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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
Edb5432bepa-1dit-fr tr	-	RFQ	7586	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-WFBGA	EDB5432	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	168-WFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	533 MHz	Volatil	512mbitons		Drachme	16m x 32	Parallèle	-
MT29C1G12MAACVAMD-5	-	RFQ	5175	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	130-VFBGA	MT29C1G12	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	130-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000	200 MHz	Non volatile, volatile	1gbit (nand), 512mbit (lpdram)		Flash, Bélier	64m x 16 (NAND), 32m x 16 (LPDRAM)	Parallèle	-
MT53E1G16D1FW-046 AAT: A TR	15.9600	RFQ	3441	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-TFBGA		Sdram - mobile lpddr4x	1 06 V ~ 1,17 V	200-TFBGA (10x14,5)	télécharger				557-MT53E1G16D1FW-046AAT: ATR			2 000	2.133 GHz	Volatil	16 Gbit	3,5 ns	Drachme	1g x 16	Parallèle	18n
MT47H32M16HR-3: F	-	RFQ	1167	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H32M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-1466	EAR99	8542.32.0024	1 000	333 MHz	Volatil	512mbitons	450 PS	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
MT62F2G32D4DS-023 FAAT: C TR	63.8550	RFQ	5621	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif								-				557-MT62F2G32D4DS-023FAAT: CTR			2 000
Nand16gw3d2bn6e	-	RFQ	1217	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	NAND16G	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-Nand16gw3d2bn6e	3A991B1A	8542.32.0051	96		Non volatile	16 Gbit	25 ns	Éclair	2G x 8	Parallèle	25ns
MT29F4G01ABAFDWB-IT: F	-	RFQ	6253	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	8-UDFN	MT29F4G01	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	8-updfn (8x6) (MLP8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-Mt29f4g01abafdwb-it: ftr	3A991B1A	8542.32.0071	1 560		Non volatile	4 Gbit		Éclair	4G x 1	Pimenter	-
MT41K512M8DA-107 V: P TR	7.4400	RFQ	8442	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Pas de designs les nouveaux	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K512M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (8x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	933 MHz	Volatil	4 Gbit	20 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	-
Mt46h32m16lfbf-6 à: c tr	-	RFQ	4945	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	60-VFBGA	MT46H32M16	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	166 MHz	Volatil	512mbitons	5 ns	Drachme	32m x 16	Parallèle	15NS
EDB2432BCPE-8D-FD	-	RFQ	9423	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	168-WFBGA	EDB2432	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	168-WFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 680	400 MHz	Volatil	2 gbit		Drachme	64m x 32	Parallèle	-
MT48H16M32L2B5-10 IT TR	-	RFQ	2720	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48H16M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,9 V	90-VFBGA (8x13)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	100 MHz	Volatil	512mbitons	7,5 ns	Drachme	16m x 32	Parallèle	-
M29F200BT70M6E	-	RFQ	4211	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	M29F200	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	44-so	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	16		Non volatile	2mbitons	70 ns	Éclair	256k x 8, 128k x 16	Parallèle	70ns
N25Q256A11E1240F TR	-	RFQ	1685	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	N25Q256A11	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	24-T-PBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 500	108 MHz	Non volatile	256mbitons		Éclair	64m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT29F4G01AAADDHC-IT: D TR	-	RFQ	5656	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F4G01	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (10.5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4 Gbit		Éclair	4G x 1	Pimenter	-
MT58L128L18PT-10	4.9100	RFQ	520	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volatil	2mbitons	5 ns	Sram	128K x 18	Parallèle	-
MT47H128M16RT-25E: C	14.6300	RFQ	3	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H128M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (9x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 260	400 MHz	Volatil	2 gbit	400 PS	Drachme	128m x 16	Parallèle	15NS
MT53B512M32D2DS-062 AAT: C	-	RFQ	9105	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53B512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1,6 GHz	Volatil	16 Gbit		Drachme	512m x 32	-	-
MT46H256M32L4JV-5 WT: B TR	-	RFQ	5437	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-VFBGA	MT46H256M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	168-VFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0036	1 000	200 MHz	Volatil	8 Gbit	5 ns	Drachme	256m x 32	Parallèle	15NS
MT46V32M8TG-75 IT: G TR	-	RFQ	2252	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	750 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
MT48V8M16LFB4-8: G	-	RFQ	3883	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48V8M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	2,3V ~ 2,7 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	125 MHz	Volatil	128mbitons	7 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
MT28F400B3SG-8 TET	-	RFQ	7473	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	44-SOIC (0 496 ", 12,60 mm de grandeur)	MT28F400B3	Flash - ni	3V ~ 3,6 V	44-so	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	500		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8, 256k x 16	Parallèle	80ns
M58WR032KB7AZB6E	-	RFQ	5823	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-VFBGA	M58WR032	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	56-VFBGA (7.7x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	336	66 MHz	Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	2m x 16	Parallèle	70ns
MT29F384G08EBHBBJ4-3RES: B TR	-	RFQ	5044	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F384G08	Flash - Nand	2,5 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	333 MHz	Non volatile	384gbit		Éclair	48g x 8	Parallèle	-
MT47H64M16HR-25E AAT: H TR	-	RFQ	8925	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	84-TFBGA	MT47H64M16	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	84-fbga (8x12,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0032	1 000	400 MHz	Volatil	1 gbit	400 PS	Drachme	64m x 16	Parallèle	15NS
MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT	-	RFQ	9007	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	130-VFBGA	MT29C4G48	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	130-VFBGA (8x9)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 782	208 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 2gbit (lpdram)		Flash, Bélier	512m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
MT53D384M16D1NP-046 XT ES: D TR	-	RFQ	4393	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)			MT53D384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	2 000	2.133 GHz	Volatil	6gbit		Drachme	384m x 16	-	-
Mt45w4mw16pcga-70 it tr	-	RFQ	8508	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	48-VFBGA	MT45W4MW16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V	48-VFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0041	1 000		Volatil	64mbitons	70 ns	Psram	4m x 16	Parallèle	70ns
N25q008a11ef440f tr	-	RFQ	5504	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)			N25Q008A11	Flash - ni	1,7 V ~ 2V		-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	4 000	108 MHz	Non volatile	8mbitons		Éclair	1m x 8	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT28F004B3VG-8 TET	-	RFQ	4263	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	40-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT28F004B3	Flash - ni	3V ~ 3,6 V	40 TSOP I	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1 000		Non volatile	4mbbitons	80 ns	Éclair	512k x 8	Parallèle	80ns
M29F002BT70K6E	-	RFQ	6931	Micron Technology Inc.	-	Tube	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	32 LCC (J-LEAD)	M29F002	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	32-PLCC (11.35x13.89)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	32		Non volatile	2mbitons	70 ns	Éclair	256k x 8	Parallèle	70ns

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