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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
M28W320FCT70N6F TR	-	RFQ	6227	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M28W320	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500		Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	2m x 16	Parallèle	70ns
Mt53b2dbnp-dc tr	-	RFQ	4159	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	200-WFBGA		SDRAM - MOBILE LPDDR4		200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000		Volatil			Drachme
PC28F064M29EWTX	-	RFQ	7493	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	PC28F064	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	184		Non volatile	64mbitons	60 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	60ns
Mt29f16t08gwlcem5: c tr	312.5850	RFQ	9743	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT29F16T08GWLCEM5: CTR			1 500
MT48H32M16LFB4-6 IT: C	7.0600	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48H32M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 560	166 MHz	Volatil	512mbitons	5 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT46H64M32LFCX-48 IT: B Tr	-	RFQ	3261	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H64M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (9x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	208 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	14.4NS
MT61K512M32KPA-14: B	-	RFQ	9640	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	180-TFBGA	MT61K512	Sgram - gddr6	1,31V ~ 1 391V	180-FBGA (12x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 260	7 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	Parallèle	-
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES: B Tr	-	RFQ	1328	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	1,6 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT29F128G08CBEABH6-12: A TR	-	RFQ	9322	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	152-VBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	152-VBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT62F3G32D8DV-023 FAAT: B TR	94.8300	RFQ	8780	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C	-	-		Sdram - mobile lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023FAAT: BTR			2 000	4.266 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	3G x 32	Parallèle	-
MT62F1G64D4EK-023 AIT: B	58.0650	RFQ	4296	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	441-TFBGA (14x14)	-				557-mt62f1g64d4ek-023ait: b			1	4.266 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	Parallèle	-
MT48LC16M16A2FG-7E: D	-	RFQ	1631	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x14)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	14ns
Mtfc4gmvea-1m wt	-	RFQ	5700	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	En gros	Abandonné à sic	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-WFBGA	Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-WFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y TR	49.5750	RFQ	3933	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs3 conforme			557-MT29VZZZCD91SKSM-046W.17YTR			1
JS28F256M29EWHB TR	-	RFQ	1297	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JS28F256M29	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 600		Non volatile	256mbitons	110 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	110ns
M58LT128KSB8ZA6F TR	-	RFQ	1059	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	M58LT128	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-TBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 500	52 MHz	Non volatile	128mbitons	85 ns	Éclair	8m x 16	Parallèle	85ns
MT41K256M16HA-125: E	-	RFQ	4756	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K256M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	4 Gbit	13,75 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
N25Q032A13EV140	-	RFQ	5949	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	N25Q032A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	108 MHz	Non volatile	32mbitons		Éclair	8m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT47H32M16HR-25E AIT: G	-	RFQ	4299	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H32M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 000	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT46V16M16P-6T: F	-	RFQ	4432	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V16M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
M36L0R7050B4ZAQE	-	RFQ	8877	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète				M36L0R7050				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	253
MT29F4T08EULEEM4-QJ: E TR	105.9600	RFQ	7278	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT29F4T08EULEEM4-QJ: ETR			2 000
MT62F2G64D8EK-023 AIT: C	114.9600	RFQ	6463	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-mt62f2g64d8ek-023ait: c			1
Nand512w3a2sza6f tr	-	RFQ	3465	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-TFBGA	NAND512	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500		Non volatile	512mbitons	50 ns	Éclair	64m x 8	Parallèle	50ns
MT48LC8M8A2P-6A: J TR	-	RFQ	9905	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC8M8A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 000	167 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 8	Parallèle	12ns
MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213	21.6407	RFQ	8659	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif								-				557-MT29VZZZAD9GUFSM-046W.213			1 520
MT62F3G32D8DV-023 WT: B	67.8450	RFQ	1304	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-		Sdram - mobile lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023WT: B			1	4.266 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	3G x 32	Parallèle	-
MT53E1G64D8NW-053 WT: E	-	RFQ	6939	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53E1G64	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 190	1 866 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	-	-
MT46H128M16LFDD-48 AIT: C	-	RFQ	3228	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H128M16	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 782	208 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	14.4NS
M25p80-VMW6TGBA TR	-	RFQ	2843	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	M25P80	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-So W	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 500	75 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms

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Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Mémoire (10402)

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30 000 000

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15 000 m2

15 000 m²