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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Tension - alimentation | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Fréquence d'Horloge | Type de Mémoire | Taille de la Mémoire | Heure d'accès | Format de Mémoire | Organisation de Mémoire | Interface de Mémoire | Écrivez le Temps du Cycle - Mot, Page | Type de Contrôleur | Sic programmable |
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FT24C128A-ETR-T | - | ![]() | 2612 | 0,00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | FT24C128 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 1 MHz | Non volatile | 128kbit | 550 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²c | 5 ms | |||||
![]() | S29GL032N90DFI030 | - | ![]() | 4745 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Gl-n | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 64 LBGA | S29GL032 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-fbga (9x9) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | Non volatile | 32mbitons | 90 ns | Éclair | 4m x 8, 2m x 16 | Parallèle | 90ns | |||||
![]() | 71256L25TDB | 39.7300 | ![]() | 5817 | 0,00000000 | Idt, Technologie de l'appareil Integré Inc | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Par le trou | 28 CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | 71256L | Sram - asynchrone | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDI | télécharger | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Volatil | 256kbit | 25 ns | Sram | 32k x 8 | Parallèle | 25ns | ||||||||
![]() | IS43TR16128AL-15HBI-TR | - | ![]() | 7263 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Abandonné à sic | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Support de surface | 96-TFBGA | IS43TR16128 | Sdram - ddr3l | 1 283V ~ 1 45 V | 96-TWBGA (9x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 500 | 667 MHz | Volatil | 2 gbit | 20 ns | Drachme | 128m x 16 | Parallèle | 15NS | ||||
![]() | 46W0708-C | 77,5000 | ![]() | 5008 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-46W0708-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 93lc76t-i / sn | 1.2000 | ![]() | 6859 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 93lc76 | Eeprom | 2,5 V ~ 6,0 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 93lc76t-i / sn-ndr | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 300 | 3 MHz | Non volatile | 8kbit | Eeprom | 1k x 8, 512 x 16 | Microwire | 5 ms | ||||
![]() | Cy7c1441av33-133bzxi | - | ![]() | 5632 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 165 LBGA | CY7C1441 | Sram - synchrone, d. | 3.135V ~ 3,6 V | 165-fbga (15x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 133 MHz | Volatil | 36mbitons | 6.5 ns | Sram | 1m x 36 | Parallèle | - | ||||
![]() | A2z48aa-c | 50 0000 | ![]() | 8585 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-A2Z48AA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 11LC161T-I / MS | 0,4050 | ![]() | 5522 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP, 8 MSOP (0,118 ", 3,00 mm de grand) | 11LC161 | Eeprom | 2,5 V ~ 5,5 V | 8 MSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 2 500 | 100 kHz | Non volatile | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | FIL UNIQUE | 5 ms | |||||
![]() | MT29F8G16ABACAH4: C | - | ![]() | 7737 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 63-VFBGA | MT29F8G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 260 | Non volatile | 8 Gbit | Éclair | 512m x 16 | Parallèle | - | ||||||
![]() | AS4C16M32MD1-5BCN | 6.2900 | ![]() | 320 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Plateau | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Support de surface | 90-VFBGA | AS4C16 | SDRAM - LPDDR MOBILE | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-FBGA (8x13) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 1450-1120 | EAR99 | 8542.32.0028 | 160 | 200 MHz | Volatil | 512mbitons | 5 ns | Drachme | 16m x 32 | Parallèle | 15NS | |||
![]() | Cy7c1062av33-10bgc | 115.7800 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Plateau | Pas de designs les nouveaux | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 119-BGA | CY7C1062 | Sram - asynchrone | 3V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | télécharger | Rohs3 conforme | 2832-CY7C1062AV33-10BGC | 5 | Volatil | 16mbitons | 10 ns | Sram | 512k x 32 | Parallèle | 10ns | Non Vérifié | |||||||
![]() | CYD09S72V18-200BBXC | - | ![]() | 6257 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Plateau | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 256 LBGA | CYD09S72 | Sram - double port, synchrone | 1,42 V ~ 1,58 V, 1,7 V ~ 1,9 V | 256-FBGA (17x17) | télécharger | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 200 MHz | Volatil | 9mbitons | 3,3 ns | Sram | 128k x 72 | Parallèle | - | ||||
![]() | DS1312E + | - | ![]() | 6951 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrée | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 20-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | DS1312 | 4,75 V ~ 5,5 V | 20-TSSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.31.0001 | 74 | Bélier non volatile | ||||||||||||
![]() | 4DB0226EMKB0AVG8 | - | ![]() | 8358 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Acheter la Dernière | - | 800-4DB0226EMKB0AVG8TR | 1 | |||||||||||||||||||||||
RM24C256C-LTAI-B | - | ![]() | 2094 | 0,00000000 | Adesto Technologies | Mavriq ™ | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de grosur) | RM24C256 | Cbram | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-TSSOP | - | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | Non volatile | 256kbit | CBRAM® | 64 octets Taille de la Page | I²c | 100 µs, 5 ms | ||||||
