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Mémoire (10402)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Tension - alimentation	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Fréquence d'Horloge	Type de Mémoire	Taille de la Mémoire	Heure d'accès	Format de Mémoire	Organisation de Mémoire	Interface de Mémoire	Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page
Mt48lc4m32b2p-6: g tr	-	RFQ	4137	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	86-TFSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT48LC4M32B2	Sdram	3V ~ 3,6 V	86-TSOP II	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0002	1 000	167 MHz	Volatil	128mbitons	5,5 ns	Drachme	4m x 32	Parallèle	12ns
MT53D2G32D8QD-062 WT: D TR	-	RFQ	6529	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D2G32	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V		-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	2 000	1,6 GHz	Volatil	64gbit		Drachme	2G x 32	-	-
Mtfc32gjded-3m wt tr	-	RFQ	8542	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	169-VFBGA	Mtfc32g	Flash - Nand	1,65 V ~ 3,6 V	169-VFBGA (14x18)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	256 GBIT		Éclair	32g x 8	MMC	-
MT41J64M16JT-15E XIT: G	-	RFQ	1786	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41J64M16	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-FBGA (8x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000	667 MHz	Volatil	1 gbit		Drachme	64m x 16	Parallèle	-
MT29F4G08ABBFAM70A3WC1	3.5200	RFQ	5166	Micron Technology Inc.	-	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	Mourir	MT29F4G08	Flash - Nand (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	Mourir	-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté			8542.32.0071	1		Non volatile	4 Gbit		Éclair	512m x 8	Parallèle	-
MT61M256M32KPA-14 AAT: C TR	-	RFQ	8986	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Support de surface	180-TFBGA	MT61M256	Sgram - gddr6	1,21V ~ 1,29 V	180-FBGA (12x14)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)		557-MT61M256M32KPA-14AAT: CTR	OBSOLÈTE		2 000	1,5 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	256m x 32	Parallèle	-
MT58L256L18P1T-7.5C	4.8200	RFQ	3	Micron Technology Inc.	Syncburst ™	En gros	Actif	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	100 LQFP		SRAM - Standard	3.135V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20.1)	télécharger	Non applicable	3 (168 Heures)	Vendeur indéfini		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volatil	4mbbitons	4 ns	Sram	256k x 18	Parallèle	-
EDF8164A3PF-GD-FR TR	-	RFQ	1083	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	-	EDF8164	Sdram - mobile lpddr3	1,14 V ~ 1,95 V	-	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000	800 MHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	128m x 64	Parallèle	-
MT44K16M36RB-107: A	-	RFQ	2021	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	168 TBGA	MT44K16M36	Drachme	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			EAR99	8542.32.0024	1 000	933 MHz	Volatil	576mbit	10 ns	Drachme	16m x 36	Parallèle	-
MT25QL512ABA8E12-1SIT TR	-	RFQ	4465	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	24 TBGA	MT25QL512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	24-T-PBGA (6x8)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	2 500	133 MHz	Non volatile	512mbitons		Éclair	64m x 8	Pimenter	8 ms, 2,8 ms
MT53D512M64D4HR-053 WT: D	-	RFQ	1916	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	366-WFBGA	MT53D512	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	366-WFBGA (12x12.7)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 360	1 866 GHz	Volatil	32 Gbit		Drachme	512m x 64	-	-
MT46V64M8P-5B: F Tr	-	RFQ	4288	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V64M8	Sdram - ddr	2,5 V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	200 MHz	Volatil	512mbitons	700 PS	Drachme	64m x 8	Parallèle	15NS
MT41J128M16HA-125G: D	-	RFQ	3398	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT41J128M16	Sdram - ddr3	1 425V ~ 1 575 V	96-FBGA (9x14)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 000	800 MHz	Volatil	2 gbit	13,75 ns	Drachme	128m x 16	Parallèle	-
M29W640GB70ZS6E	-	RFQ	7657	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	M29W640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64-fbga (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	160		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	8m x 8, 4m x 16	Parallèle	70ns
M58BW16FB5ZA3F	-	RFQ	9452	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Support de surface	80 lbga	M58BW16	Flash - ni	2,5 V ~ 3,3 V	80 lbga (10x12)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0071	1		Non volatile	16mbitons	55 ns	Éclair	512k x 32	Parallèle	55ns
