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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
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MT53E512M16D1FW-046 AAT: D TR | 10.3200 | ![]() | 6137 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E512M16D1FW-046AAT: DTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 8 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 18n | ||||||||
MT40A512M16JY-083E AUT: B | - | ![]() | 8179 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A512M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 280 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | - | ||||||
![]() | MT47H128M8SH-25E: M | - | ![]() | 1198 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 518 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | Mt53e2d1bcy-dc tr | 22.5000 | ![]() | 2577 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT53E2 | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E2D1BCY-DCTR | 2 000 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29F512G08CMEABH7-12: A | - | ![]() | 5512 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT29F1G16ABBFAH4-IT: F Tr | - | ![]() | 8353 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F1G16ABBFAH4-IT: FTR | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | - | ||||
MT46H16M16LFBF-6 IT: H TR | - | ![]() | 6141 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H16M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 256mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 12ns | |||
![]() | Mtfc4gmtea-4m it tr | - | ![]() | 2750 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | |||||
![]() | BK58F0094HVX000A | - | ![]() | 6560 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | - | - | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 270 | |||||||||||||||
MT48H16M32L2F5-10 IT TR | - | ![]() | 4806 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 100 MHz | Volatil | 512mbitons | 7,5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
![]() | DC0232A-D | - | ![]() | 2349 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | - | - | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 900 | |||||||||||||||
![]() | MT46V64M8P-6T IT: F Tr | - | ![]() | 3320 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V64M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
MT29F4G16ABAEAWP: E | - | ![]() | 2871 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 256m x 16 | Parallèle | - | |||||
![]() | MTFC4GLGDM-AIT Z TR | - | ![]() | 9395 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-TFBGA | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | ||||
Mt29f2g08abagawp-aates: g tr | 5.4935 | ![]() | 2519 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT29F2G08ABAGAWP-AATES: GTR | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | MT53D512M64D8HR-053 WT: B | - | ![]() | 5920 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 366-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 366-WFBGA (12x12.7) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | |||
![]() | MT45W1MW16BABB-706 WT TR | - | ![]() | 3345 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 54-VFBGA | MT45W1MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 000 | Volatil | 16mbitons | 70 ns | Psram | 1m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
MT29F2G16ABAGAWP-AAT: G | 3.8700 | ![]() | 8986 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G16 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F2G16ABAGAWP-AAT: G | 1 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 128m x 16 | Parallèle | - | ||||||
![]() | MT40A1G16TB-062E IT: F | 14.9550 | ![]() | 8827 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A1G16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT40A1G16TB-062EIT: F | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | 15NS | |
![]() | MT41J256M8DA-093: K TR | - | ![]() | 9579 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41J256M8 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 78-fbga (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1 066 GHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | - | ||
![]() | MT29F512G08EBLEEEEJ4-QJ: E TR | 13.2450 | ![]() | 7551 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ: ETR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46V32M8P-6T: G TR | - | ![]() | 8461 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V32M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT48LC16M16A2B4-6A: G TR | 5.6850 | ![]() | 3654 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 000 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
![]() | MT61K512M32KPA-14: C TR | 25.3500 | ![]() | 9725 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 180-TFBGA | Sgram - gddr6 | 1 3095V ~ 1 3905V | 180-FBGA (12x14) | - | 557-MT61K512M32KPA-14: CTR | 2 000 | 7 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | Pod_135 | - | ||||||||
![]() | MT52L256M32D1PD-107 WT ES: B TR | - | ![]() | 6423 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | |||
![]() | MTC4C10163S1SC56BG1 | 50 6850 | ![]() | 4685 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MTC4C10163S1SC56BG1 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT58L256V36PS-6 TR | 5.9800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 166 MHz | Volatil | 8mbitons | 3,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | |||
MT41K128M16JT-17: K | - | ![]() | 3188 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K128M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 368 | Volatil | 2 gbit | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | - | ||||||
![]() | Mt29f1g16abbeah4: e tr | - | ![]() | 9086 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | - | ||||
![]() | EDB4064B4PB-1DIT-FR | - | ![]() | 8793 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | EDB4064 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-WFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 64m x 64 | Parallèle | - |
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