S25FS512SDSBHA213 | 9.6425 | ![]() | 5081 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, FS-S | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | S25FS512 | Flash - ni | 1,7 V ~ 2V | 24-bga (8x6) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 80 MHz | Non volatile | 512mbitons | Éclair | 64m x 8 | Spi - quad e / o, qpi | - | ||||||
![]() | AT27LV010A-90JC | - | ![]() | 5710 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Tube | Obsolète | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Support de surface | 32 LCC (J-LEAD) | At27lv010 | Eprom - OTP | 3V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (13.97x11.43) | télécharger | Rohs non conforme | 2 (1 AN) | Atteindre non affecté | 3A991B1B2 | 8542.32.0061 | 32 | Non volatile | 1mbit | 90 ns | Eprom | 128k x 8 | Parallèle | - | |||||
![]() | TC58BVG2S0HTAI0 | - | ![]() | 2983 | 0,00000000 | Kioxia America, Inc. | Benand ™ | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | TC58BVG2 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop i | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 4 Gbit | 25 ns | Éclair | 512m x 8 | Parallèle | 25ns | |||||
![]() | 24aa64t / sn | 0,5400 | ![]() | 2799 | 0,00000000 | Technologie des micropuces | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | 24aa64 | Eeprom | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 300 | 400 kHz | Non volatile | 64kbit | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²c | 5 ms | ||||
![]() | STK11C68-SF35I | - | ![]() | 6718 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Tube | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 28-SOIC (0,342 ", 8,69 mm de grandeur) | STK11C68 | Nvsram (SRAM non volatile) | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-Sic | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 50 | Non volatile | 64kbit | 35 ns | Nvsram | 8k x 8 | Parallèle | 35ns | |||||
![]() | A3944756-C | 30.0000 | ![]() | 2924 | 0,00000000 | Prolabs | * | Colis de Vente au Détail | Actif | - | Rohs conforme | 4932-A3944756-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT53E256M32D2DS-053 AUT: B | 22.0700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Plateau | Acheter la Dernière | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Support de surface | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM - MOBILE LPDDR4 | 1,1 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | MT53E256M32D2DS-053 AUT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 360 | 1 866 GHz | Volatil | 8 Gbit | Drachme | 256m x 32 | - | - | ||||
CAT24M01WI-GT3 | 1.4400 | ![]() | 1574 | 0,00000000 | onsemi | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de grandeur) | CAT24M01 | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | télécharger | Rohs3 conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0051 | 3 000 | 1 MHz | Non volatile | 1mbit | 400 ns | Eeprom | 128k x 8 | I²c | 5 ms | |||||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 WT ES: B | 45.6900 | ![]() | 7000 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Boîte | Actif | -25 ° C ~ 85 ° C | Support de surface | 200-WFBGA | Sdram - mobile lpddr5 | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023WTES: B | 1 | 2.133 GHz | Volatil | 64gbit | Drachme | 2G x 32 | Parallèle | - | ||||||||||
MR4A08BMA35 | 52.1000 | ![]() | 4258 | 0,00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Plateau | Actif | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Support de surface | 48-LFBGA | MR4A08 | Mram (magnétororesistif) | 3V ~ 3,6 V | 48-fbga (10x10) | télécharger | Rohs3 conforme | 5 (48 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0071 | 240 | Non volatile | 16mbitons | 35 ns | Bélier | 2m x 8 | Parallèle | 35ns | ||||||
![]() | IS62WV6416DBLL-45BI-TR | - | ![]() | 3397 | 0,00000000 | ISSI, Solution de Silicium Integrée Inc | - | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 48-TFBGA | IS62WV6416 | Sram - asynchrone | 2,3V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0041 | 2 500 | Volatil | 1mbit | 45 ns | Sram | 64k x 16 | Parallèle | 45ns | |||||
![]() | MT49H16M18CBM-25 IT: B Tr | - | ![]() | 2698 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Ruban Adhésif (tr) | Obsolète | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 144-TFBGA | MT49H16M18 | Drachme | 1,7 V ~ 1,9 V | 144 µbga (18,5x11) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | EAR99 | 8542.32.0024 | 1 000 | 400 MHz | Volatil | 288mbitons | 20 ns | Drachme | 16m x 18 | Parallèle | - | ||||
![]() | S29GL128P10TFI010 | 6.8800 | ![]() | 4818 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Gl-p | Plateau | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de grand) | S29GL128 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 56 TSOP | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | Non volatile | 128mbitons | 100 ns | Éclair | 16m x 8 | Parallèle | 100ns | |||||
![]() | S25FL256SAGBHIB03 | 4.5850 | ![]() | 3422 | 0,00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Ruban Adhésif (tr) | Actif | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Support de surface | 24 TBGA | S25FL256 | Flash - ni | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-bga (6x8) | télécharger | Rohs3 conforme | 3 (168 Heures) | Atteindre non affecté | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2 500 | 133 MHz | Non volatile | 256mbitons | Éclair | 32m x 8 | Spi - quad e / o | - |
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