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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Sic programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A2G8NEA-062E: R TR | 21.7650 |  | 4628 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT40A2G8NEA-062E: RTR | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 2G x 8 | Parallèle | 15NS | ||||
 | MT29F16G08ABCCBH1-AAT: C TR | 36.7600 | | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F16G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 16 Gbit | 20 ns | Éclair | 2G x 8 | Onfi | 20ns | ||||
| MT29F16G08ABCCBH1-AAT: C | 33.8100 | | 874 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F16G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F16G08ABCCBH1-AAT: C | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | Non volatile | 16 Gbit | 20 ns | Éclair | 2G x 8 | Onfi | 20ns | |||
 | Mtfc32gazaqdw-aat | 19.0800 | | 2752 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MTFC32GAZAQDW-AAT | 980 | |||||||||||||||||||
 | MT40A512M16TB-062E: R | 6.2003 | | 8632 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A512M16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (7,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT40A512M16TB-062E: R | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 020 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | 19 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT40A2G8NEA-062E: J Tr | - | | 1208 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT40A2G8 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-fbga (7,5x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT40A2G8NEA-062E: JTR | OBSOLÈTE | 2 000 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 2G x 8 | Parallèle | 15NS | ||||
| MT29F16G08ABECBM72A3WC1L | 26.7100 | | 4582 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F16G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | Tranche | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F16G08ABECBM72A3WC1L | 1 | Non volatile | 16 Gbit | Éclair | 2G x 8 | - | - | ||||||
| MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C TR | 25.0350 | | 9834 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | Rohs3 conforme | 557-MT29VZZZAD81SFSL-046W.22CTR | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT40A1G16KD-062E IT: E | - | | 6136 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A1G16 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 557-MT40A1G16KD-062EIT: E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | 15NS | |||
 | MT53E1G32D2FW-046 WT: B TR | 17.9550 | | 6735 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | MT53E1G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT53E1G32D2FW-046WT: BTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | 18n | ||||
 | MT53E512M32D1ZW-046 WT: B TR | 13.2750 | | 2178 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | MT53E512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT53E512M32D1ZW-046WT: BTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 512m x 32 | Parallèle | 18n | ||||
| MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U | 13.9200 | | 8743 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Actif | MT29AZ5 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U | 1440 | ||||||||||||||||||
| MT29AZ5A5CMGWD-18AT.87C | - | | 9067 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | MT29AZ5 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT29AZ5A5CMGWD-18AT.87C | OBSOLÈTE | 1440 | ||||||||||||||||||
| MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K | - | | 3010 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | Mt29vzzzad9 | - | Rohs3 conforme | 557-MT29VZZZAD9FQFSM-046W.G9K | OBSOLÈTE | 152 | |||||||||||||||||||
 | Mt29f2g08abagawp-aat: g tr | 2.7962 | | 4305 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F2G08ABAGAWP-AAT: GTR | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | 20 ns | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | 20ns | ||||
 | MT29F2G01ABBGD12-AAT: G | 2.7962 | | 6625 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT29F2G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT: G | 8542.32.0071 | 1 122 | 83 MHz | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 2G x 1 | Pimenter | - | Non Vérifié | |||
| MT62F768M64D4EJ-031 AUT: A TR | 118.2000 | | 8751 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT62F768 | - | Atteindre non affecté | 557-MT62F768M64D4EJ-031AUT: ATR | 1 500 | ||||||||||||||||||||
 | MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF: A TR | 70 9650 | | 7425 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F2T08EMHAFJ4-3ITF: ATR | 8542.32.0071 | 2 000 | 333 MHz | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT53E1G32D2NP-046 WT: A | - | | 5645 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E1G32 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 557-MT53E1G32D2NP-046WT: A | OBSOLÈTE | 136 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | - | - | ||||||
| MTFC32GAPALGT-AIT | - | | 3412 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Mtfc32g | Flash - Nand | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MTFC32GAPALGT-AIT | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | ||||||||
| MT40A512M16LY-062E AT: E TR | - | | 8981 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT40A512M16 | Sdram - ddr4 | - | 96-FBGA (7,5x13,5) | - | 557-MT40A512M16LY-062EAT: ETR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 2 000 | 1,6 GHz | Non volatile | 8 Gbit | Drachme | 512m x 16 | - | - | ||||||
| MT53E4D1BSQ-DC TR | 22.5000 | | 7747 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT53E4 | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E4D1BSQ-DCTR | 2 000 | ||||||||||||||||||||
| MT29F1G08ABAFAWP-AAT: F | 2.9984 | | 8103 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F1G08ABAFAWP-AAT: F | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 1 gbit | 20 ns | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | 20ns | ||||
| Mt53e1dbds-dc tr | 22.5000 | | 9059 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT53E1 | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E1DBDS-DCTR | 2 000 | ||||||||||||||||||||
| MT29F4T08EULCEM4-R: C | - | | 6844 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F4T08 | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | 557-MT29F4T08EULCEM4-R: C | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 1 120 | Non volatile | 4 tbit | Éclair | 512g x 8 | Parallèle | - | |||||||
| MT53E512M32D2NP-046 WT: F Tr | - | | 5868 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | Atteindre non affecté | 557-MT53E512M32D2NP-046WT: FTR | OBSOLÈTE | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | |||||
| Mt53e4d1aba-dc tr | 22.5000 | | 4923 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | MT53E4 | - | Atteindre non affecté | 557-MT53E4D1ABA-DCTR | 2 000 | ||||||||||||||||||||
| Mt29f2t08emhbfj4-t: b tr | - | | 2212 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F2T08EMHBFJ4-T: BTR | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 2 tbit | Éclair | 256g x 8 | Parallèle | - | ||||
| MT40A8G4VNE-062H: B | 80.8350 | | 2955 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT40A8G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT40A8G4VNE-062H: B | 8542.32.0071 | 152 | 1,6 GHz | Non volatile | 32 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 8g x 4 | Parallèle | - | |||||||
 | MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G | 2.5267 | | 2047 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | En gros | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G | 1 260 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - |
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