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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT41K256M16TW-093: P | - |  | 2854 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 368 | 1 066 GHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | ||
 | N25Q032A11ESF40G | - | | 7985 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q032A11 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 225 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
 | MT45W4MW16PBA-70 | - | | 7121 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 48-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 64mbitons | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT46V64M16P-6T IT: A TR | - | | 9993 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V64M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 1 gbit | 700 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | PC28F256P33BFR | - | | 8441 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | AXCELL ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 64 TBGA | PC28F256 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 64-Easybga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | Non volatile | 256mbitons | 95 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 95ns | ||
 | MT29F3T08EUHBBM4-3R: B | - | | 8994 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F3T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 333 MHz | Non volatile | 3 tbit | Éclair | 384g x 8 | Parallèle | - | |||||
| MT46V64M4P-6T: GTR | - | | 1505 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V64M4 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT48LC4M32B2P-6A AAT: L TR | - | | 3565 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 000 | 167 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | 12ns | ||
| MT46V64M16TG-75: A TR | - | | 3502 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V64M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 1 gbit | 750 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT41K256M16TW-107 AUT: P TR | 8.4000 | | 1632 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | ||
| EDF8164A3PF-GD-FD | - | | 7427 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | - | EDF8164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 260 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | ||||
| MT53B512M64D4NZ-062 WT: D | - | | 8095 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 190 | 1,6 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | |||
 | M29DW128F70NF6E | - | | 6147 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29DW128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 128mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT29F2G08ABAEAWP-ITX: E TR | - | | 5731 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | ||||
 | Mtfc8gldea-4m it tr | - | | 8117 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc8 | Flash - Nand | 1,65 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | JS28F160C3TD70A | - | | 7762 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F160C3 | Flash - Bloc de Démarrage | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 16mbitons | 70 ns | Éclair | 1m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MT44K64M18RB-093E: A | 80.5650 | | 4402 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K64M18 | Rldram 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 2832-MT44K64M18RB-093E: A | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 190 | 1 066 GHz | Volatil | 1 125 Gbit | 8 ns | Drachme | 64m x 18 | Parallèle | - | |
| Pf48f4400p0vbq2f tr | - | | 2635 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 88-TFBGA, CSPBGA | 48f4400p0 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 88-SCSP (8x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 52 MHz | Non volatile | 512mbitons | 85 ns | Éclair | 32m x 16 | Parallèle | 85ns | |||
| JS28F320J3D75A | - | | 6854 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F320J3 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 32mbitons | 75 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 75ns | |||
 | MT46H128M32L2KQ-6 IT: B Tr | - | | 4696 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-WFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5 ns | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
| MT62F4G32D8DV-023 WT: B Tr | 90.4650 | | 1619 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023WT: BTR | 2 000 | 4.266 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 4G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
 | MT41K128M16JT-107 AAT: K TR | 5.3633 | | 1222 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K128M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT41K128M16JT-107AAT: KTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | |
 | Mt25qu128aba1ese-0sit | 4.1200 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | MT25QU128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
| M25p32-vmf6p | - | | 3427 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | M25p32 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 225 | 75 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
| MT46H64M32L2CG-5 IT: A TR | - | | 8389 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 152-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 152-VFBGA (14x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| MT46V256M4TG-6T: A | - | | 5031 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V256M4 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 1 gbit | 700 PS | Drachme | 256m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
| Mtfc128gaxauea-wt | 14.0250 | | 1322 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MTFC128GAXAUEA-WT | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F128G08AKAAAC5-ITZ: A | - | | 5021 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 52-VLGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | Parallèle | - | ||||
| Mtfc256gavattc-aat | 90.4350 | | 2840 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-mtfc256gavattc-aat | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT40A256M16GE-083E: B Tr | - | | 9247 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A256M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT40A256M16GE-083E: BTR | OBSOLÈTE | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 4 Gbit | 19 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS |
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