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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mt53e2d1bcy-dc tr | 22.5000 |  | 2577 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT53E2 | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E2D1BCY-DCTR | 2 000 | |||||||||||||||||||
| MT40A512M8RH-062E: B Tr | - | | 4538 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A512M8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (9x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | - | |||
 | M29W640GH70ZA6E | - | | 9489 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 122 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| DC0232A-D | - | | 2349 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | - | - | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 900 | |||||||||||||||
 | MT40A512M16JY-083E AUT: B | - | | 8179 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A512M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 280 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | - | |||||
 | MT46V32M8P-6T: G TR | - | | 8461 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V32M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT29F2G08ABAGAWP-AIT: G TR | 2.5267 | | 9166 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F2G08ABAGAWP-AIT: GTR | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | 20 ns | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | 20ns | |||
 | MT58L256L32FS-8.5IT | 18.9100 | | 9504 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 8mbitons | 8,5 ns | Sram | 256k x 32 | Parallèle | - | |||
 | MT48LC16M16A2P-6A L: G | - | | 3368 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
 | MT53B512M32D2DS-062 AAT: C TR | - | | 3096 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | |||
| MT48LC2M32B2B5-6A AIT: J TR | - | | 2873 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | 12ns | ||
| Mt53d4dacr-dc tr | - | | 9643 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | - | MT53D4 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | Volatil | Drachme | ||||||||||||
| MT29F64G08AFAAAWP-IT: A TR | - | | 8234 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT55V512V32PT-6 | 17.3600 | | 230 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - zbt | 2 375V ~ 2 625V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volatil | 18mbitons | 3,5 ns | Sram | 512k x 32 | Parallèle | - | |||
| MT29C2G24MAABAKAML-5 | - | | 1525 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | MT29C2G24 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 153-VFBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 2gbit (nand), 1gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 128m x 16 (NAND), 32m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
 | MT53E512M64D4NW-046 IT: E | - | | 2179 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 432-VFBGA | MT53E512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 432-VFBGA (15x15) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT53E512M64D4NW-046IT: E | OBSOLÈTE | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | ||||
| MT40A8G4CLU-062H: E TR | 136.1250 | | 1464 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A8G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT40A8G4CLU-062H: ETR | 8542.32.0071 | 2 000 | 1,6 GHz | Non volatile | 32 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 8g x 4 | Parallèle | - | |||
 | MT29F128G08EBCDBJ4-37ES: D TR | - | | 9647 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 267 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | |||||
 | N25Q128A11ESF40G | - | | 5355 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q128A11 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-1573-5 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 225 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||
| MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR | - | | 7005 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 162-VFBGA | MT29RZ4B2 | Flash - Nand, dram - lpddr2 | 1,8 V | 162-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 533 MHz | Non volatile, volatile | 4Gbit (nand), 2Gbit (LPDDR2) | Flash, Bélier | 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDDR2) | Parallèle | - | |||
| MT42L128M64D4KJ-3 IT: A | - | | 2555 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-VFBGA | MT42L128M64 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 216-FBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F32G08ABABH1-10: A | - | | 8425 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT49H32M18CBM-18: B TR | - | | 3504 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
 | MT49H32M9FM-25 TR | - | | 8921 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H32M9 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 32m x 9 | Parallèle | - | ||
| Mt53e4dcdt-dc tr | 22.5000 | | 6155 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT53E4 | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E4DCDT-DCTR | 2 000 | |||||||||||||||||||
| MT29F32G08AECBBH1-12iT: B | - | | 2083 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | ||||
| Mtfc64gasaons-ait | 37.6950 | | 7651 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q104 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC64GASAONS-AIT | 1 | 52 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| MT46H64M16LFBF-5 AAT: B | - | | 9716 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H64M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 782 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
| MT46H64M32LFCX-5 AIT: B TR | - | | 7233 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
| M29f200ft5am6f2 tr | - | | 6118 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | M29F200 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 2mbitons | 55 ns | Éclair | 256k x 8, 128k x 16 | Parallèle | 55ns |
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