MT40A1G8SA-075: E	7.9500	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A1G8	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (7,5x11)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 260	1,33 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	1g x 8	Parallèle	-
MT28EW512ABA1LPC-1SIT	-	RFQ	1983	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	64 LBGA	MT28EW512	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	64 LBGA (11x13)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	1 104		Non volatile	512mbitons	95 ns	Éclair	64m x 8, 32m x 16	Parallèle	60ns
MT40A1G4RH-075E: B Tr	-	RFQ	1221	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	78-TFBGA	MT40A1G4	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	78-fbga (9x10,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	2 000	1,33 GHz	Volatil	4 Gbit		Drachme	1g x 4	Parallèle	-
MT48LC8M32LFF5-10	-	RFQ	9417	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	90-VFBGA	MT48LC8M32	SDRAM - LPSDR MOBILE	3V ~ 3,6 V	90-VFBGA (8x13)	-	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	100 MHz	Volatil	256mbitons	7 ns	Drachme	8m x 32	Parallèle	15NS
MT29F32G08CBADAWP: D	-	RFQ	5528	Micron Technology Inc.	-	En gros	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	MT29F32G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	960		Non volatile	32 Gbit		Éclair	4G x 8	Parallèle	-
Mt29f8g08abacah4-s: c tr	-	RFQ	2800	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	63-VFBGA	MT29F8G08	Flash - Nand	2,7 V ~ 3,6 V	63-VFBGA (9x11)	-	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 000		Non volatile	8 Gbit		Éclair	1g x 8	Parallèle	-
MT40A256M16LY-062E: F	8.3250	RFQ	8468	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Actif	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A256M16	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13,5)	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1	1,6 GHz	Volatil	4 Gbit	13,75 ns	Drachme	256m x 16	Parallèle	-
MT46V32M8TG-75: G	-	RFQ	9050	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Support de surface	66-TSSOP (0 400 ", 10,16 mm de grosur)	MT46V32M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	66 TSOP	télécharger	Rohs non conforme	2 (1 AN)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	133 MHz	Volatil	256mbitons	750 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
M28W640FCB70N6F TR	-	RFQ	9345	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	M28W640	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	1 500		Non volatile	64mbitons	70 ns	Éclair	4m x 16	Parallèle	70ns
JR28F032M29EWBA	-	RFQ	4504	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JR28F032M29	Flash - ni	2,7 V ~ 3,6 V	48-tsop i	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)			3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	32mbitons	70 ns	Éclair	4m x 8, 2m x 16	Parallèle	70ns
MT53B384M64D4NH-062 WT: B	-	RFQ	7200	Micron Technology Inc.	-	Plateau	Obsolète	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	272-WFBGA	MT53B384	SDRAM - MOBILE LPDDR4	1,1 V	272-WFBGA (15x15)	-		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 190	1,6 GHz	Volatil	24gbit		Drachme	384m x 64	-	-
JS28F256P33T95A	-	RFQ	9911	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Support de surface	56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand)	JS28F256P33	Flash - ni	2,3V ~ 3,6 V	56 TSOP	télécharger	Rohs3 conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		3A991B1A	8542.32.0071	96	40 MHz	Non volatile	256mbitons	95 ns	Éclair	16m x 16	Parallèle	95ns
MT40A512M16JY-075E AIT: B	-	RFQ	6640	Micron Technology Inc.	Automobile, AEC-Q100	Plateau	Obsolète	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Support de surface	96-TFBGA	MT40A512M16	Sdram - ddr4	1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (8x14)	télécharger			Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0036	1 368	1,33 GHz	Volatil	8 Gbit		Drachme	512m x 16	Parallèle	-
Mt46v32m8bg-6 it: g tr	-	RFQ	2668	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Support de surface	60-fbga	MT46V32M8	Sdram - ddr	2,3V ~ 2,7 V	60-fbga (8x14)	télécharger	Rohs non conforme	3 (168 Heures)	Atteindre non affecté		EAR99	8542.32.0024	1 000	167 MHz	Volatil	256mbitons	700 PS	Drachme	32m x 8	Parallèle	15NS
Mt53d8dbwf-dc tr	-	RFQ	3092	Micron Technology Inc.	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	376-WFBGA	MT53D8	SDRAM - MOBILE LPDDR4		376-WFBGA (14x14)	-		1 (illimité)			OBSOLÈTE	0000.00.0000	1 000		Volatil			Drachme

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