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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
Mt29f4g08abadawp: D tr	5.6000	RFQ	6	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F4G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
MT46H64M32LFMA-5 IT: A TR	-	RFQ	7409	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-WFBGA	MT46H64M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	168-WFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	200 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
MT48H32M16LFB4-6 AT: C	-	RFQ	8860	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48H32M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 560	166 MHz	Volatil	512mbitons	5 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT62F2G64D8EK-026 WT: B TR	90.4650	RFQ	9963	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F2G64D8EK-026WT: BTR			2 000	3,2 GHz	Volatil	128 GBIT		Drachme	2G x 64	Parallèle	-
MT48LC8M8A2P-7E: G	-	RFQ	2426	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC8M8A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 8	Parallèle	14ns
MT28F004B3VG-8 BET TR	-	RFQ	6630	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	40-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F004B3	Flash - ni	3V ~ 3,6 V	40 TSOP I	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8	Parallèle	80ns
M29W640GH70NA6F TR	-	RFQ	4650	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	70ns
MT28F800B5SG-8 BET	-	RFQ	1154	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	MT28F800B5	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	500		Non volatile	8mbitons	80 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	80ns
MT48V8M32LFB5-10	-	RFQ	6315	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48V8M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	2,3V ~ 2,7 V	90-VFBGA (8x13)	-	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	100 MHz	Volatil	256mbitons	7 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
EDFP112A3PF-JD-FD	-	RFQ	3309	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	EDFP112	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	933 MHz	Volatil	24gbit		Drachme	192m x 128	Parallèle	-
MT29F1T08CMHBBJ4-3R: B TR	-	RFQ	7184	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F1T08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	333 MHz	Non volatile	1 tbit		Éclair	128g x 8	Parallèle	-
MT47R256M4CF-3: H	-	RFQ	747	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	MT47R256M4	Sdram - ddr2	1,55 V ~ 1,9 V	60-fbga (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	333 MHz	Volatil	1 gbit	450 PS	Drachme	256m x 4	Parallèle	15NS
M29W800DB70N6	-	RFQ	8386	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W800	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	96		Non volatile	8mbitons	70 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	70ns
MT48LC16M16A2B4-6A AAT: G TR	-	RFQ	1525	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 000	167 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	12ns
MT41K1G8SN-125 IT: A	-	RFQ	6829	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K1G8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (9x13.2)	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 020	800 MHz	Volatil	8 Gbit	13,75 ns	Drachme	1g x 8	Parallèle	-
Nand04gw3b2dn6e	-	RFQ	8672	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	Nand04g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-Nand04gw3b2dn6e	3A991B1A	8542.32.0071	576		Non volatile	4 Gbit	25 ns	Éclair	512m x 8	Parallèle	25ns
MT29F1G16ABBEAHC-AIT: E TR	-	RFQ	1728	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	1 gbit		Éclair	64m x 16	Parallèle	-
MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 TR	-	RFQ	1992	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif				MT29VZZZ7				-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 000
MT29F4G01ABAFD12-AATES: F Tr	-	RFQ	3275	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	24 TBGA	MT29F4G01	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	4G x 1	Pimenter	-
M58LR256KB70ZC5F TR	-	RFQ	5076	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	79-VFBGA	M58LR256	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	79-VFBGA (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	66 MHz	Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	70ns
MT29F4G16AACWC-ET: C TR	-	RFQ	4719	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F4G16	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	256m x 16	Parallèle	-
MT46V256M4TG-6T: A TR	-	RFQ	9169	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V256M4	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	5 (48 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	167 MHz	Volatil	1 gbit	700 PS	Drachme	256m x 4	Parallèle	15NS
Mt29rz4c4dzzmgmf-18 w.80u tr	-	RFQ	3056	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète				MT29RZ4				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000
MT46H16M16LFBF-6: H TR	-	RFQ	8476	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H16M16	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	166 MHz	Volatil	256mbitons	5 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	12ns
MT48H8M32LFB5-75 à: H	-	RFQ	6325	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48H8M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
MT29E1T208ECHBBJ4-3: B Tr	-	RFQ	4305	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29E1T208	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	1,125 tbit		Éclair	144g x 8	Parallèle	-
MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR	-	RFQ	4554	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	MT25QL01	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 500	133 MHz	Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT53D768M64D4SQ-046 WT: A TR	-	RFQ	1530	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D768	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-	Rohs3 conforme		Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	2.133 GHz	Volatil	48gbit		Drachme	768m x 64	-	-
MT41J256M16HA-107: E TR	-	RFQ	7618	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41J256M16	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
MT53D512M64D4NW-046 WT: F Tr	-	RFQ	4102	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète								-				557-MT53D512M64D4NW-046WT: FTR	OBSOLÈTE		1 000

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
2800+
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Mémoire (10402)

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30 000 000

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15 000 m2

15 000 m²