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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT41K256M16HA-125 XIT: E TR | - |  | 9742 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||
| MT53E512M32D2FW-046 AUT: D | - | | 4416 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AUT: D | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | 18n | |||||||
 | MT47H64M8B6-25: D TR | - | | 8921 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-fbga | MT47H64M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D | - | | 6059 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | MT29VZZZBD8 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 520 | |||||||||||||||||
 | MT29F128G08CECDBJ4-6R: D TR | - | | 5317 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 166 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT29F64G08CBBH1-10: B TR | - | | 1687 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 100 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||
 | RC28F256J3F95A | - | | 8760 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | RC28F256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 864 | Non volatile | 256mbitons | 95 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 95ns | |||
| MT53E4G32D8GS-046 AIT: C | 109.4700 | | 6034 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | - | - | 557-mt53e4g32d8gs-046ait: c | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 4G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
 | MT53B128M32D1NP-062 AAT: A | - | | 9644 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 128m x 32 | - | - | |||
 | MT29F2G16ABBEAHC-AIT: E TR | 4.6600 | | 2056 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 128m x 16 | Parallèle | - | ||||
| M29W640GB70ZS6F TR | - | | 7423 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W640 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
 | MT29F64G08CFACAWP: C | - | | 1215 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||||
| M29F200BT70M6E | - | | 4211 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | M29F200 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 16 | Non volatile | 2mbitons | 70 ns | Éclair | 256k x 8, 128k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 | - | | 1071 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | |||||||||||||||||
 | N25Q128A23BSF40F TR | - | | 6852 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q128A23 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT48LC32M8A2P-6A IT: G | - | | 4454 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 080 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | 12ns | ||
| Mtfc16gjvec-it | - | | 2274 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc16g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| MT52L256M64D2PD-107 WT: B TR | - | | 1448 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | 216-FBGA (15x15) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | - | - | |||
| MT29F8G08ABABAWP-IT: B | - | | 3375 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F8G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 8 Gbit | Éclair | 1g x 8 | Parallèle | - | ||||
| PC48F4400P0TB00A | - | | 4258 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 64 LBGA | PC48F4400 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | Non volatile | 512mbitons | 85 ns | Éclair | 32m x 16 | Parallèle | 85ns | ||
 | MT28F800B5SG-8 T | - | | 6507 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | MT28F800B5 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 8mbitons | 80 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 80ns | |||
 | MT54V512H18AF-7.5 | 12.7800 | | 5 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | QDR® | En gros | Actif | -20 ° C ~ 110 ° C (TJ) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - synchrone | 2,4 V ~ 2,6 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 9mbitons | 3 ns | Sram | 512k x 18 | Hstl | - | |||
| M58WR064KT70D16 | - | | 7835 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | M58WR064 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 66 MHz | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MT62F1G64D4ZV-023 WT: B | 37.2450 | | 7877 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT62F1G64D4ZV-023WT: B | 1 | |||||||||||||||||||||
| Mt29f8t08ewleem5-r: e tr | 171.6300 | | 1176 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | - | - | Flash - Nand (TLC) | - | - | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-R: ETR | 1 500 | Non volatile | 8 tbit | Éclair | 1t x 8 | Parallèle | - | |||||||||
| MT53D1024M32D4BD-053 WT ES: D | - | | 1883 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | |||||
| MT29F3T08EQHBBG2-3R: B TR | - | | 7547 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | - | MT29F3T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 272-TBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 3 tbit | Éclair | 384g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MTFC16GAPALBH-AIT | - | | 6278 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-TFBGA | Mtfc16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,9 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | ||||
 | Mtfc2gmvea-l1 wt tr | - | | 4473 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc2g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | MMC | - | ||||
 | MTFC128GAPALNS-AAT | 105.4600 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 153-TFBGA | MTFC128 | Flash - Nand | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | MMC | - |
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