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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mt25qu128aba8esf-0sit | 4.4800 |  | 6 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT25QU128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1440 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | N25Q128A31EF840F TR | - | | 7390 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25Q128A31 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 4 000 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
 | MT46V32M16TG-6T: F Tr | - | | 2233 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT53B384M16D1NK-062 WT ES: B | - | | 3629 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 1,6 GHz | Volatil | 6gbit | Drachme | 384m x 16 | - | - | |||||
 | MT28F400B5SG-8 T TR | - | | 3459 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | MT28F400B5 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 4mbbitons | 80 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 80ns | |||
 | M29W128GSH70N6E | - | | 8387 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 128mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MT29F2T08ELLEEG7-QB: E | 52.9800 | | 3030 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F2T08ELLEEG7-QB: E | 1 | |||||||||||||||||||||
| M29W800DB70ZM6E | - | | 6512 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | M29W800 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | - | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 187 | Non volatile | 8mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT44K16M36RB-093E IT: A | - | | 1540 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K16M36 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 190 | 1 066 GHz | Volatil | 576mbit | 8 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | ||
 | MT47R64M16HR-25: H | - | | 4904 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47R64M16 | Sdram - ddr2 | 1,55 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | N25Q016A11ESC40G | - | | 6902 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | N25Q016A11 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-SOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 108 MHz | Non volatile | 16mbitons | Éclair | 4m x 4 | Pimenter | 8 ms, 1 ms | ||||
| MT53B1DATG-DC | - | | 6798 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 960 | Volatil | Drachme | ||||||||||||||||
 | Mtfc32gjved-4m it tr | - | | 2313 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 169-VFBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-VFBGA | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | |||||
 | Mt29f4g08aachc: c tr | - | | 3384 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT47H32M16HR-3: F | - | | 1167 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H32M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-1466 | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 512mbitons | 450 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | |
| MT46V64M8TG-6T: F Tr | - | | 5828 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V64M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | Mtfc32gapalna-aat | 34.6800 | | 760 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | - | 100-TBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT40A1G8SA-075: E TR | 6.0000 | | 9675 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A1G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,33 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT47H64M8B6-3: D TR | - | | 7809 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-fbga | MT47H64M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 512mbitons | 450 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| Mt29gz5a5bpgga-53ites.87J | - | | 4663 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 149-WFBGA | MT29GZ5A5 | Flash - Nand, dram - lpddr4 | 1,8 V | 149-WFBGA (8x9,5) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | 1866 MHz | Non volatile, volatile | 4Gbit (NAND), 4GBit (LPDDR4) | Flash, Bélier | 512m x 8 (NAND), 128m x 32 (LPDDR4) | Parallèle | - | ||||
| M58LT256KST7ZA6E | - | | 4120 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | M58LT256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-TBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | Non volatile | 256mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| ECF440AACCN-P2-Y3 | - | | 4163 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | ECF440 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | M29W640GL70ZF6E | - | | 6254 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-TBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT53B256M32D1DS-062 AUT: C | - | | 9439 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | |||
 | MT40A1G8WE-083E AUT: B | - | | 3739 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A1G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (8x12) | télécharger | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 900 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT40A2G8FSE-083E: A TR | - | | 3596 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (9,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 2G x 8 | Parallèle | - | |||
| MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR | - | | 2737 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | MT25QL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | EDB5432BEBH-1DAUT-FD | - | | 6487 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | EDB5432 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 680 | 533 MHz | Volatil | 512mbitons | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
 | MT46H16M32LFCM-6 IT: B Tr | - | | 4842 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT41K128M16JT-107 IT: K | 4.5806 | | 1667 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K128M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 368 | 933 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | - |
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