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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48LC4M16A2P-6A IT: J TR | 4.3402 |  | 4 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 2 000 | 167 MHz | Volatil | 64mbitons | 5.4 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | 12ns | ||
 | MT41K256M16TW-107 AIT: P | 8.1700 | | 12 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volatil | 4 Gbit | 20 ns | Drachme | 256m x 16 | Parallèle | - | ||
 | MT53B384M64D4NZ-053 WT: C | - | | 1632 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 | 1 866 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 384m x 64 | - | - | ||||
 | MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR | - | | 8326 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 130-VFBGA | MT29C1G12 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 130-VFBGA (8x9) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile, volatile | 1gbit (nand), 512mbit (lpdram) | Flash, Bélier | 128m x 8 (NAND), 32m x 16 (LPDRAM) | Parallèle | - | ||||
| Mt29f4t08emlchd4-t: c tr | 83.9100 | | 5910 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-T: CTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F256G08CBBJ4-5M: B | - | | 8202 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 8542.32.0071 | 1 000 | 200 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT46H32M32LFJG-5 IT: A TR | - | | 6703 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 1 gbit | 5 ns | Drachme | 32m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| MT62F3G32D8DV-026 WT ES: B Tr | 122.7600 | | 5981 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026WTES: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 3G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| MTFC128GBCAVTC-AAT ES TR | 60 4800 | | 5766 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-mtfc128gbcavtc-aatestr | 2 000 | |||||||||||||||||||||
| MT49H32M18BM-33: B Tr | - | | 2345 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 300 MHz | Volatil | 576mbit | 20 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
| MT29E512G08CKCCBH7-6: C | - | | 2465 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 152-TBGA | MT29E512G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-TBGA (14x18) | - | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT47H128M16RT-25E AIT: C | 13.3500 | | 7967 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H128M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (9x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 260 | 400 MHz | Volatil | 2 gbit | 400 PS | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| EMB4432BBJ-DV-FD | - | | 7586 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | EMB4432 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 0000.00.0000 | 2 100 | |||||||||||||||||
 | NAND512R3A2CZA6E | - | | 9739 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-TFBGA | NAND512 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -Nand512r3a2cza6e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Non volatile | 512mbitons | 50 ns | Éclair | 64m x 8 | Parallèle | 50ns | ||
 | MT29F2G08ABAEAWP-E: E TR | - | | 6217 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT48H16M32L2B5-8 | - | | 7469 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 125 MHz | Volatil | 512mbitons | 7,5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | - | ||
| Mtfc16gjvec-2f wt tr | - | | 4388 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | - | Mtfc16g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 128 GBIT | Éclair | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| MT46H64M32L2JG-5: A | - | | 5757 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 200 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
 | M25px32-vmf6f tr | - | | 9457 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban de Coupé (CT) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | M25px32 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | 75 MHz | Non volatile | 32mbitons | Éclair | 4m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
 | M25px64-vzm6tp tr | - | | 7101 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | M25px64 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 75 MHz | Non volatile | 64mbitons | Éclair | 8m x 8 | Pimenter | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT25QL01GBB8E12E01-2SIT TR | - | | 3206 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | MT25QL01 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MTFC8GLWDQ-3M AIT A | 16.6500 | | 859 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 lbga | Mtfc8 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 lbga (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Mtfc8glwdq-3maita | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | MMC | - | ||||
| MT42L32M16D1AB-3 WT: A TR | - | | 7739 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 121-WFBGA | MT42L32M16 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 121-fbga (6,5x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 333 MHz | Volatil | 512mbitons | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | - | ||||
| MT25QU128ABB8ESF-0UT | 5.9500 | | 4 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur) | MT25QU128 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 16-SOP2 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | -MT25QU128ABB8ESF-0UT | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1440 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 8 ms, 2,8 ms | ||
 | MT58L64L36PT-6TR | 4.2600 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 LQFP | SRAM - Standard | 3.135V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20.1) | télécharger | Non applicable | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 166 MHz | Volatil | 2mbitons | 3,5 ns | Sram | 64k x 36 | Parallèle | - | |||
| MT29F4G08ABBFAM70A3WC1 | 3.5200 | | 5166 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | Mourir | MT29F4G08 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | Mourir | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 4 Gbit | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT41K256M8DA-125 AUT: K TR | 6.5550 | | 8679 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 78-TFBGA | MT41K256M8 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 78-fbga (8x10,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 2 000 | 800 MHz | Volatil | 2 gbit | 13,75 ns | Drachme | 256m x 8 | Parallèle | - | ||
 | MT53E1G64D4NW-046 WT: C | 47.0400 | | 3314 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | Support de surface | 432-VFBGA | MT53E1 | 432-VFBGA (15x15) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT53E1G64D4NW-046WT: C | 1 360 | ||||||||||||||
| MT42L256M32D2LK-25 WT: A TR | - | | 9619 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 216-WFBGA | MT42L256M32 | Sdram - mobile lpddr2 | 1,14 V ~ 1,3 V | 216-FBGA (12x12) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | - | ||||
| N25Q512A13G1241F TR | - | | 3240 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | N25Q512A13 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 108 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 128m x 4 | Pimenter | 8 ms, 5 ms |
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