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Mémoire (10402)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Noms Autres | ECCN | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 | 20.2200 |  | 7587 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 149-VFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 149-VFBGA (8x9,5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 | 1 | Non volatile, volatile | 8 Gbit | 25 ns | Flash, Bélier | 1g x 8 | Onfi | 30ns | |||
| MT29F2T08GELCEJ4-QJ: C | 39.0600 | | 5527 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-QJ: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F1T08EELKEJ4-ITF: K | 36,9000 | | 1779 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F1T08EELKEJ4-ITF: K | 1 | ||||||||||||||||
| MT29F512G08EBLGEJ4-ITF: G TR | 17.6850 | | 9523 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F512G08EBLGEJ4-ITF: GTR | 2 000 | ||||||||||||||||
| MT53E2G64D8TN-046 AAT: A TR | 122.8500 | | 1909 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Support de surface | 556-LFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT: ATR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 128 GBIT | 3,5 ns | Drachme | 2G x 64 | Parallèle | 18n | ||
| Mt29gz6a6bpiet-53ait.112 | 18.3750 | | 8592 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 149-VFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 149-VFBGA (8x9,5) | - | 557-mt29gz6a6bpiet-53ait.112 | 1 | Non volatile, volatile | 8 Gbit | 25 ns | Flash, Bélier | 1g x 8 | Onfi | 30ns | |||
| MT53E1536M64D8HJ-046 WT: C TR | 67.8450 | | 5913 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 556-TFBGA | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046WT: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 mx 64 | - | - | |||
 | MT53E256M32D2FW-046 WT: B TR | 11.6400 | | 9792 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | télécharger | 557-MT53E256M32D2FW-046WT: BTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 8 Gbit | 3,5 ns | Drachme | 256m x 32 | Parallèle | 18n | ||
| MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 | 18.3750 | | 9376 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 149-VFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 149-VFBGA (8x9,5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 | 1 | 2.133 GHz | Non volatile, volatile | 8gbit (nand), 8gbit (LPDDR4) | 25 ns | Flash, Bélier | 1g x 8 (NAND), 512m x 16 (LPDDR4) | Onfi | 20ns, 30ns | ||
| MT29F1T08EBLCHD4-QA: C TR | 20.9850 | | 5429 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-MT29F1T08EBLCHD4-QA: CTR | 2 000 | ||||||||||||||||
| MT62F1536M64D8EK-023 AIT: B TR | 86.2050 | | 1195 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT: BTR | 1 500 | 4.266 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 1,5 GX 64 | Parallèle | - | |||
| Mtfc64gaxaqea-wt tr | 7.5600 | | 1846 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-mtfc64gaxaqea-wttr | 2 000 | ||||||||||||||||
| MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR | 20.2200 | | 2110 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Support de surface | 149-VFBGA | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 149-VFBGA (8x9,5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112TR | 2 000 | Non volatile, volatile | 8 Gbit | 25 ns | Flash, Bélier | 1g x 8 | Onfi | 30ns | |||
| MT62F1G64D4EK-023 WT: B Tr | 45.6900 | | 5908 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023WT: BTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | Parallèle | - | |||
| MT62F3G32D8DV-026 AIT: B TR | 86.2050 | | 7352 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | - | - | Sdram - mobile lpddr5 | - | - | - | 557-mt62f3g32d8dv-026ait: btr | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 96 Gbit | Drachme | 3G x 32 | Parallèle | - | |||
| MT53D512M16D1Z21MWC1 | - | | 7948 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Obsolète | - | 557-MT53D512M16D1Z21MWC1 | OBSOLÈTE | 1 | |||||||||||||||
| MT60B1G16HC-56B: G | 19.0650 | | 9184 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 102-VFBGA | Sdram - ddr5 | - | 102-VFBGA (9x14) | - | 557-MT60B1G16HC-56B: G | 1 | 2,8 GHz | Volatil | 16 Gbit | 16 ns | Drachme | 1g x 16 | Coffre | - | ||
| MT62F1G64D4EK-023 AAT: B TR | 63.8550 | | 6049 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AAT: BTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | Parallèle | - | |||
| Mtfc64gaxauea-wt tr | 7.2600 | | 3248 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | Flash - Nand (SLC) | - | - | - | 557-mtfc64gaxauea-wttr | 2 000 | Non volatile | 512gbit | Éclair | 64g x 8 | UFS2.2 | - | ||||
| MT61M512M32KPA-14 AAT: C | 42.1050 | | 3106 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT61M512M32KPA-14AAT: C | 1 | ||||||||||||||||
| MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X | 40.8150 | | 9064 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29VZZZBD91SLSM-046W.17X | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F2G32D4DS-023 AIT: C TR | 58.0650 | | 9529 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 95 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-mt62f2g32d4ds-023ait: CTR | 2 000 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | - | |||
| MT29F4G01ABBFD12-AUT: F | 4.2603 | | 6955 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F4G01ABBFD12-AUT: F | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F1G64D8EK-031 AUT: B TR | 71.3850 | | 9640 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C | Support de surface | 441-TFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AUT: BTR | 1 500 | 3,2 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 1g x 64 | Parallèle | - | |||
| MTFC64GBCAQTC-AAT ES TR | 29.4000 | | 7673 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | - | 557-mtfc64gbcaqtc-aatestr | 2 000 | ||||||||||||||||
| MT29F4G01ABAFD12-AUT: F | 4.2603 | | 2937 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | - | 557-MT29F4G01ABAFD12-AUT: F | 1 | ||||||||||||||||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT ES: B | 31.9350 | | 9571 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Boîte | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023Aates: B | 1 | 4.266 GHz | Volatil | 32 Gbit | Drachme | 1g x 32 | Parallèle | - | |||
| MT62F2G32D4DS-026 AAT: B TR | 63.8550 | | 9218 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 105 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-026AAT: BTR | 2 000 | 3,2 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | - | |||
| MT53E1536M32D4DE-046 WT: B | 36.0000 | | 4958 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Support de surface | 200-TFBGA | Sdram - mobile lpddr4x | 1 06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046WT: B | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 48gbit | 3,5 ns | Drachme | 1,5 GX 32 | Parallèle | 18n | ||
| MT40A1G16KH-062E AUT: E TR | 24.0300 | | 8754 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | Sdram - ddr4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (9x13) | télécharger | 557-MT40A1G16KH-062EAUT: ETR | 3 000 | 1,6 GHz | Volatil | 16 Gbit | 19 ns | Drachme | 1g x 16 | Coffre | 15NS |
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