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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E768M32D2FW-046 AIT: C TR | 20.7300 |  | 3312 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-mt53e768m32d2fw-046ait: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT48LC8M16A2P-6A AIT: L | - | | 3640 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 080 | 167 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
| MT62F1G32D4DS-031 AAT: B TR | 32.5650 | | 3030 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
 | MT53E1G16D1FW-046 WT: A | 11.9850 | | 4309 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E1G16D1FW-046WT: A | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | 18n | |||||||
| MT52L256M32D1PU-107 WT ES: B | - | | 5864 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT52L256 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,2 V | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 008 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | ||||||||
 | MT29F4G01ABBFDWB-IT: F | 4.2200 | | 8957 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-UDFN | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-updfn (8x6) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 920 | 83 MHz | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 4G x 1 | Pimenter | - | |||
| MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 | 27.4375 | | 8446 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | - | 557-MT29VZZZBD9GULPR-046W.214 | 1 520 | |||||||||||||||||||||
| Mtfc32gasaons-aat | 23.2950 | | 4687 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-mtfc32gasaons-aat | 1 | 52 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| MT62F2G32D4DS-023 FAAT: C TR | 63.8550 | | 5621 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| Mt53e2d1bfw-dc | 22.5000 | | 7324 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | MT53E2 | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E2D1BFW-DC | 1 360 | |||||||||||||||||||
| MT40A2G16SKL-062E: B | - | | 1953 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A2G16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (10,5x13) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 557-MT40A2G16SKL-062E: B | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 190 | 1,6 GHz | Non volatile | 32 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 2G x 16 | Parallèle | - | ||
| Mt53e2dcds-dc | 22.5000 | | 6498 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | MT53E2 | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 557-MT53E2DCDS-DC | 1 360 | ||||||||||||||||||
 | MT40A8G4BAF-062E: B | - | | 5484 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A8G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (10,5x11) | - | 557-MT40A8G4BAF-062E: B | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 168 | 1,6 GHz | Non volatile | 32 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 8g x 4 | Parallèle | - | ||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT: A | - | | 7094 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53E1G64D4SQ-046AAT: A | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | - | - | ||||||
 | MT40A1G8SA-062E: R TR | 6.0000 | | 6270 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A1G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT40A1G8SA-062E: RTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | 19 ns | Drachme | 1g x 8 | Parallèle | 15NS | |
 | MT57W2MH8CF-5 | 28.3700 | | 518 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - synchrone | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volatil | 18mbitons | 450 PS | Sram | 2m x 8 | Hstl | - | |||
 | MT42L16M32D1AC-25 FAAT: A | - | | 1618 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | MT42L16M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||||
| MT48LC16M16A2P-6A IT: G | - | | 2026 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 080 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
| MT58L128L32F1F-10 | 5.5600 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | MT58L128L32 | Sram - synchrone | 3.135V ~ 3,6 V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volatil | 4mbbitons | 10 ns | Sram | 128k x 32 | Parallèle | - | ||
| MT53E256M32D2FW-046 AIT: B TR | 14.0850 | | 9501 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-mt53e256m32d2fw-046ait: btr | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 8 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | 18n | |||||||
| MT29F8T08EWLGEM5-ITF: G | 304.1700 | | 3163 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F8T08EWLGEM5-ITF: G | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QJ: E | 52.9800 | | 8773 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QJ: E | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT58L64L32PT-7.5 | 6.3000 | | 13 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT58L64L32 | Sram | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatil | 2mbitons | 4 ns | Sram | 64k x 32 | Parallèle | - | ||
| MT58L128L18DT-10 | 4.5300 | | 28 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volatil | 2mbitons | 5 ns | Sram | 128K x 18 | Parallèle | - | |||
| Mt53e4d1cde-dc | 22.5000 | | 6888 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | MT53E4 | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E4D1CDE-DC | 1 360 | |||||||||||||||||||
| Mt25qu128aba1ese-msit tr | - | | 5642 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | MT25QU128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 8-SOP2 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Mt25qu128aba1ese-msittr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT41K64M16TW-107 IT: J TR | 3.6664 | | 2253 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K64M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 1 gbit | 20 ns | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | - | ||
| Mtfc16gltam-wt tr | - | | 2272 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc16g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M | - | | 1075 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||||
| MT62F1G32D2DS-023 FAAT: C TR | 31.9350 | | 5872 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023FAAT: CTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - |
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