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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
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![]() | N25q064a13esf41f tr | - | ![]() | 1407 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q064A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 108 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 16m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
![]() | MT29F2T08EMLEEJ4-QA: E TR | 52.9800 | ![]() | 5101 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QA: ETR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
MT53D512M64D4NW-062 WT ES: D | - | ![]() | 7879 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 432-VFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 432-VFBGA (15x15) | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 1,6 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | ||||||
![]() | MT29F64G08CBAAAL74A3WC1 | - | ![]() | 3547 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | MT52L512M64D4GN-107 WT: B TR | - | ![]() | 6407 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 256-WFBGA | MT52L512 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 256-FBGA (14x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | |||
MT46H64M16LFBF-5 IT: B Tr | 8.6500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H64M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | MT29F256G08CECBBH6-6ITR: B | - | ![]() | 4233 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 152-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT29F4G08AAAWP: A TR | - | ![]() | 7666 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MTFC32GAKAEDQ-AIT TR | - | ![]() | 7516 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | Mtfc32g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 lbga (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MTFC32GAKAEDQ-AITTR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | |||
![]() | Mt53d4dbfl-dc | - | ![]() | 4431 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Abandonné à sic | MT53D4 | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR | - | ![]() | 9004 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT29C8G96 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 8gbit (nand), 4gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 1g x 8 (nand), 128m x 32 (lpdram) | Parallèle | - | ||||
![]() | EDF8164A3MD-GD-FR | - | ![]() | 1529 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDF8164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | |||||
![]() | MT62F1G64D8CH-031 WT: B | 37.2450 | ![]() | 9208 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT62F1G64 | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT62F1G64D8CH-031WT: B | 1 190 | 3,2 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | - | - | ||||
![]() | M25pe20-vmp6tg tr | - | ![]() | 7188 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | M25PE20 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 4 000 | 75 MHz | Non volatile | 2mbitons | Éclair | 256k x 8 | Pimenter | 15 ms, 3 ms | |||
![]() | MT40A1G8Z11BWC1 | 9.0100 | ![]() | 9552 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | - | Support de surface | Mourir | MT40A1G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | Tranche | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | - | ||||
![]() | MT60B1G16HC-48B: A | 16.5750 | ![]() | 5069 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 102-VFBGA | Sdram - ddr5 | - | 102-VFBGA (9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-48B: A | 1 | 2,4 GHz | Volatil | 16 Gbit | 16 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | - | |||||||
![]() | M29W064FT70N3E | - | ![]() | 9080 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W064 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | MT29F256G08CMCGBJ4-37R: G TR | - | ![]() | 4916 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT29F256G08CMCGBJ4-37R: GTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 267 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | MT46V32M16TG-75 L: C TR | - | ![]() | 5372 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | - | Rohs non conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 750 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT55L256V36PT-7.5TR | 14.4200 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | Sram - zbt | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volatil | 8mbitons | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Parallèle | - | |||
![]() | MT53E256M32D2DS-046 AAT: B | 20.8700 | ![]() | 1313 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E256M32D2DS-046AAT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | ||
![]() | MT29F16T08GSLCEM9-QB: C TR | 312.5850 | ![]() | 8924 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F16T08GSLCEM9-QB: CTR | 1 500 | |||||||||||||||||||||
![]() | MTFC128GAJAECE-5M AIT | - | ![]() | 9927 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 169-LFBGA | MTFC128 | Flash - Nand | - | 169-LFBGA (14x18) | - | 1 (illimité) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MTFC128GAOANAM-WT TR | - | ![]() | 6076 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | MTFC128 | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 000 | |||||||||||||||||||
![]() | MT28FW01GABA1HPC-0AAT TR | - | ![]() | 1276 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | MT28FW01 | Flash - ni | 1,7 V ~ 3,6 V | 64 LBGA (11x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 600 | Non volatile | 1 gbit | 105 ns | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
![]() | Rc28f640j3f75b tr | - | ![]() | 3240 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | RC28F640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-Easybga (10x13) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | Non volatile | 64mbitons | 75 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 75ns | |||
![]() | MT29F256G08CMCBBH2-10: B TR | - | ![]() | 8500 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | M58WR032KB70ZB6E | - | ![]() | 8696 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-VFBGA | M58WR032 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 56-VFBGA (7.7x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 336 | 66 MHz | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 16 | Parallèle | 70ns | ||
![]() | MT47H64M16NF-25E AIT: M | 3.8743 | ![]() | 1932 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 368 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT29VZZZ7D7DQKWL-062 W.97Y TR | - | ![]() | 9235 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | MT29VZZZ7 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 |
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