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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT47R64M16HR-25: H | - |  | 4904 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Abandonné à sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47R64M16 | Sdram - ddr2 | 1,55 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 1 gbit | 400 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT62F3G32D8DV-023 IT: B | 74.6400 | | 2741 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-mt62f3g32d8dv-023it: b | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 3G x 32 | Parallèle | - | ||||||||
| MT47H64M16HR-187E: H | - | | 8895 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H64M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0032 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 1 gbit | 350 PS | Drachme | 64m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT55L256L18P1F-10 | 5.5100 | | 149 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | En gros | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 165-TBGA | Sram - zbt | 3.135V ~ 3 465V | 165-fbga (13x15) | télécharger | Rohs non conforme | 3 (168 Heures) | Vendeur indéfini | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatil | 4mbbitons | 5 ns | Sram | 256k x 18 | Parallèle | - | |||
| MT62F1G128DAWA-031 XT: B TR | 136.0800 | | 3832 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT62F1G128DAWA-031XT: BTR | 2 000 | |||||||||||||||||||||
 | MT49H8M36FM-33 TR | - | | 7958 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H8M36 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-fbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 300 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 8m x 36 | Parallèle | - | ||
| MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR | 20.2200 | | 2110 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 149-VFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 149-VFBGA (8x9,5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112TR | 2 000 | Non volatile, volatile | 8 Gbit | 25 ns | Flash, Bélier | 1g x 8 | Onfi | 30ns | ||||||||
 | RC28F256P30TFF TR | - | | 4887 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 TBGA | RC28F256 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 64-Easybga (10x13) | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 2 000 | 52 MHz | Non volatile | 256mbitons | 100 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 100ns | ||
| MT29GZ5A3BPA-53AAT.87K | - | | 5445 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | MT29GZ5 | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 260 | |||||||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 WT: A | - | | 8793 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | MT53E1G64D4SQ-046WT: A | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | - | - | ||||||
 | MT28F320J3FS-11 Met | - | | 8071 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64-fbga | MT28F320J3 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (10x13) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32mbitons | 110 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | - | |||
 | Mt29f64g08ceccbh1-12itz: c tr | - | | 1782 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT40A8G4VNE-062H: B | 80.8350 | | 2955 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT40A8G4 | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT40A8G4VNE-062H: B | 8542.32.0071 | 152 | 1,6 GHz | Non volatile | 32 Gbit | 13,75 ns | Drachme | 8g x 4 | Parallèle | - | ||||||
| EDF8132A3PF-GD-FR TR | - | | 9408 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDF8132 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 000 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | - | ||||
 | MT46V32M8TG-6T: G TR | - | | 1786 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V32M8 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 167 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 32m x 8 | Parallèle | 15NS | ||
| MT46V128M4CY-5B: J | - | | 3881 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V128M4 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-fbga (8x10) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 368 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 700 PS | Drachme | 128m x 4 | Parallèle | 15NS | ||
 | PC28F064M29EWHX | - | | 8220 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | PC28F064 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (11x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | Non volatile | 64mbitons | 60 ns | Éclair | 8m x 8, 4m x 16 | Parallèle | 60ns | |||
| MT44K64M18RB-083F: A TR | - | | 5923 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K64M18 | Rldram 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 1,2 GHz | Volatil | 1 125 Gbit | 6.67 ns | Drachme | 64m x 18 | Parallèle | - | ||
 | MT46H64M32LFCM-6 IT: A TR | - | | 6052 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (10x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 166 MHz | Volatil | 2 gbit | 5 ns | Drachme | 64m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT53B128M32D1DS-062 AIT: A | - | | 2591 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1,6 GHz | Volatil | 4 Gbit | Drachme | 128m x 32 | - | - | |||
| MTC20C2085S1EC56BAZ | 334.4700 | | 5253 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MTC20C2085S1EC56BAZ | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M | 10.6800 | | 2586 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F1G32D4DR-031 WT: B | 23.5200 | | 7531 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | - | - | 557-MT62F1G32D4DR-031WT: B | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | ||||||||
 | MT28F320J3RP-11 ET TR | - | | 7985 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT28F320J3 | Éclair | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 32mbitons | 110 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | - | |||
 | MT48LC4M32LFB5-8 XT: G | - | | 5305 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | -20 ° C ~ 75 ° C (TA) | Support de surface | 90-VFBGA | MT48LC4M32 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 3V ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 125 MHz | Volatil | 128mbitons | 7 ns | Drachme | 4m x 32 | Parallèle | 15NS | ||
| MT29F32G08CBCCBH1-12Z: C | - | | 5203 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 120 | 83 MHz | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | Parallèle | - | |||
| MT62F768M64D4EK-023 AAT: B | 47.8950 | | 5053 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | - | Support de surface | 441-TFBGA | MT62F768 | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-023AAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 48gbit | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | - | |||||||
 | Mtfc4glgdm-ait z | - | | 8791 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-TFBGA | Mtfc4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 32 Gbit | Éclair | 4G x 8 | MMC | - | ||||
| MT47H32M16HR-25E L: G | - | | 7897 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 84-TFBGA | MT47H32M16 | Sdram - ddr2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-fbga (8x12,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0028 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 512mbitons | 400 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT TR | - | | 3946 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 168-VFBGA | MT29C8G96 | Flash - NAND, LPDRAM MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 168-VFBGA (12x12) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 208 MHz | Non volatile, volatile | 8gbit (nand), 4gbit (lpdram) | Flash, Bélier | 512m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM) | Parallèle | - |
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