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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT25QL128ABB1EW7-CAUT | - |  | 9705 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | MT25QL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -791-MT25QL128ABB1EW7-CAUT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 940 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | ||
| MT53D512M64D8TZ-053 WT ES: B | - | | 7165 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | |||||
| Mtfc64gaoamea-wt es | - | | 2002 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | Mtfc64 | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 520 | |||||||||||||||||||
 | N25Q064A13E12D0E | - | | 6213 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | N25Q064A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 122 | 108 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 16m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
| Mt53d8dbnz-dc | - | | 3026 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | Boîte | Actif | MT53D8 | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 190 | |||||||||||||||||||
 | MT46H8M16LFCF-10 TR | - | | 3713 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-VFBGA | MT46H8M16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-VFBGA (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 104 MHz | Volatil | 128mbitons | 7 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT53B768M32D4NQ-053 WT: B | - | | 2625 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | MT53B768 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 768m x 32 | - | - | |||
 | TE28F256P33T95A | - | | 9069 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | 28F256P33 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | Non volatile | 256mbitons | 95 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 95ns | ||
 | N25q032a11ese40f tr | - | | 1015 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | N25Q032A11 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
| MT29F4T08EULKEM4-ITF: K TR | 136.1250 | | 4726 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF: KTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MT41K128M8JP-125: G TR | - | | 7007 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K128M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | 13,75 ns | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT48LC16M16A2P-7E AIT: G | - | | 4567 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 080 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 14ns | |||
 | PC28F128J3F75B TR | - | | 9818 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | PC28F128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-Easybga (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 128mbitons | 75 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 75ns | |||
| M58BW32FB5T3F TR | - | | 8525 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 80-BQFP | M58BW32 | Flash - ni | 2,5 V ~ 3,3 V | 80 PQFP (14x20) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 32mbitons | 55 ns | Éclair | 1m x 32 | Parallèle | 55ns | |||
 | MT40A1G8WE-083E AAT: B TR | - | | 4842 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A1G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (8x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,2 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT43A4G80200NFH-S15 ES: A | - | | 5895 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | MT43A4 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 240 | |||||||||||||||||
| MT47H64M8CB-5E: B Tr | - | | 8940 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-fbga | MT47H64M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga | télécharger | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 2 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 600 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT48LC2M32B2B5-7 IT: G TR | - | | 1062 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 143 MHz | Volatil | 64mbitons | 5,5 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | 14ns | ||
 | MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR | - | | 8619 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C2G24 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 2gbit (nand), 1gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 256m x 8 (NAND), 32m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | |||
 | Mt25ql128aba8esf-0sit tr | 4.9700 | | 13 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT25QL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT62F2G64D8EK-023 AAT: B | 126.4350 | | 8710 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023AAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | - | ||||||||
| MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TR | - | | 2404 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C2G24 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 2gbit (nand), 1gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 128m x 16 (NAND), 64m x 16 (LPDRAM) | Parallèle | - | |||
 | MT28F008B5VG-8 T | - | | 6585 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 40-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F008B5 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 40 TSOP I | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 8mbitons | 80 ns | Éclair | 1m x 8 | Parallèle | 80ns | |||
| MT48LC8M8A2TG-7E L: G | - | | 2580 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC8M8A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 8 | Parallèle | 14ns | ||
 | MT29F384G08EBHBBJ4-3R: B | - | | 3188 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F384G08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 333 MHz | Non volatile | 384gbit | Éclair | 48g x 8 | Parallèle | - | |||||
| Mt29rz4c4dzzmgmf-18w.80c | - | | 9452 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT29RZ4C4 | Flash - Nand, dram - lpddr2 | 1,8 V | 168-VFBGA (12x12) | - | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 008 | 533 MHz | Non volatile, volatile | 4Gbit (NAND), 4GBit (LPDDR2) | Flash, Bélier | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDDR2) | Parallèle | - | |||||
 | MT29F32G08QAAWP: A TR | - | | 1580 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | ||||
 | M29W160ET70ZA6E | - | | 1772 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | M29W160 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 187 | Non volatile | 16mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 8, 1m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT | - | | 8797 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 137-TFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-TFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 140 | 166 MHz | Non volatile, volatile | 1gbit (nand), 1gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 128m x 8 (nand), 32m x 32 (lpdram) | Parallèle | - | |||
| MT29F256G08CMHGBJ4-3R: G TR | - | | 3990 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - |
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