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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N25Q512A13GSF40F TR | - |  | 7606 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q512A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 108 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 128m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT53B384M64D4NK-053 WT ES: A | - | | 9425 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 366-WFBGA (15x15) | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 1 866 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - | |||||
 | MT53E256M32D2FW-046 AAT: B | 15.4950 | | 5679 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-MT53E256M32D2FW-046AAT: B | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 8 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | 18n | |||||||
 | Mt28f400b3wg-8 t | - | | 9883 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F400B3 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4mbbitons | 80 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 80ns | |||
| MT29F4G01ABBFDM70A3WC1 | 3.5200 | | 2794 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | |||||
 | MT53D384M32D2DS-046 AUT: C TR | - | | 4577 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | ||||
 | MT29F1G16ABBFAH4-IT: F | - | | 8002 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F1G16ABBFAH4-IT: F | 8542.32.0071 | 210 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | Mtfc128gajaece-it tr | - | | 8429 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 169-LFBGA | MTFC128 | Flash - Nand | - | 169-LFBGA (14x18) | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | MMC | - | |||||||
 | MT46H32M16LFBF-5 IT: C TR | 5.6600 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H32M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT53E2G32D8QD-046 WT: E TR | - | | 2290 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | - | - | |||||||||
| M29W200BB70N6E | - | | 2516 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W200 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 2mbitons | 70 ns | Éclair | 256k x 8, 128k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| Mt29f1g08abbeah4-itx: e tr | - | | 4943 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR | - | | 5260 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28FW512 | Flash - ni | 1,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 600 | Non volatile | 512mbitons | 105 ns | Éclair | 32m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
 | MT57W2MH8CF-6 | 28.3700 | | 5 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | MT57W2MH | Sram - synchrone | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Volatil | 18mbitons | Sram | 2m x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT47H128M8BT-37E: A | - | | 9793 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 92-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 92-FBGA (11x19) | télécharger | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 267 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT29F512G08EBLCEJ4-R: C | - | | 5085 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,6V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F512G08EBLCEJ4-R: C | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 1 120 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||||
 | MT48LC8M32LFB5-10 IT TR | - | | 3814 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48LC8M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 3V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | - | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 100 MHz | Volatil | 256mbitons | 7 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT53B256M32D1NP-062 WT: C | - | | 4184 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | |||||
 | MT28F320J3BS-11 Met | - | | 5900 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64-fbga | MT28F320J3 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32mbitons | 110 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | - | |||
 | Mt29f128g08aucbbh3-12it: b tr | - | | 3120 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 lbga (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT28F400B3WG-8 TET TR | - | | 9304 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F400B3 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4mbbitons | 80 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 80ns | |||
 | MT48H4M16LFB4-8 IT TR | - | | 8483 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 54-VFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 125 MHz | Volatil | 64mbitons | 6 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT48LC8M16A2P-7E IT: L TR | - | | 8885 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 14ns | ||
 | MT29F32G08CBCCBH1-12Z: C | - | | 5203 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 83 MHz | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | |||
| MT47H32M16NF-25E AUT: H | - | | 4469 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H32M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 368 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
 | MT29F256G08CJAAAWP: A | - | | 4452 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Q9135013 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F256G08AUCDBJ6-6: D | - | | 6885 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132 LBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132 LBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 166 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||
| Mt53d4darn-dc | - | | 4513 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Abandonné à sic | MT53D4 | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 008 | |||||||||||||||||||
| Mt52l4dagn-dc | - | | 4759 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | Boîte | Actif | MT52L4 | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 190 | ||||||||||||||||||
 | MT46H16M32LFCM-5 IT: B | - | | 5861 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 15NS |
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