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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F2G16ABAEAWP-IT: E | - |  | 4693 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 128m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | MT53E768M32D2FW-046 AUT: C | 43.6350 | | 6976 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AUT: C | 1 | |||||||||||||||||||||
| M29F400BT70M6E | - | | 3782 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur) | M29F400 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-so | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 16 | Non volatile | 4mbbitons | 70 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT53B1DADS-DC | - | | 8664 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | Support de surface | 200-WFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | Volatil | Drachme | |||||||||||
 | MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR | - | | 9982 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 24 TBGA | MT35XU02 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 200 MHz | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Bus xccela | - | |||
 | MT46V64M8P-5B L IT: J | - | | 6817 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V64M8 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 080 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| M29f200ft55n3f2 tr | - | | 7685 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29F200 | Flash - ni | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 2mbitons | 55 ns | Éclair | 256k x 8, 128k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
| MT49H64M9FM-25E: B Tr | - | | 3964 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H64M9 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 64m x 9 | Parallèle | - | ||
 | MT40A256M16TB-062E: G | - | | 2992 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A256M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT40A256M16TB-062E: G | OBSOLÈTE | 1 080 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | 19 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | 15NS | |||
 | Mt29f2g08abagah4-aates: g tr | 5.3168 | | 2866 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT29F2G08ABAGAH4-AATES: GTR | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT41DC11TW-V88A | - | | 4776 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | MT41DC | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | ||||||||||||||||
| N25Q128A13EW7DFE | - | | 1983 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | N25Q128A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||
| MT62F1G32D2DS-026 WT: B TR | 22.8450 | | 1853 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| Mtfc8glzdm-1m wt | - | | 7366 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | En gros | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc8 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | MMC | - | |||||
| MT29F64G08CBABAL84A3WC1 | - | | 9918 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | Mourir | - | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||||||
 | Mtfc4gmuea-wt | - | | 3181 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | |||||
 | N25W128A11EF740E | - | | 5385 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25W128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | - | ||||
| Eds6432afa-75ti-ed | - | | 9194 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 080 | |||||||||||||||||
| N25Q128A13ESFA0F | 4.0000 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | ||||||||
 | MT61M256M32JE-12 AAT: A | - | | 3865 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 180-TFBGA | MT61M256 | Sgram - gddr6 | 1,21V ~ 1,29 V | 180-FBGA (12x14) | télécharger | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 260 | 1,5 GHz | Volatil | 8 Gbit | Bélier | 256m x 32 | Parallèle | - | ||||||
| MT41K256M16HA-125 V: E TR | - | | 6318 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | |||
 | MT41K512M8RH-125 AIT: E TR | - | | 3050 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K512M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (9x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 4 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | - | ||
| M29w320dt70n6f tr | - | | 4615 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W320 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| M29W160ET70ZS6F TR | - | | 1074 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W160 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 800 | Non volatile | 16mbitons | 70 ns | Éclair | 2m x 8, 1m x 16 | Parallèle | 70ns | ||||
 | MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES: D TR | - | | 3805 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-VFBGA (10x14,5) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | ||||
| MT40A2G8AG-062E AAT: F | 19.8600 | | 6063 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | - | - | 557-MT40A2G8AG-062EAAT: F | 1 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 2G x 8 | Parallèle | 15NS | |||||||
| MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F | 2.9984 | | 3809 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F | 8542.32.0071 | 210 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | - | ||||
| MT53D1536M32D6BE-046 WT: D | - | | 5800 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D1536 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT53D1536M32D6BE-046WT: D | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 1,5 GX 32 | - | - | ||||
| MT29F8T08EWLCEM5-QJ: C | 242.1750 | | 9688 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ: C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29VZZZBD81SLSL-046 W.22D TR | 33.7950 | | 1054 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29VZZZBD81SLSL-046W.22DTR | 2 000 |
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