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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT47H64M8CB-25: B	-	RFQ	8606	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	60-fbga	MT47H64M8	Sdram - ddr2	1,7 V ~ 1,9 V	60-fbga	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	400 MHz	Volatil	512mbitons	400 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT29F1G08ABAEAH4: E TR	3.0700	RFQ	705	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F1G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Parallèle	-
MT48H16M16LFBF-75 AT: G TR	-	RFQ	7852	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48H16M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	54-VFBGA (8x9)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	15NS
EDFB164A1PB-JD-FD	-	RFQ	6746	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	EDFB164	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	933 MHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	Parallèle	-
MT41K256M16HA-125 M AIT: E	-	RFQ	4803	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K256M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	4 Gbit	13,75 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
M29W160ET70N3E	-	RFQ	8751	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29W160	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	-M29W160ET70N3E	EAR99	8542.32.0071	96		Non volatile	16mbitons	70 ns	Éclair	2m x 8, 1m x 16	Parallèle	70ns
EDFP112A3PB-JD-FD	-	RFQ	1479	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TA)	-	-	EDFP112	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	933 MHz	Volatil	24gbit		Drachme	192m x 128	Parallèle	-
MT62F1536M64D8EK-023 WT: B TR	67.8450	RFQ	6633	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	Support de surface	441-TFBGA		Sdram - mobile lpddr5	-	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F1536M64D8EK-023WT: BTR			1 500	4.266 GHz	Volatil	96 Gbit		Drachme	1,5 GX 64	Parallèle	-
M29w160et70za6f tr	-	RFQ	5676	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFBGA	M29W160	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	2 500		Non volatile	16mbitons	70 ns	Éclair	2m x 8, 1m x 16	Parallèle	70ns
MT40A256M16GE-083E AUT: B	-	RFQ	1223	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A256M16	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 020	1,2 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	256m x 16	Parallèle	-
MT46H128M32L2KQ-48 WT: C	-	RFQ	9972	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	168-WFBGA	MT46H128M32	SDRAM - LPDDR MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	168-WFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 008	208 MHz	Volatil	4 Gbit	5 ns	Drachme	128m x 32	Parallèle	14.4NS
MT41J128M16HA-15E: D TR	-	RFQ	8224	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41J128M16	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	667 MHz	Volatil	2 gbit	13,5 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	-
M29F800DT70N6	-	RFQ	4038	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M29F800	Flash - ni	4,5 V ~ 5,5 V	48 TSOP	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	96		Non volatile	8mbitons	70 ns	Éclair	1m x 8, 512k x 16	Parallèle	70ns
MT53E2G32D4DT-046 WT ES: A TR	96.1650	RFQ	1726	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53E2G32	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-			Atteindre non affecté	557-MT53E2G32D4DT-046WTES: ATR			2 000	2.133 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	2G x 32	-	-
MT42L16M32D1LG-25 FAAT: A	-	RFQ	6867	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	168-WFBGA	MT42L16M32	Sdram - mobile lpddr2	1,14 V ~ 1,95 V	168-WFBGA (12x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0032	1 000	400 MHz	Volatil	512mbitons		Drachme	16m x 32	Parallèle	-
MT48V8M16LFB4-8 XT: G TR	-	RFQ	2152	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic	-20 ° C ~ 75 ° C (TA)	Support de surface	54-VFBGA	MT48V8M16	SDRAM - LPSDR MOBILE	2,3V ~ 2,7 V	54-VFBGA (8x8)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	125 MHz	Volatil	128mbitons	7 ns	Drachme	8m x 16	Parallèle	15NS
Mtfc4gmuea-wt	-	RFQ	3181	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-WFBGA	Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-WFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
MT40A1G8SA-062E: J Tr	-	RFQ	2861	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A1G8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7,5x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		MT40A1G8SA-062E: JTR	EAR99	8542.32.0036	2 000	1,6 GHz	Volatil	8 Gbit	19 ns	Drachme	1g x 8	Parallèle	15NS
MT29F1G08ABBDAM68A3WC1	-	RFQ	3687	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F1G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Non volatile	1 gbit		Éclair	128m x 8	Parallèle	-
MT29F32G08CFACAWP: C	-	RFQ	7108	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F32G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	Parallèle	-
Mtfc8glxea-wt	-	RFQ	7452	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-WFBGA	Mtfc8	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-WFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	64gbit		Éclair	8g x 8	MMC	-
MT48LC16M4A2TG-7E: G	-	RFQ	6079	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC16M4A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	133 MHz	Volatil	64mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 4	Parallèle	14ns
MT49H64M9FM-25E: B	-	RFQ	1385	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Abandonné à sic	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	144-TFBGA	MT49H64M9	Drachme	1,7 V ~ 1,9 V	144 µbga (18,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B2A	8542.32.0028	1 000	400 MHz	Volatil	576mbit	15 ns	Drachme	64m x 9	Parallèle	-
MT29F128G08CBCEBJ4-37: E TR	-	RFQ	1139	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	132-VBGA	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	132-VBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	2 000	267 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR	-	RFQ	4252	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	137-VFBGA	MT29C4G48	Flash - NAND, LPDRAM MOBILE	1,7 V ~ 1,95 V	137-VFBGA (13x10,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	208 MHz	Non volatile, volatile	4gbit (nand), 2gbit (lpdram)		Flash, Bélier	512m x 8 (NAND), 64m x 32 (LPDRAM)	Parallèle	-
EMB4432BBJ-DV-FD	-	RFQ	7586	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif				EMB4432				-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté			0000.00.0000	2 100
MT29F8G08ABABAM61A3WC1	-	RFQ	2186	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F8G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1		Non volatile	8 Gbit		Éclair	1g x 8	Parallèle	-
MT61K256M32JE-12: A	-	RFQ	4229	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	180-TFBGA	MT61K256	Sgram - gddr6	1,31 V ~ 1,39 V	180-FBGA (12x14)	télécharger					EAR99	8542.32.0071	1 260	1,5 GHz	Volatil	8 Gbit		Bélier	256m x 32	Parallèle	-
MT53B384M32D2NP-062 AAT: B	-	RFQ	9672	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	200-WFBGA	MT53B384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	200-WFBGA (10x14,5)	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1,6 GHz	Volatil	12gbit		Drachme	384m x 32	-	-
N25Q128A23BF840F TR	-	RFQ	5095	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	Pad Exposé 8-VDFN	N25Q128A23	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	4 000	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	16m x 8	Pimenter	8 ms, 5 ms

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