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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
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![]() | MTFC128GAOANAM-WT TR | - | ![]() | 6076 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | MTFC128 | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 000 | |||||||||||||||||||
![]() | MT28FW01GABA1HPC-0AAT TR | - | ![]() | 1276 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | MT28FW01 | Flash - ni | 1,7 V ~ 3,6 V | 64 LBGA (11x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 600 | Non volatile | 1 gbit | 105 ns | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
![]() | Rc28f640j3f75b tr | - | ![]() | 3240 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | RC28F640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-Easybga (10x13) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | Non volatile | 64mbitons | 75 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 75ns | |||
![]() | MT47H64M16NF-25E AIT: M | 3.8743 | ![]() | 1932 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 368 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
MT53D512M64D4NZ-053 WT: D TR | - | ![]() | 3238 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 376-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 376-WFBGA (14x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | ||||
![]() | Mtfc64gbcaqtc-wt tr | 24.5000 | ![]() | 6449 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MTFC64GBCAQTC-WTTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F256G08CKCABH2-10: A | - | ![]() | 9500 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT29TZZZ5D6DKFRL-093 W.9A6 | 50 9250 | ![]() | 1430 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | Mt29tzzz5 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT29TZZZ5D6DKFRL-093W.9A6 | 0000.00.0000 | 1 520 | ||||||||||||||||
![]() | M25px64s-vmf6p | - | ![]() | 5519 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | M25px64 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 225 | 75 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | ||||
![]() | MT42L128M32D1LH-25 WT: A TR | - | ![]() | 1739 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-ufbga | MT42L128M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 216-FBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | MT29F16T08GWLCEM5: C | 312.5850 | ![]() | 3945 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F16T08GWLCEM5: C | 1 | |||||||||||||||||||||
MT53E1G32D2FW-046 AUT: A | 37.7850 | ![]() | 2806 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-MT53E1G32D2FW-046aut: A | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | 18n | |||||||||
![]() | MT53E384M32D2DS-046 AIT: E TR | - | ![]() | 1943 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E384M32D2DS-046AIT: ETR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | ||
![]() | MT29F1G08ABBFAH4-AAT: F Tr | 2.9665 | ![]() | 4711 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT: FTR | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 1 gbit | 25 ns | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | 25ns | |||
MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT | - | ![]() | 3526 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 1gbit (nand), 512mbit (lpdram) | Flash, Bélier | 64m x 16 (NAND), 32m x 16 (LPDRAM) | Parallèle | - | |||||
![]() | MT29F1T08GBLBEJ4: B | - | ![]() | 2667 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F1T08GBLBEJ4: B | OBSOLÈTE | 1 120 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | Parallèle | ||||||||
![]() | MT53B192M64D2SG-062 WT ES: A TR | - | ![]() | 9982 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B192 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 1,6 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 192m x 64 | - | - | |||||
![]() | MT62F2G64D8EK-026 AIT: B Tr | 114.9600 | ![]() | 2637 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-mt62f2g64d8ek-026ait: btr | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | MT46H64M16LFBF-5 AAT: B | - | ![]() | 9716 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H64M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 782 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | MT49H32M18CBM-18: B TR | - | ![]() | 3504 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
![]() | Mtfc64gasaons-ait | 37.6950 | ![]() | 7651 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q104 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-MTFC64GASAONS-AIT | 1 | 52 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | MT29F32G08AECBBH1-12iT: B | - | ![]() | 2083 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT46H64M32LFCX-5 AIT: B TR | - | ![]() | 7233 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
MT29F1G08ABAEAWP-AITX: E TR | 2.4831 | ![]() | 2734 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | Mt25qu256aba8esf-msit tr | - | ![]() | 8076 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | Mt25qu256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
![]() | MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J | - | ![]() | 8869 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | MT29VZZZBD8 | - | Rohs3 conforme | 557-MT29VZZZBD8FQKSM-046W.G8J | OBSOLÈTE | 152 | ||||||||||||||||||
![]() | M28W320FCB70ZB6F TR | - | ![]() | 3858 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 47-TFBGA | M28W320 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 47-TFBGA (6.39x6.37) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | MT53D384M32D2DS-053 AAT ES: C TR | - | ![]() | 4598 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 1 866 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | ||||
![]() | MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR | - | ![]() | 1932 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-VFBGA | MT28EW128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-VFBGA (7x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 128mbitons | 95 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
![]() | MT47H32M16BN-37E IT: D tr | - | ![]() | 7565 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H32M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (10x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 267 MHz | Volatil | 512mbitons | 500 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS |
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