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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Noms Autres | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E2G32D4DE-046 WT: C | 42.4500 |  | 7309 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-MT53E2G32D4DE-046WT: C | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | 18n | ||
| MT62F1536M64D8CL-023 WT: B | 55.3050 | | 9548 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F1536M64D8CL-023WT: B | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 GX 64 | Parallèle | - | |||
| MT29F2T08EELCHD4-QA: C TR | 41.9550 | | 3226 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-QA: CTR | 2 000 | ||||||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AAT: C | 56.5050 | | 9598 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 556-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | télécharger | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: C | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 1g x 64 | Parallèle | 18n | ||
| MT41K512M16VRP-107 IT: P TR | 15.2250 | | 9429 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-FBGA (8x14) | - | 557-MT41K512M16VRP-107IT: PTR | 2 000 | 933 MHz | Volatil | 8 Gbit | 20 ns | Drachme | 512m x 16 | Parallèle | 15NS | ||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT: B TR | 83.7750 | | 2318 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 556-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-mt53e1536m64d8hj-046ait: btr | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 mx 64 | - | - | |||
| MT62F3G32D8DV-023 AAT: B TR | 94.8300 | | 1764 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AAT: BTR | 2 000 | 4.266 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 3G x 32 | Parallèle | - | |||
| MT62F1G32D2DS-023 IT: B Tr | 25.1400 | | 3922 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | |||
 | MT53E128M32D2FW-046 AUT: A | 8.7450 | | 9329 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AUT: A | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 4 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 128m x 32 | Parallèle | 18n | ||
| MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C TR | 60 5400 | | 1980 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: CTR | 2 000 | ||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-026 WT: C | 22.8450 | | 5308 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT: C | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | |||
| MT62F2G64D8EK-023 WT ES: C TR | 90.4650 | | 6658 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES: CTR | 2 000 | 4.266 GHz | Volatil | 128 GBIT | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | - | |||
| MT53E1G32D2FW-046 WT: A | 22.0050 | | 9440 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046WT: A | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | 18n | |||
| MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR | 83.2350 | | 3193 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 254-BGA | Flash - Nand, dram - lpddr4x | - | 254 MCP | - | 557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0JTR | 2 000 | 2.133 GHz | Non volatile, volatile | 2Tbit (NAND), 48gbit (LPDDR4X) | Flash, Bélier | 256g x 8 (NAND), 1,5 GX 32 (LPDDR4X) | UFS2.1 | - | |||
| MT29F4T08EMLCHD4-QJ: C | 83.9100 | | 5287 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-QJ: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AUT: C | 64.9800 | | 2649 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AUT: C | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | 18n | ||
 | MT53E768M64D4HJ-046 AAT: C TR | 64.0350 | | 3574 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 556-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | Rohs3 conforme | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | 3,5 ns | Drachme | 768m x 64 | Parallèle | 18n | |
| MT62F1G32D4DS-031 AAT: B | 32.5650 | | 2651 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT: B | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | |||
| Mtfc32gapalgt-s1 | 25.8300 | | 6204 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | 557-mtfc32gapalgt-s1it | 1 | 200 MHz | Non volatile | 256 GBIT | Éclair | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||
| MTC20C2085S1EC56BAZ | 334.4700 | | 5253 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MTC20C2085S1EC56BAZ | 1 | ||||||||||||||||
| Mtfc128gaxauea-wt tr | 14.0250 | | 5269 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MTFC128GAXAUEA-WTTR | 2 000 | ||||||||||||||||
| MT29F4T08GMLCEJ4-QM: C | 78.1500 | | 4940 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F2T08ELLEEG7-QD: E | 52.9800 | | 3786 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F2T08ELLEEG7-QD: E | 1 | ||||||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AAT: C TR | 56.5050 | | 1283 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 556-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-WFBGA (12.4x12.4) | télécharger | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | 3,5 ns | Drachme | 1g x 64 | Parallèle | 18n | ||
| MT53E1536M32D4DE-046 AIT: B | 44.2350 | | 8780 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-mt53e1536m32d4de-046ait: b | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | 3,5 ns | Drachme | 1,5 GX 32 | Parallèle | 18n | ||
| MT53E1G16D1FW-046 AAT: A TR | 15.9600 | | 3441 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-MT53E1G16D1FW-046AAT: ATR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 16 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 1g x 16 | Parallèle | 18n | ||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT: C | 31.9350 | | 2429 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: C | 1 | 3,2 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | |||
| MT62F1G32D2DS-023 IT: C TR | 25.1400 | | 2118 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT: CTR | 2 000 | ||||||||||||||||
| MT29F4T08EULCEM4-QJ: C TR | 121.0800 | | 8818 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F4T08EULCEM4-QJ: CTR | 2 000 | ||||||||||||||||
| MTFC256GAZAOTD-AIT | 90.5250 | | 6889 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MTFC256GAZAOTD-AIT | 1 |
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30 000 000
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