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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT58L64L18FT-8.5 | 5.4600 |  | 12 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT58L64L18 | Sram - synchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatil | 1mbit | 8,5 ns | Sram | 64k x 18 | Parallèle | - | ||
| MT58L64L18PT-7.5 | 8.0800 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT58L64L18 | Sram | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 1mbit | 4.2 ns | Sram | 64k x 18 | Parallèle | - | ||
| MT58L512Y36DT-10 | 18.9400 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 18mbitons | 5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | |||
| MT58L64L32FT-10 | 3.7900 | | 3 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT58L64L32 | Sram | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 66 MHz | Volatil | 2mbitons | 10 ns | Sram | 64k x 32 | Parallèle | - | ||
 | MT57V512H36AF-7.5 | 17.3600 | | 41 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - synchrone | 2,4 V ~ 2,6 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 3,6 ns | Sram | 512k x 36 | Hstl | - | ||||||
 | MT54V1MH18EF-7.5 | - | | 4730 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | QDR® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - synchrone | 2,4 V ~ 2,6 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 3 ns | Sram | 1m x 18 | Hstl | - | ||||||
| MT58L128L32D1F-6 | 8.2200 | | 1583 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | MT58L128L32 | Sram | 3.135V ~ 3,6 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volatil | 4mbbitons | 3,5 ns | Sram | 128k x 32 | Parallèle | - | ||
 | MT40A4G4DVN-068H: E | - | | 8206 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A4G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT40A4G4DVN-068H: E | OBSOLÈTE | 210 | 1 467 GHz | Volatil | 16 Gbit | 27 ns | Drachme | 4G x 4 | Parallèle | - | |||
| MT40A4G4DVN-075H: E | - | | 8926 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A4G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT40A4G4DVN-075H: E | OBSOLÈTE | 210 | 1,33 GHz | Volatil | 16 Gbit | 27 ns | Drachme | 4G x 4 | Parallèle | - | |||
 | Mtfc32gazaqhd-aat | 19.0800 | | 1706 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 1 520 | 200 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT53E512M32D2NP-053 RS WT: E | - | | 9875 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E512 | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 1 360 | |||||||||||||||
| Mtfc32gazaqhd-it tr | 15.7800 | | 1150 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MTFC32GAZAQHD-ITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 200 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | EMMC | - | ||
 | MT53E512M64D4NW-046 IT: E TR | - | | 2182 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 432-VFBGA | MT53E512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 432-VFBGA (15x15) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT53E512M64D4NW-046IT: ETR | OBSOLÈTE | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | ||||
| MT53E512M64D2NW-046 IT: B Tr | - | | 7323 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | Support de surface | 432-VFBGA | MT53E512 | 432-VFBGA (15x15) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT53E512M64D2NW-046IT: BTR | 2 000 | ||||||||||||||
 | Mtfc32gazaqdw-aat | 19.0800 | | 2752 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MTFC32GAZAQDW-AAT | 980 | ||||||||||||||||||
| MT29F16G08ABECBM72A3WC1L | 26.7100 | | 4582 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F16G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | Tranche | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F16G08ABECBM72A3WC1L | 1 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | - | - | |||||
| MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C TR | 25.0350 | | 9834 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 557-MT29VZZZAD81SFSL-046W.22CTR | 1 | ||||||||||||||||||||
| Mtfc32gazaqhd-wt tr | 14.3400 | | 1213 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC32GAZAQHD-WTTR | 2 000 | 200 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
| MT29F8T08ESLEEG4-QB: E | 211.8900 | | 5592 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-mt29f8t08esleeg4-qb: e | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53E512M64D4HJ-046 WT: D | - | | 3117 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | - | 557-MT53E512M64D4HJ-046WT: D | OBSOLÈTE | 1 | ||||||||||||||||||||
 | MT53E512M16D1FW-046 AIT: D TR | 9.3750 | | 3734 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E512M16D1FW-046AIT: DTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 8 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 18n | |||||||
| MT53E512M32D2FW-046 AAT: D | 19.1100 | | 6041 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-MT53E512M32D2FW-046AAT: D | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| Mtfc256gaxauea-wt tr | 27.5700 | | 9228 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 153-WFBGA | Flash - Nand (SLC) | - | 153-WFBGA (11,5x13) | - | 557-mtfc256gaxauea-wttr | 2 000 | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | UFS | - | |||||||||
| MT53E2G64D8TN-046 AAT: A | 122.8500 | | 7137 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 556-LFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT: A | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 128 GBIT | 3,5 ns | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | 18n | |||||||
| MT29F8T08GULCEM4-QA: C | 156.3000 | | 4244 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F8T08GULCEM4-QA: C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F3G32D8DV-026 AAT ES: B TR | 163.3950 | | 1840 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-mt62f3g32d8dv-026aates: btr | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 3G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| Mt29f2t08emleej4-r: e tr | 42.9300 | | 4484 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 132-VBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,6V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-R: ETR | 2 000 | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | Parallèle | - | |||||||||
| MTFC128GASAQJP-AAT TR | 57.1950 | | 8045 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC128GASAQJP-AATTR | 2 000 | 200 MHz | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
| Mt29f8t08eulchd5-t: c tr | 167.8050 | | 6803 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-T: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 WT: C | 42.4500 | | 7309 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-MT53E2G32D4DE-046WT: C | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | 18n |
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