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Mémoire (10402)

Image Numéro de Produit Prix (USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Tension - alimentation Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fréquence d'Horloge Type de Mémoire Taille de la Mémoire Heure d'accès Format de Mémoire Organisation de Mémoire Interface de Mémoire Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT40A2G8NEA-062E:J TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E: J Tr -
RFQ
 ECAD 1208 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Obsolète 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 78-TFBGA MT40A2G8 Sdram - ddr4 1,14 V ~ 1,26 V 78-fbga (7,5x11) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) 557-MT40A2G8NEA-062E: JTR OBSOLÈTE 2 000 1,6 GHz Volatil 16 Gbit 19 ns Drachme 2G x 8 Parallèle 15NS
MT40A2G8NEA-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E: R TR 21.7650
RFQ
 ECAD 4628 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 78-TFBGA MT40A2G8 Sdram - ddr4 1,14 V ~ 1,26 V 78-fbga (7,5x11) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 557-MT40A2G8NEA-062E: RTR 2 000 1,6 GHz Volatil 16 Gbit 13,75 ns Drachme 2G x 8 Parallèle 15NS
MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-AAT: C TR 36.7600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 100 VBGA MT29F16G08 Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V 100 VBGA (12x18) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 3A991B1A 8542.32.0071 2 000 Non volatile 16 Gbit 20 ns Éclair 2G x 8 Onfi 20ns
MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-AAT: C 33.8100
RFQ
 ECAD 874 0,00000000 Micron Technology Inc. - En gros Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 100 VBGA MT29F16G08 Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V 100 VBGA (12x18) - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 557-MT29F16G08ABCCBH1-AAT: C 3A991B1A 8542.32.0071 1 120 Non volatile 16 Gbit 20 ns Éclair 2G x 8 Onfi 20ns
MTFC32GAZAQDW-AAT Micron Technology Inc. Mtfc32gazaqdw-aat 19.0800
RFQ
 ECAD 2752 0,00000000 Micron Technology Inc. - En gros Actif - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 557-MTFC32GAZAQDW-AAT 980
MT29F16G08ABECBM72A3WC1L Micron Technology Inc. MT29F16G08ABECBM72A3WC1L 26.7100
RFQ
 ECAD 4582 0,00000000 Micron Technology Inc. - En gros Actif 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Support de surface Mourir MT29F16G08 Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V Tranche - Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 557-MT29F16G08ABECBM72A3WC1L 1 Non volatile 16 Gbit Éclair 2G x 8 - -
MT40A1G16KD-062E IT:E Micron Technology Inc. MT40A1G16KD-062E IT: E -
RFQ
 ECAD 6136 0,00000000 Micron Technology Inc. - Plateau Obsolète -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 96-TFBGA MT40A1G16 Sdram - ddr4 1,14 V ~ 1,26 V 96-FBGA (9x13) télécharger Rohs3 conforme Atteindre non affecté 557-MT40A1G16KD-062EIT: E 3A991B1A 8542.32.0071 1 1,6 GHz Volatil 16 Gbit 19 ns Drachme 1g x 16 Parallèle 15NS
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 WT: B TR 17.9550
RFQ
 ECAD 6735 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 200-TFBGA MT53E1G32 SDRAM - MOBILE LPDDR4 1 06 V ~ 1,17 V 200-TFBGA (10x14,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 557-MT53E1G32D2FW-046WT: BTR 2 000 2.133 GHz Volatil 32 Gbit 3,5 ns Drachme 1g x 32 Parallèle 18n
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 WT: B TR 13.2750
RFQ
 ECAD 2178 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Support de surface 200-TFBGA MT53E512 SDRAM - MOBILE LPDDR4 1 06 V ~ 1,17 V 200-TFBGA (10x14,5) télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté 557-MT53E512M32D1ZW-046WT: BTR 2 000 2.133 GHz Volatil 16 Gbit 3,5 ns Drachme 512m x 32 Parallèle 18n
MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C TR 25.0350
RFQ
 ECAD 9834 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif - Rohs3 conforme 557-MT29VZZZAD81SFSL-046W.22CTR 1
MT62F768M64D4ZU-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4ZU-026 WT: B 27.9300
RFQ
 ECAD 6515 0,00000000 Micron Technology Inc. - Boîte Actif -25 ° C ~ 85 ° C - - MT62F768 Sdram - mobile lpddr5 - - - 557-MT62F768M64D4ZU-026WT: B 1 3,2 GHz Volatil 48gbit Drachme 768m x 64 Parallèle -
MT53E1536M64D8HJ-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 WT: B Tr 69.2400
RFQ
 ECAD 6178 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif -25 ° C ~ 85 ° C Support de surface 556-TFBGA SDRAM - MOBILE LPDDR4 - 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: BTR 2 000 2.133 GHz Volatil 96 Gbit Drachme 1,5 mx 64 - -
MTFC32GAZAQHD-WT TR Micron Technology Inc. Mtfc32gazaqhd-wt tr 14.3400
RFQ
 ECAD 1213 0,00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Ruban Adhésif (tr) Actif -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Support de surface 153-VFBGA Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V 153-VFBGA (11,5x13) - 557-MTFC32GAZAQHD-WTTR 2 000 200 MHz Non volatile 256 GBIT Éclair 32g x 8 EMMC_5.1 -
