 2,375V ~ 3 465 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 4.2 ns | Sram | 512k x 32 | Parallèle | - |
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