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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
PC28F256P30B2F TR	-	RFQ	4306	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	PC28F256	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (10x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 000	52 MHz	Non volatile	256mbitons	100 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	100ns
MT53D384M64D4KA-046 XT: E	36.7950	RFQ	3804	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53D384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 140	2.133 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	384m x 64	-	-
MT53B512M32D2NP-053 WT: C	-	RFQ	1443	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	-	-
MT53B1024M64D8PM-062 WT: D	-	RFQ	4036	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 190	1,6 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	1g x 64	-	-
MT53D1024M32D4DT-046 AUT: E	-	RFQ	5821	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	200-VFBGA	MT53D1024	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-VFBGA (10x14,5)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	1g x 32	-	-
MT48LC4M16A2B4-75 IT: G TR	-	RFQ	9116	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48LC4M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	15NS
EDB2432B4MA-1DAUT-FD	-	RFQ	7856	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	134-VFBGA	EDB2432	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-VFBGA (10x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 100	533 MHz	Volatil	2 gbit		Drachme	64m x 32	Parallèle	-
MT53E512M32D1ZW-046BAIT: B	-	RFQ	5708	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	-				557-MT53E512M32D1ZW-046BAIT: B			1	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit	3,5 ns	Drachme	512m x 32	Parallèle	18n
MT52L512M64D4GN-107 WT: B	-	RFQ	4150	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	256-WFBGA	MT52L512	Sdram - mobile lpddr3	1,2 V	256-FBGA (14x14)	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 190	933 MHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT53D384M64D4SB-046 XT ES: D TR	-	RFQ	3227	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53D384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	2.133 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	384m x 64	-	-
MT40A2G8SA-062E IT: F Tr	14.9550	RFQ	4562	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A2G8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT40A2G8SA-062EIT: FTR	3A991B1A	8542.32.0071	2 000	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit	19 ns	Drachme	2G x 8	Parallèle	15NS
MT46V8M16P-6TIT: DTR	-	RFQ	7375	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V8M16	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	167 MHz	Volatil	128mbitons	700 PS	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F	-	RFQ	6320	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	162-VFBGA	MT29RZ2B2	Flash - Nand, dram - lpddr2	1,8 V	162-VFBGA (10.5x8)	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1440	533 MHz	Non volatile, volatile	2gbit (nand), 2Gbit (LPDDR2)		Flash, Bélier	256m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDDR2)	Parallèle	-
Mt25qu02gcbb8e12-0aut	47.4900	RFQ	1	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	Mt25qu02	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-791-mt25qu02gcbb8e12-0aut	3A991B1A	8542.32.0071	1 122	166 MHz	Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Pimenter	1,8 ms
MT48LC8M16A2P-7E IT: G TR	-	RFQ	2092	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC8M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	128mbitons	5.4 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	14ns
MT41K1G4THD-187E: D	-	RFQ	8883	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K1G4	Sdram - ddr3	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (9x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	533 MHz	Volatil	4 Gbit	13.125 ns	Drachme	1g x 4	Parallèle	-
MT48LC4M32B2F5-7 IT: G TR	-	RFQ	3103	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48LC4M32B2	Sdram	3V ~ 3,6 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	143 MHz	Volatil	128mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	14ns
M29W640GH70NA6E	-	RFQ	9611	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-M29W640GH70NA6E	3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	70ns
Mtfc128gapalna-aat	-	RFQ	4187	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Acheter la Dernière				MTFC128				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	980
MT46H8M16LFCF-10	-	RFQ	6359	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H8M16	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,9 V	60-VFBGA (8x10)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	104 MHz	Volatil	128mbitons	7 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
MT53E2G64D8TN-046 WT: A	92.3100	RFQ	8724	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	556-LFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	556-LFBGA (12.4x12.4)	-				557-MT53E2G64D8TN-046WT: A			1	2.133 GHz	Volatil	128 GBIT	3,5 ns	Drachme	2G x 64	Parallèle	18n
MT47R512M4EB-25E: C	-	RFQ	2224	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-TFBGA	MT47R512M4	Sdram - ddr2	1,55 V ~ 1,9 V	60-fbga (9x11,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	400 MHz	Volatil	2 gbit	400 PS	Drachme	512m x 4	Parallèle	15NS
MT48LC4M16A2P-6 IT: G	-	RFQ	1989	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC4M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	167 MHz	Volatil	64mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 16	Parallèle	12ns
Mtfc16gapalna-aat	-	RFQ	4238	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic				Mtfc16				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	980
Rc28f256p33bfa	-	RFQ	8058	Micron Technology Inc.	AXCELL ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	64 TBGA	RC28F256	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	64-Easybga (8x10)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0051	864	52 MHz	Non volatile	256mbitons	95 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	95ns
MT45V512KW16PEGA-70 WT TR	-	RFQ	7859	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	48-VFBGA	MT45V512KW16	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	8mbitons	70 ns	Psram	512k x 16	Parallèle	70ns
MT46V128M4BN-6: F	-	RFQ	9830	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V128M4	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	128m x 4	Parallèle	15NS
MT45W4MW16BCGB-701 WT	-	RFQ	3704	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	54-VFBGA	MT45W4MW16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	64mbitons	70 ns	Psram	4m x 16	Parallèle	70ns
Rc28f320j3d75b tr	-	RFQ	5257	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	RC28F320	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000		Non volatile	32mbitons	75 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	75ns
MT41K256M16HA-125 V: E	-	RFQ	4947	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K256M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 020	800 MHz	Volatil	4 Gbit	13,75 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
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Mémoire (10402)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²