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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES: B TR | - |  | 7853 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F1HT08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 1,5 tbit | Éclair | 192g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT28F640J3RG-115 Met TR | - | | 2213 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F640J3 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64mbitons | 115 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | - | |||
 | Mtfc4gacaalt-4m | - | | 1590 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-TBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | Mtfc4gacaalt-4mit | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 580 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | |||
 | Mtfc64gbcaqtc-wt | 35.1800 | | 3604 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MTFC64GBCAQTC-WT | 1 520 | |||||||||||||||||||
 | MT28F008B3VP-9 B TR | - | | 2200 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 40-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F008B3 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 40 TSOP I | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 8mbitons | 90 ns | Éclair | 1m x 8 | Parallèle | 90ns | |||
 | MT58L512Y36DT-7.5 | 18.9400 | | 255 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT58L512Y36 | Sram | 3.135V ~ 3 465V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 18mbitons | 4.2 ns | Sram | 512k x 36 | Parallèle | - | ||
| MT29E512G08CMCBBH7-6: B Tr | - | | 3875 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29E512G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 167 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT46V16M16TG-5G: F Tr | - | | 3062 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V16M16 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT25QL512ABB8ESF-0AAT TR | 11.5900 | | 4 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT25QL512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
| Mt25qu128aba1esf-0sit tr | - | | 4531 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT25QU128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT28EW512ABA1LJS-0SIT | 10.8000 | | 6310 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28EW512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 512mbitons | 95 ns | Éclair | 64m x 8, 32m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
| M29w128gl70zs3f tr | - | | 8546 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | Non volatile | 128mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MT29F2T08EMLEEJ4-M: E | 42.9300 | | 6033 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-M: E | 1 | |||||||||||||||||||||
| M29W128GH70ZS6F TR | - | | 7885 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | Non volatile | 128mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MTFC256GAZAOTD-AAT | 99.5850 | | 8615 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MTFC256GAZAOTD-AAT | 1 | |||||||||||||||||||||
| Edw4032babg-70-fr tr tr tr tr tr | - | | 8919 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 170-TFBGA | Edw4032 | Sgram - gddr5 | 1,31 V ~ 1,65 V | 170-FBGA (12x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 000 | 1,75 GHz | Volatil | 4 Gbit | Bélier | 128m x 32 | Parallèle | - | |||
 | MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR | - | | 8952 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 1gbit (nand), 512mbit (lpdram) | Flash, Bélier | 64m x 16 (NAND), 32m x 16 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
| M29W256GH70N3E | - | | 1574 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 256mbitons | 70 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT46H32M16LFBF-6 IT: C TR | - | | 6034 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H32M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| JS28F064M29EWTA | - | | 3552 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F064M29 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| Mt53e4d1aba-dc | 22.5000 | | 5580 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | MT53E4 | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E4D1ABA-DC | 1 360 | |||||||||||||||||||
 | MT53B512M32D2NP-062 WT ES: D | - | | 2553 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | |||||
| M25p64s-vmf6tp tr | - | | 5205 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | M25P64 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 75 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | ||||
 | MT41K512M16HA-107: A TR | - | | 2789 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K512M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT41K512M16HA-107: ATR | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | - | ||
| MT29F256G08EBHAFJ4-3RES: A | - | | 1553 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 333 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT53B512M64D4EZ-062 WT: B TR | - | | 4792 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 1,6 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | ||||
| MT46H32M32LFJG-6 IT: A | - | | 2453 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT29F256G08CJABAWP: B | - | | 8182 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -MT29F256G08CJABAWP: B | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||
| N25Q128A13ESFC0G | - | | 7203 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 225 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
| MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR | - | | 4595 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | MT29TZZZ8 | Flash - Nand, dram - lpddr3 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 800 MHz | Non volatile, volatile | 64gbit (nand), 8gbit (LPDDR3) | Flash, Bélier | 68g x 8 (NAND), 256m x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - |
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