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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E2G32D4DE-046 AAT: A TR | 63.1350 |  | 4881 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-MT53E2G32D4DE-046AAT: ATR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | 18n | |||||||
 | MT29F64G08AMCBBH2-12: B Tr | - | | 2084 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT25TU512HBA8ESF-0SIT TR | - | | 1346 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | |||||||||||||||||
| MT29F8T08EULCHD5-R: C TR | 167.8050 | | 3165 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-R: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT35XU01GBBA2G12-0UT TR | 18.8850 | | 2042 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 24 TBGA | MT35XU01 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT35XU01GBBA2G12-0AUTTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 200 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Bus xccela | - | ||
| MT53D512M16D1DS-046 IT: D | 8.5200 | | 1224 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-WFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-MT53D512M16D1DS-046IT: D | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | - | - | ||||||||
| MT29F1G01ABAFD12-AAT: F | 2.9984 | | 2524 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT29F1G01 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -MT29F1G01ABAFD12-AAT: FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 122 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 1g x 1 | Pimenter | - | |||
 | MT29F4G16ABBDAH4-AIT: D TR | - | | 6329 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 256m x 16 | Parallèle | - | ||||
| MT41J256M16HA-093: E TR | - | | 2526 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41J256M16 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 1 066 GHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | ||
| MT60B4G4HB-48B: A | 20.7150 | | 5262 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 82-VFBGA | Sdram - ddr5 | - | 82-VFBGA (9x11) | - | 557-MT60B4G4HB-48B: A | 1 | 2,4 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 4G x 4 | Parallèle | - | ||||||||
 | MT46H64M16LFBF-5 AIT: B | 7.0374 | | 4523 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H64M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 782 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT46H64M32LFCX-5 AIT: B TR | - | | 7233 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
| MT29RZ8B4DZZHGPL-18 W.81U | - | | 7522 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | ||||||||||||||||||
| Mt29f4t08emlchd4-m: c tr | 83.9100 | | 4502 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-M: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E128M16D1DS-053 AIT: A | - | | 9219 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Mt53e128m16d1ds-053ait: a | OBSOLÈTE | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 2 gbit | Drachme | 128m x 16 | - | - | |||||||
| MT53D512M64D8TZ-053 WT ES: B | - | | 7165 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | |||||
| N25Q064A13E12D0E | - | | 6213 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | N25Q064A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 122 | 108 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 16m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
| MT49H32M18CBM-18: B TR | - | | 3504 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
 | MT46H16M32LFCX-5: B | - | | 4097 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| MTFC128GAOANAM-WT TR | - | | 6076 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | MTFC128 | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 000 | |||||||||||||||||||
 | MT29F256G08AUCABH3-10Z: A | - | | 6004 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 lbga (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 100 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||
| Mt53b4datt-dc | - | | 9840 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | MT53B4 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 680 | Volatil | Drachme | |||||||||||||||
| N25Q064A13EF640FN03 TR | - | | 4271 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25Q064A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 4 000 | 108 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 16m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
 | MT29F64G08AECDBJ4-6ITR: D | - | | 7603 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 166 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||
| EDFA164A2PP-GD-FD | - | | 4931 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDFA164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 220-FBGA (14x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 008 | 800 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | Parallèle | - | |||
| EDB8164B4PT-1D-FR TR | - | | 6576 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | EDB8164 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-FBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | |||
 | MT29F4G08ABADAH4-AATX: D TR | 5.4563 | | 5965 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT40A4G4NRE-075E: B | - | | 9142 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A4G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (8x12) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 140 | 1,33 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 4G x 4 | Parallèle | - | |||||
 | MT47H64M16BT-3: A TR | - | | 2969 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 92-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 92-FBGA (11x19) | télécharger | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 1 gbit | 450 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT53D384M64D4SB-046 XT ES: E | - | | 3725 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 190 | 2.133 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - |
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