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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT29F128G08CFABBWP-12: B Tr	-	RFQ	4025	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT41K128M8DA-107 IT: J TR	5.1300	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K128M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 000	933 MHz	Volatil	1 gbit	20 ns	Drachme	128m x 8	Parallèle	-
MT53E384M32D2DS-053 WT: E	12.3100	RFQ	7534	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53E384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT53E384M32D2DS-053WT: E	EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	-	-
MT41J256M16RE-15E IT: D	-	RFQ	6730	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41J256M16	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-FBGA (10x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	667 MHz	Volatil	4 Gbit	13,5 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
MT29F1T08EELCEJ4-R: C TR	-	RFQ	6064	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F1T08	Flash - Nand (TLC)	2,7 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT29F1T08EELCEJ4-R: CTR	OBSOLÈTE	8542.32.0071	2 000		Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
RC48F4400P0VB00A	-	RFQ	3367	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	64 TBGA	RC48F4400	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (8x10)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	144	52 MHz	Non volatile	512mbitons	85 ns	Éclair	32m x 16	Parallèle	85ns
MT41K1G4THV-125: M	-	RFQ	8723	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K1G4	Sdram - ddr3	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	4 Gbit	13,75 ns	Drachme	1g x 4	Parallèle	-
M29DW127G70ZA6E	-	RFQ	5717	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	M29DW127	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-TBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	136		Non volatile	128mbitons	70 ns	Éclair	16m x 8, 8m x 16	Parallèle	70ns
Mt29f2g16abagawp-aates: g tr	5.4935	RFQ	3042	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F2G16	Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT29F2G16ABAGAWP-AATES: GTR		0000.00.0000	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	128m x 16	Parallèle	-
JS28F320J3D75E	-	RFQ	3804	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JS28F320J3	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	576		Non volatile	32mbitons	75 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	75ns
MT48LC4M16A2B4-75 IT: G TR	-	RFQ	9116	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC4M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	15NS
MT29F128G08CFAAAWP-ITZ: A	-	RFQ	7063	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	960		Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT58L128L32P1F-7.5	7.5200	RFQ	420	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	165-TBGA		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	165-fbga (13x15)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volatil	4mbbitons	4 ns	Sram	128k x 32	Parallèle	-
Mt40a2g8va-062e: b tr	-	RFQ	7444	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A2G8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (10x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT40A2G8VA-062E: BTR	EAR99	8542.32.0036	2 000	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit	19 ns	Drachme	4G x 4	Parallèle	15NS
Edfa164a2pb-jd-fr tr	-	RFQ	6800	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	EDFA164	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	933 MHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	256m x 64	Parallèle	-
MT53B1024M64D8PM-062 WT: D	-	RFQ	4036	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 190	1,6 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	-	-
M29w128gl70zs3f tr	-	RFQ	8546	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	M29W128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 800		Non volatile	128mbitons	70 ns	Éclair	16m x 8, 8m x 16	Parallèle	70ns
Rc28f256p30bfa	-	RFQ	7175	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	RC28F256	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0051	864	52 MHz	Non volatile	256mbitons	100 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	100ns
MT62F512M64D4EK-031 AIT: B	29.6100	RFQ	9303	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	-	441-TFBGA (14x14)	-				557-mt62f512m64d4ek-031ait: b			1	3,2 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	Parallèle	-
M25p40-vmn6pb	-	RFQ	6378	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur)	M25p40	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-1583-5	EAR99	8542.32.0071	2 000	75 MHz	Non volatile	4mbbitons		Éclair	512k x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
MT29F2G08ABBEAH4-IT: E	-	RFQ	7027	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
MT41K128M16JT-107 IT: K TR	6.4300	RFQ	3	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K128M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	933 MHz	Volatil	2 gbit	20 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	-
MT62F1G64D4EK-023 WT ES: B	45.6900	RFQ	6406	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT62F1G64D4EK-023WTES: B			1
MTFC8GLWDQ-3L AIT A	-	RFQ	9014	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga	Mtfc8	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 lbga (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MTFC8GLWDQ-3LAITA	OBSOLÈTE	8542.32.0071	1		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
MTFC64GAZAOTD-AIT	33.5100	RFQ	1489	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MTFC64GAZAOTD-AIT			1
MTFC256GASAONS-AIT TR	92.5800	RFQ	9619	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MTFC256GASAONS-AITTR			2 000
Mtfc16gakaeef-aat tr	-	RFQ	5901	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	169-TFBGA	Mtfc16	Flash - Nand	-	169-TFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	MMC	-
MT61K512M32KPA-14C: B	-	RFQ	8000	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	180-TFBGA	MT61K512	Sgram - gddr6	1,31V ~ 1 391V	180-FBGA (12x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		557-MT61K512M32KPA-14C: B	OBSOLÈTE		1 260	7 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32		-
Mtfc16glxdv-wt tr	-	RFQ	1666	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	Mtfc16g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	MMC	-
MT58L256L18P1T-10	6.4000	RFQ	1	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volatil	4mbbitons	5 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-

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