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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT42L256M32D2LK-25 WT: A TR | - |  | 9619 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | MT42L256M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 216-FBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | - | |||||
 | N25Q512A13G1241F TR | - | | 3240 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | N25Q512A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 108 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 128m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
| MT53B256M64D2NK-053 WT: C | - | | 3184 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 1 866 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | - | - | |||||
 | N25w032a11ef640f tr | - | | 6897 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25W032 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | - | |||||
| MT40A512M8Z90BWC1 | - | | 9430 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | MT40A512 | - | OBSOLÈTE | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT40A2G16TBB-062E: F | 52.5000 | | 9800 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A2G16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT40A2G16TBB-062E: F | 1 020 | 1,6 GHz | Volatil | 32 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 2G x 16 | Parallèle | - | ||||
| MT25TL01GHBB8E12-0AAT | - | | 6351 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT25TL01 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 122 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | ||||
 | MT53E2G32D4DT-046 WT ES: A | 96.1650 | | 4720 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E2G32D4DT-046WTES: A | 136 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | - | - | ||||||||||
 | RC28F128J3F75G | - | | 8189 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | RC28F128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-Easybga (10x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 864 | Non volatile | 128mbitons | 75 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 75ns | ||||
 | MT29F256G08EBHAFJ4-3R: A | - | | 3973 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 333 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | Mt29f2g08abagah4-it: g tr | 2.8500 | | 12 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | |||||
 | M25p64-vmf3pb | - | | 3122 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | M25P64 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 225 | 75 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||||
 | MT41K256M8DA-107: K TR | 4.0302 | | 6361 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K256M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT53D512M16D1DS-046 WT: D | 9.8600 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53D512M16D1DS-046WT: D | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | - | - | |||
| MT47H256M8EB-25E XIT: C | - | | 7469 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H256M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (9x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1 320 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | 15NS | |||
 | Mtfc32gapalbh-aat | - | | 2868 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 153-TFBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | - | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR | 5.5648 | | 6756 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28EW128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 600 | Non volatile | 128mbitons | 95 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
 | MT46H4M32LFB5-6: K | - | | 8057 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H4M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 128mbitons | 5 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
| MT29F1T208EGCBBG1-37ES: B Tr | - | | 7736 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 272-VFBGA | MT29F1T208 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 272-VBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 267 MHz | Non volatile | 1,125 tbit | Éclair | 144g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | Mt29f64g08cbabbwp-12it: b tr | - | | 8201 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | M29W320DB70N3F TR | 1.8532 | | 5523 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W320 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 70ns | Non Vérifié | |||
| MT53B512M64D4NW-062 WT: C | - | | 1611 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 190 | 1,6 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | |||||
| MT62F2G32D8DR-031 WT: B TR | 47.0400 | | 5221 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT62F2G32D8DR-031WT: BTR | 2 000 | ||||||||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E AAT: M | 4.3884 | | 5654 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 368 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
 | MT29F512G08CMCABH7-6: A TR | - | | 3280 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 166 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT29F4G08ABADAWP-AT: D | - | | 6051 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | ||||||
 | MT28EW512ABA1HPC-0SIT TR | 9.3300 | | 4363 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | MT28EW512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64 LBGA (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 512mbitons | 95 ns | Éclair | 64m x 8, 32m x 16 | Parallèle | 60ns | ||||
 | Mtfc8gacaens-ait tr | - | | 5150 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Support de surface | 153-TFBGA | Mtfc8 | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MTFC8GACAENS-AITTR | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | |||||||||||||
| MT29F32G08CBADBWP-12: D TR | - | | 6324 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | |||||
| MT53D768M64D8SQ-046 WT ES: E TR | - | | 9311 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 556-VFBGA | MT53D768 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 556-VFBGA (12.4x12.4) | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 768m x 64 | - | - |
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