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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F4G16ABBDAHC-IT: D | - |  | 9194 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 140 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 256m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F64G08CBEFBWP: F | - | | 8075 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F64G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | Vendeur indéfini | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT53B4DBNQ-DC TR | - | | 8144 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | 200-VFBGA | MT53B4 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | Volatil | Drachme | ||||||||||
 | MT53D1G32D4NQ-053 WT ES: E TR | - | | 7320 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D1G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | ||||||||
| Mt46h32m32lfb5-5 à: b | - | | 5517 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
| EDF8164A3PK-GD-FD | - | | 1522 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | EDF8164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-FBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 680 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | ||||
 | MT48LC4M32LFB5-8: G | - | | 1619 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48LC4M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 3V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 125 MHz | Volatil | 128mbitons | 7 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| Mt48v4m32lff5-8: g | - | | 1387 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48V4M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 2,3V ~ 2,7 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 125 MHz | Volatil | 128mbitons | 7 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| MT53E128M32D2FW-046 AAT: A TR | 8.7450 | | 3095 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AAT: ATR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | M25p40-vmp6tgb tr | - | | 2167 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | M25p40 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 4 000 | 75 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
 | Mt58l64l32ft-10it | 4.4300 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 66 MHz | Volatil | 2mbitons | 10 ns | Sram | 64k x 32 | Parallèle | - | |||
 | MT46V16M8P-75: D TR | - | | 8425 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V16M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 750 PS | Drachme | 16m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| MT29F4G08ABADAH4: D | - | | 5540 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F256G08CKCABH2-12: A TR | - | | 3100 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | Mtfc128gajaece-aat | - | | 7374 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 169-LFBGA | MTFC128 | Flash - Nand | - | 169-LFBGA (14x18) | - | 1 (illimité) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
| MT42L32M16D1F-25 IT: A TR | - | | 9849 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 121-WFBGA | MT42L32M16 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 121-fbga (6,5x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||||
| MT62F1G64D4EK-023 FAAT: C TR | 94.8900 | | 3792 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | Parallèle | - | ||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT: C | 67.8450 | | 5012 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 556-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: C | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 mx 64 | - | - | ||||||||
 | M25p10-avmn3p / y | - | | 3931 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | M25P10 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 50 MHz | Non volatile | 1mbit | Éclair | 128k x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | ||||
| MT46V128M4TG-6T: F Tr | - | | 3259 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V128M4 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 128m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
| MT41K128M16V89C3WC1 | 5.6000 | | 1259 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT41K128M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 | Volatil | 2 gbit | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | - | ||||||||
 | MT46V32M16BN-75: C | - | | 6463 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | - | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 750 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| N25Q128A21BF840E | - | | 6945 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25Q128A21 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
 | Mtfc4gmvea-4m | - | | 3351 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | En gros | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | ||||
 | Edb5432bebh-1daut-fr tr | - | | 1602 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | EDB5432 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 512mbitons | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
| M58LR256KT70ZQ5F TR | - | | 4093 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 88-TFBGA | M58LR256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 88-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 66 MHz | Non volatile | 256mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 70ns | ||
 | MT49H32M18CSJ-25E IT: B | - | | 6589 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-fbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1 120 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
 | MT53E1G16D1FW-046 AIT: A TR | 14.5050 | | 4747 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-MT53E1G16D1FW-046AIT: ATR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | 18n | |||||||
| MT46V64M8P-6T: D TR | - | | 3106 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V64M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | - | Rohs3 conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT44K32M18RB-125E IT: A TR | - | | 1956 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K32M18 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 576mbit | 10 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - |
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