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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
M29W320ET70N6F TR	-	RFQ	1987	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W320	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500		Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	70ns
EDB1316BDBH-1DAUT-FD	-	RFQ	3529	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	134-VFBGA	EDB1316	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	134-VFBGA (10x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	2 100	533 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	-
MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR	5.5648	RFQ	6756	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28EW128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 600		Non volatile	128mbitons	95 ns	Éclair	16m x 8, 8m x 16	Parallèle	60ns
M29W640GL7AZF6E	-	RFQ	2263	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	M29W640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-TBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	136		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	70ns
NAND256W3A2BN6E	-	RFQ	7549	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	NAND256	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	576		Non volatile	256mbitons	50 ns	Éclair	32m x 8	Parallèle	50ns
MT53B512M64D8HR-053 WT ES: B TR	-	RFQ	7482	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	2 000	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT48LC64M4A2P-75: D	-	RFQ	2458	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC64M4A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	64m x 4	Parallèle	15NS
MT29F4T08EQLCEG8-R: C	121.0800	RFQ	6867	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT29F4T08EQLCEG8-R: C			1
MT45W1MW16PDGA-70 IT TR	-	RFQ	9807	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	48-VFBGA	MT45W1MW16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	16mbitons	70 ns	Psram	1m x 16	Parallèle	70ns
Mtedfae8sca-1p2	-	RFQ	7758	Micron Technology Inc.	-	Tube	Actif				Mtedfae8				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	150
MT29F8T08GULBEM4: B	-	RFQ	4793	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète		-	-	MT29F8T08			-	-				557-MT29F8T08GULBEM4: B	OBSOLÈTE		1 120
MT46V64M8TG-6T L: F	-	RFQ	3777	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	4 (72 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT46V128M4BN-6: F Tr	-	RFQ	5111	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V128M4	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	128m x 4	Parallèle	15NS
MT53D768M64D8SQ-046 WT ES: E TR	-	RFQ	9311	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	556-VFBGA	MT53D768	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	556-VFBGA (12.4x12.4)	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	2.133 GHz	Volatil	48gbit		Drachme	768m x 64	-	-
MT53D768M32D4BD-053 WT: C	-	RFQ	2235	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D768	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	768m x 32	-	-
MT29F64G08CBABAWP: B TR	-	RFQ	7865	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F64G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT48H16M32L2F5-10	-	RFQ	3897	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48H16M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,9 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	100 MHz	Volatil	512mbitons	7,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
MT25TL01GHBB8E12-0AAT	-	RFQ	6351	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	MT25TL01	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 122	133 MHz	Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
M29f400fb5am6f2 tr	-	RFQ	7513	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	M29F400	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	500		Non volatile	4mbbitons	55 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	55ns
JS28F512M29EWH0	-	RFQ	3576	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JS28F512M29	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0051	96		Non volatile	512mbitons	110 ns	Éclair	64m x 8, 32m x 16	Parallèle	110ns
MT47H512M8WTR-25E: C TR	-	RFQ	8640	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	63-TFBGA	MT47H512M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	63-fbga (9x11,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	400 MHz	Volatil	4 Gbit	400 PS	Drachme	512m x 8	Parallèle	15NS
MT29F64G08CBEFBWP: F	-	RFQ	8075	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F64G08	Flash - Nand (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	Vendeur indéfini			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	Parallèle	-
MT41K2G4RKB-107: P TR	24.1650	RFQ	9585	Micron Technology Inc.	Twindie ™	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K2G4	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	MT41K2G4RKB-107: PTR	EAR99	8542.32.0036	2 000	933 MHz	Volatil	8 Gbit	20 ns	Drachme	2G x 4	Parallèle	15NS
MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR	-	RFQ	4943	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-WFBGA	MT29C4G96	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	168-WFBGA (12x12)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	208 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 4gbit (lpdram)		Flash, Bélier	256m x 16 (NAND), 128m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
PC28F640J3D75E	-	RFQ	7689	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	PC28F640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	864		Non volatile	64mbitons	75 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	75ns
Mtfc32gjded-3m wt tr	-	RFQ	8542	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	169-VFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	1,65 V ~ 3,6 V	169-VFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT46H64M32LFCM-5 IT: A	-	RFQ	9268	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT46H64M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	90-VFBGA (10x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	200 MHz	Volatil	2 gbit	5 ns	Drachme	64m x 32	Parallèle	15NS
N25Q064A13ESEH0F TR	-	RFQ	7976	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-SOIC (0,209 ", 5,30 mm de grandeur)	N25Q064A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-So W	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500	108 MHz	Non volatile	64mbitons		Éclair	16m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT46H32M16LFBF-6 AAT: C TR	-	RFQ	6771	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H32M16	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 000	166 MHz	Volatil	512mbitons	5 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
Mt29f4t08eyhbbg9-3r: b tr	-	RFQ	3823	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F4T08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	333 MHz	Non volatile	4 tbit		Éclair	512g x 8	Parallèle	-

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