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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page	Sic programmable
EDF8132A3PB-JD-FD	-	RFQ	3336	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	-	EDF8132	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	216-FBGA (12x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 680	933 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	Parallèle	-
NAND512R3A2SN6F	-	RFQ	1864	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	NAND512	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	512mbitons	50 ns	Éclair	64m x 8	Parallèle	50ns
MT47H64M8B6-25E L: D TR	-	RFQ	7394	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-fbga	MT47H64M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT29F4G01ABAFD12-AATES: F	-	RFQ	8709	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	24 TBGA	MT29F4G01	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 122		Non volatile	4 Gbit		Éclair	4G x 1	Pimenter	-
MT53E1G64D4HJ-046 AAT: C	56.5050	RFQ	9598	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	556-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	556-WFBGA (12.4x12.4)	télécharger				557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: C			1	2.133 GHz	Volatil	64gbit	3,5 ns	Drachme	1g x 64	Parallèle	18n
MT40A512M8RH-075E: B Tr	-	RFQ	9458	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A512M8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1,33 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	512m x 8	Parallèle	-
MT28F400B3WG-8 B TR	-	RFQ	7339	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F400B3	Flash - ni	3V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	80ns
Mt53d8dbwf-dc	-	RFQ	5450	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète		Support de surface	376-WFBGA	MT53D8	SDRAM - MOBILE LPDDR4		376-WFBGA (14x14)	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190		Volatil			Drachme
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES: E TR	-	RFQ	1238	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	376-WFBGA	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	376-WFBGA (14x14)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
N25Q128A21BSF40F TR	-	RFQ	2032	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	N25Q128A21	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	16-SOP2	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR	-	RFQ	5160	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	137-VFBGA	MT29C4G96	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	137-VFBGA (13x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 4gbit (lpdram)		Flash, Bélier	256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
MT41K512M8DA-107 IT: P TR	5.7000	RFQ	9214	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K512M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT41K512M8DA-107IT: PTR	EAR99	8542.32.0036	2 000	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
EDFP112A3PF-JDTJ-FR TR	-	RFQ	7866	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	EDFP112	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	933 MHz	Volatil	24gbit		Drachme	192m x 128	Parallèle	-
MT40A1G8WE-083E AAT: B	-	RFQ	2286	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A1G8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (8x12)	télécharger			Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 900	1,2 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	1g x 8	Parallèle	-
MT29F4G08BABWP TR	-	RFQ	7955	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F4G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
MTFC128GAOANAM-WT	-	RFQ	4466	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic				MTFC128				-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 520
MT28F400B5SG-8 T TR	-	RFQ	3459	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	MT28F400B5	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	500		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	80ns
M25px80-vmp6g	-	RFQ	7561	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	M25px80	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	8-VFQFPN (6x5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0071	490	75 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Pimenter	15 ms, 5 ms
N25Q128A13B1241F TR	-	RFQ	5344	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	N25Q128A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT41K1G4DA-107: P TR	-	RFQ	6532	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K1G4	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT41K1G4DA-107: PTR	EAR99	8542.32.0036	2 000	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	1g x 4	Parallèle	-
Mt53d8danz-dc tr	-	RFQ	5271	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic				MT53D8				-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 000
MT41K256M16TW-107 AIT: P	8.1700	RFQ	12	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K256M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
MT29F16G08CBACBWP-12: C Tr	-	RFQ	5421	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F16G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	83 MHz	Non volatile	16 Gbit		Éclair	2G x 8	Parallèle	-
MT46V16M8P-75: D TR	-	RFQ	8425	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V16M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	128mbitons	750 PS	Drachme	16m x 8	Parallèle	15NS
MT53B256M32D1NK-062 XT ES: C	-	RFQ	1515	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53B256	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	1,6 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	-	-
MT40A256M16GE-083E AAT: B	-	RFQ	1175	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A256M16	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 020	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Parallèle	-
Mtfc256gavattc-aat tr	90.4350	RFQ	3154	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-mtfc256gavattc-aattr			2 000
Mt25qu128aba8e54-0sit tr	3,9000	RFQ	8010	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	15-XFBGA, WLCSP	MT25QU128	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	15-xfwlbga	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	5 000	133 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT41K1G4RH-125: E	-	RFQ	3649	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K1G4	Sdram - ddr3	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	4 Gbit	13,75 ns	Drachme	1g x 4	Parallèle	-
MT42L32M16D1AB-25 IT: A TR	5.5914	RFQ	5602	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	121-WFBGA	MT42L32M16	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,3 V	121-fbga (6,5x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	400 MHz	Volatil	512mbitons		Drachme	32m x 16	Parallèle	-	Non Vérifié

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Volume de RFQ moyen quotidien
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Unité de produit standard
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Mémoire (10402)

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