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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29w320dt70n6f tr | - |  | 4615 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W320 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 500 | Non volatile | 32mbitons | 70 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT46V16M16P-5B XIT: M | - | | 5780 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur) | MT46V16M16 | Sdram - ddr | 2,5 V ~ 2,7 V | 66 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 080 | 200 MHz | Volatil | 256mbitons | 700 PS | Drachme | 16m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT53D1024M64D8NW-053 WT: D | - | | 2417 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 432-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 432-VFBGA (15x15) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 1 866 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | - | - | |||
 | MT49H8M36BM-25E: B | - | | 4794 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | En gros | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H8M36 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 15 ns | Drachme | 8m x 36 | Parallèle | - | ||
 | MT29F1G08ABADAH4-E: D | - | | 5619 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | - | |||||
 | MT48H4M16LFF4-10 | - | | 8337 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM - LPSDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,9 V | 54-VFBGA (8x8) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0002 | 1 000 | 104 MHz | Volatil | 64mbitons | 7 ns | Drachme | 4m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | TE28F256P33TFA | - | | 1406 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | AXCELL ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | 28F256P33 | Flash - ni | 2,3V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 576 | 40 MHz | Non volatile | 256mbitons | 105 ns | Éclair | 16m x 16 | Parallèle | 105ns | ||
| MT29E3T08EUHBBM4-3: B Tr | - | | 5411 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29E3T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 333 MHz | Non volatile | 3 tbit | Éclair | 384g x 8 | Parallèle | - | |||
| MT53B256M32D1NK-062 XT ES: C TR | - | | 7854 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 000 | 1,6 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | ||||
 | MT29F2G08ABAEAWP-ATX: E | - | | 4616 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 960 | Non volatile | 2 gbit | Éclair | 256m x 8 | Parallèle | - | ||||
 | Mtfc32gjved-it | - | | 3163 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 169-VFBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 169-VFBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT45W2MW16PAFA-85 WT | - | | 9752 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Abandonné à sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 48-VFBGA | MT45W2MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-VFBGA (6x8) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 000 | Volatil | 32mbitons | 85 ns | Psram | 2m x 16 | Parallèle | 85ns | |||
| JS28F128J3F75G | - | | 8587 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | JS28F128J3 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 128mbitons | 75 ns | Éclair | 16m x 8, 8m x 16 | Parallèle | 75ns | |||
 | MT29F1T08CUCABH8-6: A TR | - | | 7888 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 152 LBGA | MT29F1T08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 152 LBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 166 MHz | Non volatile | 1 tbit | Éclair | 128g x 8 | Parallèle | - | |||
 | Mtfc32gasaqhd-aat tr | 19.1400 | | 1955 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MTFC32GASAQHD-AATTR | 2 000 | 200 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | EMMC | - | ||||
| MT29F1G16ABBEAH4-AITX: E | - | | 2223 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | Non volatile | 1 gbit | Éclair | 64m x 16 | Parallèle | - | ||||
 | MTFC32GAPALNA-AIT ES | - | | 4188 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 TBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | - | 100-TBGA (14x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | ||||
 | Mt29f64g08ceccbh1-12it: c | - | | 8284 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 100 VBGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 VBGA (12x18) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 000 | 83 MHz | Non volatile | 64gbit | Éclair | 8g x 8 | Parallèle | - | ||||
 | MT44K32M18RB-093E IT: A | - | | 4743 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K32M18 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 1 066 GHz | Volatil | 576mbit | 8 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
| MTFC32GAKAECN-5M AIT | - | | 7042 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-VFBGA | Mtfc32g | Flash - Nand | - | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 520 | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | MMC | - | ||||
| MT44K16M36RB-107: A | - | | 2021 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 168 TBGA | MT44K16M36 | Drachme | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 933 MHz | Volatil | 576mbit | 10 ns | Drachme | 16m x 36 | Parallèle | - | |||
| Mt25ql128aba1ew7-0m02it | - | | 2178 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | Pad Exposé 8-WDFN | MT25QL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WPDFN (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | 557-MT25QL128ABA1EW7-0M02IT | OBSOLÈTE | 2 940 | 133 MHz | Non volatile | 128mbitons | Éclair | 16m x 8 | Pimenter | 1,8 ms | ||||
| MT29F1G08ABAFAH4-AAT: F Tr | 2.9665 | | 5767 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 557-MT29F1G08ABAFAH4-AAT: FTR | 8542.32.0071 | 2 000 | Non volatile | 1 gbit | 20 ns | Éclair | 128m x 8 | Parallèle | 20ns | |||
 | MT53D512M32D2DS-046 AAT: D | - | | 2423 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | Drachme | 512m x 32 | - | - | |||
| M29W256GH7AN6E | - | | 8097 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | M29W256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | Non volatile | 256mbitons | 70 ns | Éclair | 32m x 8, 16m x 16 | Parallèle | 70ns | |||
 | MT46V32M16BN-75 IT: C | - | | 4018 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 60-TFBGA | MT46V32M16 | Sdram - ddr | 2,3V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12.5) | - | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 133 MHz | Volatil | 512mbitons | 750 PS | Drachme | 32m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
 | MT53E512M16D1FW-046 AIT: D TR | 9.3750 | | 3734 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E512M16D1FW-046AIT: DTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 8 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 18n | |||||||
| MT53B768M32D4TT-062 WT ES: B | - | | 9147 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B768 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 1 (illimité) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 680 | 1,6 GHz | Volatil | 24gbit | Drachme | 768m x 32 | - | - | |||||
 | MT49H32M18SJ-18: B Tr | - | | 3302 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H32M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-fbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1 000 | 533 MHz | Volatil | 576mbit | 15 ns | Drachme | 32m x 18 | Parallèle | - | ||
| EDF8164A3PM-GD-FD | - | | 6034 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | EDF8164 | Sdram - mobile lpddr3 | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | OBSOLÈTE | 0000.00.0000 | 1 190 | 800 MHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 128m x 64 | Parallèle | - |
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