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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y TR	49.5750	RFQ	3933	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-	Rohs3 conforme			557-MT29VZZZCD91SKSM-046W.17YTR			1
MT29F128G08AJAAAWP-IT: A TR	-	RFQ	6854	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT29F1G08ABAFAH4-ITE: F	-	RFQ	9994	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Parallèle	-
MT47H32M16HR-25E AIT: G	-	RFQ	4299	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H32M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 000	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT62F1G64D4EK-023 AIT: B	58.0650	RFQ	4296	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	1,05 V	441-TFBGA (14x14)	-				557-mt62f1g64d4ek-023ait: b			1	4.266 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	Parallèle	-
N25Q128A11B1241F TR	-	RFQ	4414	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	N25Q128A11	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT48LC8M8A2P-6A: J TR	-	RFQ	9905	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC8M8A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	2 000	167 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 8	Parallèle	12ns
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P TR	-	RFQ	7999	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F16G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	16 Gbit		Éclair	2G x 8	Parallèle	-
MTFC32GASAONS-AIT	21.1800	RFQ	9495	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q104	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	153-TFBGA		Flash - Nand (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	153-TFBGA (11,5x13)	-				557-MTFC32GASAONS-AIT			1	52 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	UFS2.1	-
M58LR256KB70ZC5F TR	-	RFQ	5076	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	79-VFBGA	M58LR256	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	79-VFBGA (9x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	66 MHz	Non volatile	256mbitons	70 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	70ns
MT41K512M16TNA-107: E	-	RFQ	8581	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K512M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (10x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 16	Parallèle	-
MT29F4T08EMLCHD4-QC: C	83.9100	RFQ	7640	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F4T08EMLCHD4-QC: C			1
MT53E128M16D1DS-053 AIT: A	-	RFQ	9219	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)			MT53E128	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		Mt53e128m16d1ds-053ait: a	OBSOLÈTE		1 360	1 866 GHz	Volatil	2 gbit		Drachme	128m x 16	-	-
MT47H64M8CB-5E: B	-	RFQ	6191	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-fbga	MT47H64M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga	télécharger	Rohs3 conforme	5 (48 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	2 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	600 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
Nand128w3a2bn6f tr	-	RFQ	3759	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	NAND128	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500		Non volatile	128mbitons	50 ns	Éclair	16m x 8	Parallèle	50ns
MT62F3G32D8DV-023 AIT: B	86.2050	RFQ	6007	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-mt62f3g32d8dv-023ait: b			1
MT29C4G96MAZBACJG-5 WT TR	-	RFQ	1173	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-VFBGA	MT29C4G96	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 4gbit (lpdram)		Flash, Bélier	256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7	-	RFQ	3261	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète								-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 520
M29W400BB90N6	-	RFQ	3927	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W400	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	96		Non volatile	4mbbitons	90 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	90ns
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT	-	RFQ	2921	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-VFBGA	MT29C8G96	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,9 V	168-VFBGA (12x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 008	208 MHz	Non volatile, volatile	8gbit (nand), 4gbit (lpdram)		Flash, Bélier	512m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
MT53B4DCNK-DC TR	-	RFQ	2188	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	366-WFBGA	MT53B4	SDRAM - MOBILE LPDDR4		366-WFBGA (15x15)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 000		Volatil			Drachme
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2	-	RFQ	8086	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F1G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Non volatile	1 gbit		Éclair	64m x 16	Parallèle	-
MT25QL128ABB1EW7-CSIT	-	RFQ	7252	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-WDFN	MT25QL128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-WPDFN (6x5) (MLP8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-791-MT25QL128ABB1EW7-CSIT	3A991B1A	8542.32.0071	2 940	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT29F64G08EBAAAWP-Z: A TR	-	RFQ	2252	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
Mt29f2t08emlkem4-itf: k	64.8000	RFQ	3384	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-mt29f2t08emlkem4-itf: k			1
MT29F2G08ABAEAH4-AITX: E TR	5.1300	RFQ	642	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
Mtfc4gmvea-1m wt	-	RFQ	5700	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	En gros	Abandonné à sic	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-WFBGA	Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-WFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
MTFC32GASAQHD-AIT	17.4000	RFQ	1435	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-VFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-VFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté				1 520	200 MHz	Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	EMMC	-
M25PE80-VMP6G	-	RFQ	8340	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	M25PE80	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-VFQFPN (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	490	75 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Pimenter	15 ms, 3 ms
MT48LC16M16A2FG-7E: D	-	RFQ	1631	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x14)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	14ns

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Mémoire (10402)

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30 000 000

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15 000 m2

15 000 m²