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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
MT29F2G16ABDHC: D TR	-	RFQ	9580	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F2G16	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (10.5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	128m x 16	Parallèle	-
MT46V64M8BN-6 L: F	-	RFQ	7982	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	60-TFBGA	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-FBGA (10x12.5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0028	1 000	167 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT29GZ5A5BPGA-53IT.87J	-	RFQ	6047	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	149-WFBGA	MT29GZ5A5	Flash - Nand, dram - lpddr4	1,8 V	149-WFBGA (8x9,5)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 260	1866 MHz	Non volatile, volatile	4Gbit (NAND), 4GBit (LPDDR4)		Flash, Bélier	512m x 8 (NAND), 128m x 32 (LPDDR4)	Parallèle	-
Mt53d8danz-dc	-	RFQ	4227	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Abandonné à sic				MT53D8				-			Atteindre non affecté			0000.00.0000	1 190
M29W128GSL70ZS6E	-	RFQ	1040	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	M29W128	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (11x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	960		Non volatile	128mbitons	70 ns	Éclair	16m x 8, 8m x 16	Parallèle	70ns
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT: D TR	-	RFQ	1713	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	-	MT29F128G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	132-TBGA (12x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	167 MHz	Non volatile	128 GBIT		Éclair	16g x 8	Parallèle	-
MT40A1G4RH-075E: B	-	RFQ	1551	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A1G4	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (9x10,5)	-			Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 260	1,33 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	1g x 4	Parallèle	-
MT48LC16M16A2P-6A XIT: G TR	6.6600	RFQ	5	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	54 TSOP (0,400 ", 10,16 mm de grandeur)	MT48LC16M16A2	Sdram	3V ~ 3,6 V	54-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	256mbitons	5.4 ns	Drachme	16m x 16	Parallèle	12ns
Mtfc4glgdm-ait a tr	-	RFQ	6962	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	153-TFBGA	Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	153-TFBGA (11,5x13)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	Mtfc4glgdm-aatatr	OBSOLÈTE	8542.32.0071	2 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
MT62F768M32D2DS-023 AAT: B	25.6500	RFQ	4256	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT62F768M32D2DS-023AAT: B			1
MT53E768M64D4HJ-046 WT: C	48.1050	RFQ	8999	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif								-				557-MT53E768M64D4HJ-046WT: C			1
MT53D512M64D4SB-046 XT ES: E TR	-	RFQ	7560	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-		3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	2.133 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
N25Q128A13ESFH0E TR	-	RFQ	3144	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	N25Q128A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOP2	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	N25Q128A13ESFH0ETR	3A991B1A	8542.32.0071	1 000	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	32m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MTFC4GMWDQ-3M AIT	-	RFQ	1431	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	100 lbga	Mtfc4	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	100 lbga (14x18)	-			Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	MMC	-
N25Q128A13BSFH0F TR	-	RFQ	2483	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de grandeur)	N25Q128A13	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	16-SO	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	108 MHz	Non volatile	128mbitons		Éclair	32m x 4	Pimenter	8 ms, 5 ms
MT41K64M16TW-125: J	-	RFQ	1548	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41K64M16	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1	800 MHz	Volatil	1 gbit	13,75 ns	Drachme	64m x 16	Parallèle	-
MT53D512M64D4BP-046 WT ES: E TR	-	RFQ	5323	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-		1 (illimité)			EAR99	8542.32.0036	2 000	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
Mtfc32gakaeef-aat	-	RFQ	9532	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	169-TFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	-	169-TFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	980		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT53D1536M32D6BE-046 WT: D	-	RFQ	5800	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53D1536	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté	557-MT53D1536M32D6BE-046WT: D			1 360	2.133 GHz	Volatil	48gbit		Drachme	1,5 GX 32	-	-
Rc28f640p30bf65b tr	-	RFQ	7993	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 TBGA	RC28F640	Flash - ni	1,7 V ~ 2V	64-Easybga (10x13)	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)			3A991B1A	8542.32.0071	2 000	52 MHz	Non volatile	64mbitons	65 ns	Éclair	4m x 16	Parallèle	65ns
MT29F2G08ABDHC-ET: D TR	-	RFQ	1139	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash - Nand	1,7 V ~ 1,95 V	63-VFBGA (10.5x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	2 gbit		Éclair	256m x 8	Parallèle	-
MT25TL512BBA8E12-0AAT TR	13.3950	RFQ	5635	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Ruban Adhésif (tr)	Acheter la Dernière	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	MT25TL512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	133 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT38W1011A90YZQXZI.XB8	-	RFQ	9545	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète								-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 518
MT62F4G32D8DV-026 WT: B	90.4650	RFQ	8776	Micron Technology Inc.	-	Boîte	Actif	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-		Sdram - mobile lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-026WT: B			1	3,2 GHz	Volatil	128 GBIT		Drachme	4G x 32	Parallèle	-
MT29F8G01ADBFD12-ITE: F	-	RFQ	9166	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	MT29F8G01	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 122		Non volatile	8 Gbit		Éclair	8g x 1	Pimenter	-
TE28F256J3F105A	-	RFQ	2096	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	28F256J3	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0051	96		Non volatile	256mbitons	105 ns	Éclair	32m x 8, 16m x 16	Parallèle	105ns
MT41K512M8RH-125: E	-	RFQ	4754	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT41K512M8	Sdram - ddr3l	1 283V ~ 1 45 V	78-fbga (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	4 Gbit	13,75 ns	Drachme	512m x 8	Parallèle	-
EDFP112A3PB-JDTJ-FD	-	RFQ	6815	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)	-	-	EDFP112	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 190	933 MHz	Volatil	24gbit		Drachme	192m x 128	Parallèle	-
MT29E512G08CKCBBH7-6: B Tr	-	RFQ	9839	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	-	MT29E512G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	152-TBGA	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	167 MHz	Non volatile	512gbit		Éclair	64g x 8	Parallèle	-
MT29F32G08ABAAAWP: A TR	-	RFQ	4400	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F32G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	Parallèle	-

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Unité de produit standard
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