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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48LC64M8A2TG-75 IT: C | - |  | 2345 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC64M8A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs non conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | MT48LC64M8A2TG-75 IT: C-ND | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 5.4 ns | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT41K256M16HA-125 M AIT: E | - | | 4803 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||
 | NAND256W3A2BNXE | - | | 1063 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | NAND256 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 256mbitons | 50 ns | Éclair | 32m x 8 | Parallèle | 50ns | ||||
 | MT29F1G08ABAEAWP-AATX: E | 3.7300 | | 906 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | - | |||||
| MT41J256M16HA-093G: E | - | | 3506 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41J256M16 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 1 066 GHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||
| Mtfc16gluam-wt | - | | 2935 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc16g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29F64G08AEAAAC5: A TR | - | | 3048 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 52-VLGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | ||||||
 | MTFC4GLGDQ-AIT A | 9.2611 | | 7047 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 lbga (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MTFC4GLGDQ-AITA | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | ||||
| MT29F16G08ABABAWP-AIT: B | - | | 2017 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F16G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | Parallèle | - | |||||
| MT29F4T08EULEEM4-T: E TR | 85.8150 | | 2502 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C | Support de surface | 132-BGA | Flash - Nand (TLC) | 2,6V ~ 3,6 V | 132 LBGA (12x18) | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-T: ETR | 2 000 | Non volatile | 4 tbit | Éclair | 512g x 8 | Parallèle | - | ||||||||||
 | MT41K256M16TW-107 À: P | - | | 5245 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT41K256M16TW-107AT: P | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||
| MTFC4GMWDQ-3M AIT TR | - | | 8064 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 lbga (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | |||||
 | Mt29f4g01abafdwb-it: f tr | 3.0165 | | 9912 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-UDFN | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | MT29F4G01ABAFDWB-IT: FTR | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | |||||
 | MT53B1024M32D4NQ-062 WT: C | - | | 1349 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | MT53B1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | |||||
 | MT29F1G16ABBFAH4-IT: F | - | | 8002 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F1G16ABBFAH4-IT: F | 8542.32.0071 | 210 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | - | |||||
| MT48LC4M16A2P-75 L: G | - | | 3407 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
| MT29F32G08ABAAAWP-ITZ: A TR | 38.7300 | | 9683 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | |||||
 | M25PX32-VMF6E | - | | 2423 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | M25px32 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 225 | 75 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | ||||
| MT41K2G4RKB-107 C: N | - | | 9969 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K2G4 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT41K2G4RKB-107C: n | OBSOLÈTE | 1440 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 2G x 4 | Parallèle | 15NS | ||||
| MT29F64G08AEAAAC5-Z: A TR | - | | 1709 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 52-VLGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT53E128M16D1DS-046 AIT: A | - | | 7913 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53E128M16D1DS-046AIT: A | OBSOLÈTE | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 2 gbit | Drachme | 128m x 16 | - | - | ||||||||
| MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR | - | | 4010 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F4G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | Mourir | - | OBSOLÈTE | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | |||||||||
 | MT29F4G08ABAEAH4: E TR | 4.1700 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | |||||
| MT48LC16M8A2P-75: G TR | - | | 5811 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC16M8A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 8 | Parallèle | 15NS | |||
| EDF8132A3PB-JD-FD | - | | 3336 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | - | EDF8132 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-FBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 680 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | - | |||||
 | MT46V16M16FG-75: F Tr | - | | 5482 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-fbga | MT46V16M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-fbga (8x14) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 750 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
 | MT41J64M16JT-125E: G | - | | 9709 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41J64M16 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 1 gbit | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | |||||
| MT46H256M32L4SA-48 WT: C | - | | 3947 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-TFBGA | MT46H256M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-TFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 208 MHz | Volatil | 8 Gbit | 5 ns | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | 14.4NS | |||
| Mt28gu512aaa1egc-0sit tr | 8.5976 | | 5274 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | MT28GU512 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-TBGA (10x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | 96 ns | Éclair | 64m x 8 | Parallèle | - | Non Vérifié | ||
 | MT48H4M16LFB4-8 IT TR | - | | 8483 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 54-VFBGA (8x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 125 MHz | Volatil | 64mbitons | 6 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | 15NS |
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