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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | N25q256a13esfh0f tr | - | ![]() | 6594 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q256A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 108 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 64m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | MT29F2G16ABBGAH4-AATES: G | 5.4935 | ![]() | 8527 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G16 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 260 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 128m x 16 | Parallèle | - | |||||
![]() | MT48LC32M8A2TG-75: D TR | - | ![]() | 3718 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT TR | 11.8650 | ![]() | 6806 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | MT29C4G48 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 208 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 2gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||||
![]() | MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C | 60 5400 | ![]() | 4072 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F1G01AAADDH4: D TR | - | ![]() | 2465 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 1g x 1 | Pimenter | - | ||||
![]() | Pz28f032m29ewha | - | ![]() | 6381 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-VFBGA | PZ28F032M29 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-BGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | Non volatile | 32mbitons | 60 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
MT48H16M32L2B5-8 | - | ![]() | 2861 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 125 MHz | Volatil | 512mbitons | 7,5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | |||
MT41K128M16JT-125 IT: K TR | 5.9100 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K128M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 13,75 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | - | |||
![]() | N25q128a13esf40f tr | - | ![]() | 7145 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | MT29F2G08ABBGAH4-AATES: G | 7.7000 | ![]() | 1560 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | 30ns | |||||
![]() | MT47H64M8B6-25E IT: D TR | - | ![]() | 3246 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-fbga | MT47H64M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT48LC8M8A2P-75 L: G | - | ![]() | 7952 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC8M8A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
MT29F1G01ABAFD12-IT: F | - | ![]() | 5554 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT29F1G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -MT29F1G01ABAFD12-IT: FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 122 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 1g x 1 | Pimenter | - | ||||
![]() | MT53B2DADS-DC TR | - | ![]() | 1673 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | Volatil | Drachme | |||||||||||
![]() | M58WR064EB70ZB6 | - | ![]() | 9458 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-VFBGA | M58WR064 | Flash - ni | 1,65 V ~ 2,2 V | 56-VFBGA (7.7x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 016 | 66 MHz | Non volatile | 64mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | ||
![]() | Mtfc16ganalea-wt | - | ![]() | 2230 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | Mtfc16 | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 520 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29F512G08AUCBBH8-6IT: B | - | ![]() | 1675 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 152 LBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152 LBGA (14x18) | - | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | Mtfc4glddq-4m it tr | - | ![]() | 5413 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | Mtfc4 | Flash - Nand | 1,65 V ~ 3,6 V | 100 lbga (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | ||||
![]() | M28W160CT70N6F TR | - | ![]() | 9024 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M28W160 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 16mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
![]() | MT29F1HT08EMHBBJ4-3R: B TR | - | ![]() | 5703 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F1HT08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 1,5 tbit | Éclair | 192g x 8 | Parallèle | - | |||
![]() | MT29F4T08GMLCEJ4-QB: C | 78.1500 | ![]() | 1909 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QB: C | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46V32M16BN-75 L: C | - | ![]() | 7527 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | - | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 750 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
Mt29f2g08abagawp-aates: g | 5.4935 | ![]() | 9732 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | ||||||
![]() | MT62F1536M32D4DS-023 IT: B | 37.6950 | ![]() | 8394 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | - | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-mt62f1536m32d4ds-023it: b | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 1,5 GX 32 | Parallèle | - | ||||||||
![]() | Mt53d8dahr-dc | - | ![]() | 8623 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | Support de surface | 366-WFBGA | MT53D8 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 366-WFBGA (12x12.7) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 360 | Volatil | Drachme | - | - | ||||||||
![]() | M45PE40-VMP6G | - | ![]() | 2362 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | M45PE40 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | Non volatile | 4mbbitons | Éclair | 512k x 8 | Pimenter | 15 ms, 3 ms | |||
![]() | MT46V64M8P-6T: D | - | ![]() | 6250 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V64M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | - | Rohs3 conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
![]() | MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT | - | ![]() | 6126 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 137-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-VFBGA (13x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 140 | 208 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 2gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 512m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
MT41K128M16HA-187E: D | - | ![]() | 8430 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K128M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 2 gbit | 13.125 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | - |
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