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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F8T08EWLEEM5-QJ: E TR | 211.8900 |  | 1561 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-QJ: ETR | 1 500 | |||||||||||||||||||||
| MT29E3T08EUHBBM4-3ES: B Tr | - | | 7525 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29E3T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 3 tbit | Éclair | 384g x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT41J128M16HA-15E AIT: D | - | | 2558 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41J128M16 | Sdram - ddr3 | 1 425V ~ 1 575 V | 96-FBGA (9x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 667 MHz | Volatil | 2 gbit | 13,5 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | - | |||
| MT49H8M36BM-33: B Tr | - | | 9649 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H8M36 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 300 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 8m x 36 | Parallèle | - | ||
| MT46H128M32L2MC-5 WT: B | - | | 6586 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 240-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 240-WFBGA (14x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 4 Gbit | 5 ns | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
| Mt25ql128abb1ese-0ut tr | 4.2442 | | 3925 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur) | MT25QL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-so | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 1,8 ms | |||
 | MT47H128M8CF-25E: H TR | - | | 7987 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 60-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-fbga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 2 000 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 128m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| MT42L64M32D2HE-18 IT: D | 8.8050 | | 3310 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 134-VFBGA | MT42L64M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 134-VFBGA (10x11,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT42L64M32D2HE-18IT: D | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 100 | 533 MHz | Volatil | 2 gbit | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT29F256G08CMAAAC5: A | - | | 1251 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 52-VLGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT48H16M32LFCM-6 L IT: B | - | | 2208 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| EDF8132A3MA-GD-FD | - | | 5392 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDF8132 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 890 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | - | ||||
| MT29F256G08AUAAAC5-ITZ: A TR | - | | 3942 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 52-VLGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 52-VLGA (18x14) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT29F1G08ABBEAM68M3WC1L | 2.8800 | | 8851 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F1G08ABBEAM68M3WC1L | 1 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | - | - | |||||
 | MT28F640J3RP-115 Met TR | - | | 6690 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F640J3 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 64mbitons | 115 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | - | |||
| MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R TR | - | | 6916 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | Mt29tzzz5 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | ||||||||||||||||
| JS28F256J3F105A | - | | 9844 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F256J3 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 256mbitons | 105 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 105ns | |||
 | MT48LC32M4A2TG-75 L: G | - | | 9655 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC32M4A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 128mbitons | 5.4 ns | Drachme | 32m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
| EMFP112A3PB-DV-FR TR | - | | 7712 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | ||||||||||||||||||
 | MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR | - | | 9067 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 1gbit (nand), 512mbit (lpdram) | Flash, Bélier | 64m x 16 (NAND), 16m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
| EDFP112A3PB-JD-FD TR | - | | 8830 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | EDFP112 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 933 MHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 192m x 128 | Parallèle | - | ||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT: A TR | - | | 7665 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53E1G64D4SQ-046AAT: ATR | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | - | - | ||||||
 | MT48H8M32LFB5-75: H | - | | 5289 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 256mbitons | 5.4 ns | Drachme | 8m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| Mt29f3t08eqhbbg2-3res: b tr | - | | 6462 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | - | MT29F3T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | 272-TBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 3 tbit | Éclair | 384g x 8 | Parallèle | - | |||
| M29W256GL7AZS6F TR | - | | 9191 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | M29W256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | Non volatile | 256mbitons | 70 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | PC28F512P33TFA | - | | 1489 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | AXCELL ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | PC28F512 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 64-Easybga (8x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 800 | 52 MHz | Non volatile | 512mbitons | 95 ns | Éclair | 32m x 16 | Parallèle | 95ns | ||
| MT53D512M64D8TZ-053 WT ES: B TR | - | | 4008 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 1 866 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 512m x 64 | - | - | ||||
| MT62F1G32D4DS-031 IT: B Tr | 25.6350 | | 9353 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031IT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
 | MTFC128GASAQJP-AIT | 51.9900 | | 4865 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | MTFC128 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 1 520 | 200 MHz | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | EMMC | - | |||||
 | MT29F32G08AECCBH1-10Z: C | - | | 5972 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 100 MHz | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | |||
 | MT29F2T08GELBEJ4: B | - | | 1328 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 557-MT29F2T08GELBEJ4: B | OBSOLÈTE | 1 120 | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | Parallèle | - |
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