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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M58LR256KB70ZQ5Z | - |  | 8565 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 88-TFBGA | M58LR256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 88-TFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 253 | 66 MHz | Non volatile | 256mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 70ns | ||
| MT62F768M64D4EK-023 WT: B TR | 34.2750 | | 2559 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | MT62F768 | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-023WT: BTR | 1 500 | 3,2 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | - | |||||||
| MT62F2G32D4DS-023 AAT: B | 63.8550 | | 2275 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | - | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
 | MT46V64M16TG-75: A TR | - | | 3502 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V64M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 1 gbit | 750 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| M29W128GH7AN6E | - | | 9896 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 128mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| Mtfc32gludi-wt | - | | 5050 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | Mtfc32g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT48H16M32L2F5-10 TR | - | | 1968 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 100 MHz | Volatil | 512mbitons | 7,5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
 | MT41K512M16VRN-107 IT: P | - | | 1448 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K512M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT41K512M16VRN-107IT: P | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 368 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| Mt29f8t08eqlchl5-qa: c tr | 167.8050 | | 9117 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F8T08EQLCHL5-QA: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | Mt29pzzz4d4bkepk-18 w.94h tr | - | | 8902 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | 168-VFBGA | 168-VFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | ||||||||||||||
| MT29GZ5A5BPGA-046AAT.87J TR | 12.4500 | | 9943 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 149-WFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 149-WFBGA (8x9,5) | - | 557-MT29GZ5A5BPGA-046AAT.87JTR | 2 000 | Non volatile, volatile | 4 Gbit | 25 ns | Flash, Bélier | 512m x 8 | Onfi | 30ns | ||||||||
 | MT40A256M16GE-062E: B Tr | - | | 9652 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A256M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT40A256M16GE-062E: BTR | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||
| MT29F512G08EBLEEEEJ4-T: E | 10.7250 | | 4522 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 132-VBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,6V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-mt29f512g08ebleej4-t: e | 1 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | |||||||||
 | Mtfc8gamalna-aat es | - | | 1673 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | Mtfc8 | Flash - Nand | - | 100-TBGA (14x18) | - | 1 (illimité) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | MMC | - | ||||||
| MT29C4G96MAZBACJG-5 WT TR | - | | 1173 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT29C4G96 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 4gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
 | MT48H16M32LFB5-6 IT: C | 7.0200 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1440 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| MT40A1G16HBA-083E: A TR | - | | 9096 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A1G16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9,5x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | - | |||
 | MT29E256G08CECCBH6-6: C | - | | 5447 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 152-VBGA | MT29E256G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-VBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||
 | RC28F256J3F95G | - | | 7222 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | RC28F256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 864 | Non volatile | 256mbitons | 95 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 95ns | |||
| MT40A1G16RC-062E IT: B Tr | - | | 9680 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A1G16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (10x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT40A1G16RC-062EIT: BTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | 15NS | |
 | Mtfc64gapakea-wt | - | | 6282 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc64 | Flash - Nand | - | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 520 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | MMC | - | ||||
| Edfa164a2pb-jd-fr tr | - | | 6800 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDFA164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F64G08AFAAAWP-Z: A | - | | 4963 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | ||||
| PC28F640P30B85A | - | | 2996 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | PC28F640 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | Non volatile | 64mbitons | 85 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 85ns | ||
| MT62F4G32D8DV-023 WT: B Tr | 90.4650 | | 1619 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023WT: BTR | 2 000 | 4.266 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 4G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| MT48LC4M32B2B5-6A AIT: L | - | | 8006 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1440 | 167 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | 12ns | ||
 | MT28F400B5WP-8 TET TR | - | | 4129 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F400B5 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4mbbitons | 80 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 80ns | |||
 | M25p40-vmn3tpb tr | - | | 8712 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | M25p40 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 2 500 | 75 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
 | M29dw641f60ze6e | - | | 6358 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | M29DW641 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | Non volatile | 64mbitons | 60 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
 | MT29F1G08ABAEAH4-AITX: E | - | | 4884 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | télécharger | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | - |
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