MT29F8T08ESLEEG4-QB:E Micron Technology Inc. MT29F8T08ESLEEG4-QB: E 211.8900
RFQ
 ECAD 5592 0,00000000 Micron Technology Inc. - Boîte Actif - 557-mt29f8t08esleeg4-qb: e 1
MT29F8T08EWLEEM5-T:E TR Micron Technology Inc. Mt29f8t08ewleem5-t: e tr 171.6300
RFQ
 ECAD 8452 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C - - Flash - Nand (TLC) - - - 557-MT29F8T08EWLEEM5-T: ETR 1 500 Non volatile 8 tbit Éclair 1t x 8 Parallèle -
MT53E512M64D4HJ-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53E512M64D4HJ-046 WT: D -
RFQ
 ECAD 3117 0,00000000 Micron Technology Inc. - Boîte Obsolète - 557-MT53E512M64D4HJ-046WT: D OBSOLÈTE 1
MT53E512M16D1FW-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M16D1FW-046 AIT: D TR 9.3750
RFQ
 ECAD 3734 0,00000000 Micron Technology Inc. Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Support de surface 200-TFBGA Sdram - mobile lpddr4x 1 06 V ~ 1,17 V 200-TFBGA (10x14,5) - 557-MT53E512M16D1FW-046AIT: DTR 2 000 2.133 GHz Volatil 8 Gbit 3,5 ns Drachme 512m x 16 Parallèle 18n
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046 AAT: D 19.1100
RFQ
 ECAD 6041 0,00000000 Micron Technology Inc. Automobile, AEC-Q100 Boîte Acheter la Dernière -40 ° C ~ 105 ° C Support de surface 200-TFBGA SDRAM - MOBILE LPDDR4 - 200-TFBGA (10x14,5) télécharger 557-MT53E512M32D2FW-046AAT: D 1 2.133 GHz Volatil 16 Gbit Drachme 512m x 32 Parallèle -
MTFC256GAXAUEA-WT TR Micron Technology Inc. Mtfc256gaxauea-wt tr 27.5700
RFQ
 ECAD 9228 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif -25 ° C ~ 85 ° C Support de surface 153-WFBGA Flash - Nand (SLC) - 153-WFBGA (11,5x13) - 557-mtfc256gaxauea-wttr 2 000 Non volatile 2 tbit Éclair 256g x 8 UFS -
MT53E2G64D8TN-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AAT: A 122.8500
RFQ
 ECAD 7137 0,00000000 Micron Technology Inc. Automobile, AEC-Q100 Boîte Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Support de surface 556-LFBGA Sdram - mobile lpddr4x 1 06 V ~ 1,17 V 556-LFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E2G64D8TN-046AAT: A 1 2.133 GHz Volatil 128 GBIT 3,5 ns Drachme 2G x 64 Parallèle 18n
MT29F8T08GULCEM4-QA:C Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4-QA: C 156.3000
RFQ
 ECAD 4244 0,00000000 Micron Technology Inc. - Boîte Actif - 557-MT29F8T08GULCEM4-QA: C 1
MT62F3G32D8DV-026 AAT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AAT ES: B TR 163.3950
RFQ
 ECAD 1840 0,00000000 Micron Technology Inc. Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C - - Sdram - mobile lpddr5 - - - 557-mt62f3g32d8dv-026aates: btr 2 000 3,2 GHz Volatil 96 Gbit Drachme 3G x 32 Parallèle -
MT29F1T08EELEEJ4-QA:E TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEEEJ4-QA: E TR 26.4750
RFQ
 ECAD 8139 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif - 557-MT29F1T08EELEEJ4-QA: ETR 2 000
MT29F2T08EMLEEJ4-R:E TR Micron Technology Inc. Mt29f2t08emleej4-r: e tr 42.9300
RFQ
 ECAD 4484 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C Support de surface 132-VBGA Flash - Nand (TLC) 2,6V ~ 3,6 V 132-VBGA (12x18) - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-R: ETR 2 000 Non volatile 2 tbit Éclair 256g x 8 Parallèle -
MTFC64GBCAQDQ-AAT ES TR Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQDQ-AAT ES TR 29.4000
RFQ
 ECAD 9810 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif - 557-mtfc64gbcaqdq-aatestr 1 500
MTFC128GASAQJP-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC128GASAQJP-AAT TR 57.1950
RFQ
 ECAD 8045 0,00000000 Micron Technology Inc. Automobile, AEC-Q100 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Support de surface 153-VFBGA Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V 153-VFBGA (11,5x13) - 557-MTFC128GASAQJP-AATTR 2 000 200 MHz Non volatile 1 tbit Éclair 128g x 8 EMMC_5.1 -
MT29F8T08EULCHD5-T:C TR Micron Technology Inc. Mt29f8t08eulchd5-t: c tr 167.8050
RFQ
 ECAD 6803 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif - 557-MT29F8T08EULCHD5-T: CTR 2 000
MT29VZZZCDA1SKPR-046 W.181 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZCDA1SKPR-046 W.181 TR 63.1200
RFQ
 ECAD 1764 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif - 557-MT29VZZZCDA1SKPR-046W.181TR 2 000
MT29F4T08EULEEM4-T:E TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULEEM4-T: E TR 85.8150
RFQ
 ECAD 2502 0,00000000 Micron Technology Inc. - Ruban Adhésif (tr) Actif 0 ° C ~ 70 ° C Support de surface 132-BGA Flash - Nand (TLC) 2,6V ~ 3,6 V 132 LBGA (12x18) - 557-MT29F4T08EULEEM4-T: ETR 2 000 Non volatile 4 tbit Éclair 512g x 8 Parallèle -
MT53E384M32D2FW-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 AIT: E 10.7700
RFQ
 ECAD 2007 0,00000000 Micron Technology Inc. - Boîte Actif télécharger 557-mt53e384m32d2fw-046ait: e 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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