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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D384M64D4KA-046 XT ES: E TR | - |  | 6174 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - | ||||||||
 | MT48LC4M16A2P-6A AAT: J | - | | 9088 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | 12ns | |||
| Mtfc256gbcaqtc-it tr | 68,5000 | | 9630 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MTFC256GBCAQTC-ITTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MT25QU01GB8E12E-0UT | 19.8600 | | 8676 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT25QU01GBB8E12E-0UT | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT28EW128ABA1LJS-0SIT | 7.7600 | | 524 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28EW128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 128mbitons | 95 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
| MT47H256M8EB-25E XIT: C Tr | - | | 4404 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H256M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (9x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT46V32M16FN-75 IT: C TR | - | | 8245 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | - | Rohs non conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 750 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT48LC16M8A2TG-75 L: G | - | | 5595 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC16M8A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | M29w400dt55ze6f tr | - | | 6866 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | M29W400 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 500 | Non volatile | 4mbbitons | 55 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
| MT53D384M64D4KA-046 XT: E TR | 36.7950 | | 1477 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - | |||
 | MT29F128G08AKEADBJ5-12: D | - | | 4743 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | - | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-TBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 83 MHz | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT47H64M8SH-25E AAT: H TR | - | | 3819 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H64M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT29F32G08AECCBH1-10: C | - | | 9537 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 100 MHz | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT47H128M8HQ-3: E TR | - | | 8249 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-fbga | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT29F16G16ADBCAH4: C | - | | 5564 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F16G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 1g x 16 | Parallèle | - | ||||
 | NAND512W4A0AN6E | - | | 9190 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | NAND512 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 512mbitons | 50 ns | Éclair | 32m x 16 | Parallèle | 50ns | |||
| N25q128a11esecfe | - | | 4577 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | N25Q128A11 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-SOP2 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 800 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
 | MT47H256M8EB-25E IT: C TR | - | | 1732 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H256M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (9x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| MT29C4G48MAYAMAKC-5 | - | | 8304 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 107-TFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 107-TFBGA | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 2gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 512m x 8 (NAND), 128m x 16 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
| M58WR032KL70ZA6U TR | - | | 1711 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-VFBGA | M58WR032 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 44-VFBGA (7.5x5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 66 MHz | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 16 | Parallèle | 70ns | ||
 | MT57V1MH18EF-6 | 23.0000 | | 448 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - synchrone | 2,4 V ~ 2,6 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Volatil | 18mbitons | 3 ns | Sram | 1m x 18 | Parallèle | - | ||||||
| MT48LC8M16A2TG-75: G TR | - | | 2127 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT40A4G4NRE-083E: B | - | | 7366 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A4G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (8x12) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 140 | 1,2 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 4G x 4 | Parallèle | - | |||||
| MT47H256M8EB-25E AIT: C TR | - | | 6867 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H256M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (9x11,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR | - | | 8419 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 1gbit (nand), 512mbit (lpdram) | Flash, Bélier | 128m x 8 (NAND), 16m x 32 (lpdram) | Parallèle | - | ||||
| N25Q128A13E1440F TR | - | | 6531 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-bga (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
 | PC28F128P30TF65A | - | | 2214 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | PC28F128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | Non volatile | 128mbitons | 65 ns | Éclair | 8m x 16 | Parallèle | 65ns | ||
| MT52L256M32D1PH-107 WT ES: B TR | - | | 8979 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | |||
| MT29F1G16ABBEAH4-IT: E | - | | 7607 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | - | ||||
| MT48LC16M4A2P-75: G | - | | 5295 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC16M4A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 4 | Parallèle | 15NS |
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