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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F4G16ABBDAHC: D TR | - |  | 6638 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F4G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (10.5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 256m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | MT45W4MW16BFB-706 L WT TR | - | | 9416 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x9) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 64mbitons | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
| MT29F1G08ABADAH4: D TR | - | | 4140 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT41K512M8DA-107 AAT: P | 8.8700 | | 3 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K512M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 8 | Parallèle | - | ||
 | MT41K512M16HA-107G: A | - | | 7600 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K512M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (9x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | - | ||
 | Mtfc64gaxauea-wt tr | 7.2600 | | 3248 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | Flash - Nand (SLC) | - | - | - | 557-mtfc64gaxauea-wttr | 2 000 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | UFS2.2 | - | |||||||||
| ECF440AACCN-P2-Y3 | - | | 4163 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | ECF440 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
| MT62F2G32D4DS-023 IT: B | 50.2800 | | 5505 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-mt62f2g32d4ds-023it: b | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
 | MT58L128L36P1T-10 | 7.1600 | | 11 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | MT58L128L36 | Sram | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 4mbbitons | 5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallèle | - | ||
| MT53D1024M64D8WF-053 WT ES: D | - | | 7115 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 1 866 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | - | - | |||||
 | MT29F384G08EBCBBJ4-37: B | - | | 1039 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F384G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1 120 | 267 MHz | Non volatile | 384gbit | Éclair | 48g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT48LC2M32B2P-55: G TR | - | | 1804 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 183 MHz | Volatil | 64mbitons | 5 ns | Drachme | 2m x 32 | Parallèle | - | ||
 | Mt29f8g08abacah4-s: c tr | - | | 2800 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F8G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 8 Gbit | Éclair | 1g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT35XL512ABA1G12-0SIT TR | - | | 3780 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 24 TBGA | MT35XL512 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT35XL512ABA1G12-0SITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Bus xccela | - | ||
 | MT46V16M8P-6T: DTR | - | | 4262 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V16M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 128mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| MT49H64M9FM-25E: B | - | | 1385 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H64M9 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 64m x 9 | Parallèle | - | ||
| MT29F16G08ADACAH4-IT: C | - | | 6310 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F16G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -MT29F16G08ADACAH4-IT: C | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | Parallèle | - | |||
| MT47H64M16NF-187E: M | - | | 9635 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 368 | 533 MHz | Volatil | 1 gbit | 350 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | Mtfc128gajaedn-it tr | 114.0000 | | 2608 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 169-LFBGA | MTFC128 | Flash - Nand | - | 169-LFBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT53D512M32D2DS-046 AIT: D | 20.4400 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | |||
 | MT46V32M16CY-5B AIT: J TR | - | | 4567 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (8x12.5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | M29W400DT55N6F TR | - | | 8566 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W400 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 4mbbitons | 55 ns | Éclair | 512k x 8, 256k x 16 | Parallèle | 55ns | |||
 | MT48LC32M8A2P-7E: G | - | | 8595 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 080 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | 14ns | ||
| MT35XL01GBBA2G12-0AAT TR | - | | 3828 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 24 TBGA | Mt35xl01 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Bus xccela | - | |||
| Mt53d4ddsb-dc | - | | 1852 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | En gros | Actif | MT53D4 | - | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 1 190 | |||||||||||||||||||
 | MT46V32M16BN-75 IT: C | - | | 4018 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | - | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 750 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | Mtfc4gmdea-r1 it | - | | 9716 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-WFBGA | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 520 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | |||||
 | MT25QL256ABA1EW9-0SIT | 5.9500 | | 50 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | MT25QL256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 920 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT29F64G08CFACAWP-Z: C | - | | 7885 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT28F128J3BS-12 ET | - | | 7133 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64-fbga | MT28F128J3 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 4 (72 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128mbitons | 120 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | - |
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