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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EDFA332A3PB-JD-FD | - |  | 9957 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDFA232 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 260 | 933 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | - | ||||
 | Mtfc64gjvdn-3m wt | - | | 6679 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 169-LFBGA | Mtfc64 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-LFBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | MMC | - | |||||
 | N25w032a11ef640f tr | - | | 6897 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-VDFN | N25W032 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4 000 | 108 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 8m x 4 | Pimenter | - | ||||
| EDBA164B2PR-1D-FR TR | - | | 9122 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-VFBGA | EDBA164 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 216-FBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 256m x 64 | Parallèle | - | |||
 | MT41K256M8DA-125: K | 5.3700 | | 29 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K256M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 13,75 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | - | ||
| M29W128GL7AZS6F TR | - | | 2075 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | Non volatile | 128mbitons | 70 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT29F512G08EEHAFJ4-3RES: A | - | | 3574 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 333 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT29F1G16ABBDAHC-IT: D | - | | 4780 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 140 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | MT46H128M32L2KQ-48 WT: C TR | - | | 1172 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-WFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 208 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5 ns | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | 14.4NS | ||
 | N25q128a11ese40f tr | - | | 8727 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | N25Q128A11 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-so | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 108 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 32m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
 | N25q064a13esf40f tr | - | | 6083 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | N25Q064A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 108 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 16m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms | |||
| MT29E3T08EUHBBM4-3: B Tr | - | | 5411 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29E3T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 3 tbit | Éclair | 384g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT49H32M18CFM-18: B | - | | 5500 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
| Edb4432bbbj-1daut-fr tr | - | | 1981 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 134-WFBGA | EDB4432 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-fbga (10x11,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | - | |||
| MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR | - | | 5160 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 137-VFBGA | MT29C4G96 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 137-VFBGA (13x10,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 4gbit (nand), 4gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
 | MT53B256M32D1NP-062 AIT: C | - | | 9116 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | |||||
| MT47H512M4EB-25E: C Tr | - | | 1574 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H512M4 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (9x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 512m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
| EDF8164A3MC-GD-FR | - | | 1356 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDF8164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - | |||||
 | MT53D384M32D2DS-053 WT ES: C | - | | 6212 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 12gbit | Drachme | 384m x 32 | - | - | ||||
 | MT41K64M16TW-107 IT: J | - | | 8187 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K64M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 368 | 933 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | ||
 | MT28F800B3WG-9 B TR | - | | 2674 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F800B3 | Flash - ni | 3V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs non conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 8mbitons | 90 ns | Éclair | 1m x 8, 512k x 16 | Parallèle | 90ns | |||
| MT41K256M4DA-107: J | - | | 1499 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K256M4 | Sdram - ddr3 | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 4 | Parallèle | - | ||
| MT46V32M16P-5B L: J | - | | 5448 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M | - | | 1689 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | Mourir | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT48LC4M16A2P-6A IT: J TR | 4.3402 | | 4 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 000 | 167 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
| MT41K256M16TW-107 AIT: P | 8.1700 | | 12 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | ||
 | MT47H64M8JN-25E IT: G | - | | 3165 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H64M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 64m x 8 | Parallèle | 15NS | |||
| MT53B384M64D4NZ-053 WT: C | - | | 1632 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 1 866 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - | ||||
 | MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR | - | | 8326 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 1gbit (nand), 512mbit (lpdram) | Flash, Bélier | 128m x 8 (NAND), 32m x 16 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
| Mt29f4t08emlchd4-t: c tr | 83.9100 | | 5910 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-T: CTR | 2 000 |
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